-
公开(公告)号：CN100477072C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN03107555.X
申请日：1998-03-27
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67092 , H01L21/6838 , Y10T29/49821 , Y10T83/364 , Y10T156/1137 , Y10T156/1374 , Y10T156/1922 , Y10T156/1933 , Y10T156/1939
Abstract: 为分离由多个键合元件组成的组合元件而不将其破坏或损坏，从喷嘴对着组合元件喷射流体，以便在与键合位置不同的位置将组合元件分离成多个元件。
-
公开(公告)号：CN1157762C
公开(公告)日：2004-07-14
申请号：CN98102954.X
申请日：1998-03-27
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L21/67092 , H01L21/6838 , Y10T29/49821 , Y10T83/364 , Y10T156/1137 , Y10T156/1374 , Y10T156/1922 , Y10T156/1933 , Y10T156/1939
Abstract: 为分离由多个键合元件组成的组合元件而不将其破坏或损坏，从喷嘴对着组合元件喷射流体，以便在与键合位置不同的位置将组合元件分离成多个元件。
-
公开(公告)号：CN1149645C
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN98125516.7
申请日：1998-12-25
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/302 , H01L21/304 , C23F1/24 , B08B3/12
CPC classification number: H01L21/67086 , C25D11/32 , H01L21/2007 , H01L21/30604 , H01L21/6708 , H01L21/76256
Abstract: 提供一种多孔区的去除方法和半导体衬底的制造方法。该去除方法可保证去除多孔层后的底层平整度，包括：第一步，把预处理液(如水)注入多孔层；第二步，用腐蚀剂(如氢氟酸)代替填充多孔层的预处理液，并用腐蚀剂腐蚀多孔层。通过这种方法，可以缩短将腐蚀剂注入多孔层的方法，从而减小了腐蚀进展的差别。
-
公开(公告)号：CN1111900C
公开(公告)日：2003-06-18
申请号：CN98105320.3
申请日：1998-02-20
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/67057 , B08B3/10 , B08B3/12 , H01L21/2007 , H01L21/30608 , Y10S134/902
Abstract: 超声槽(30)置于晶片处理槽(10)的下面。将超声波从超声槽(30)传送到晶片处理槽(10)的同时处理晶片(40)。在将晶片(40)完全浸入晶片处理槽(10)，通过使用晶片旋转连杆(53)同时垂直提升晶片底部来旋转和垂直移动晶片的同时来处理晶片(40)。
-
公开(公告)号：CN1420524A
公开(公告)日：2003-05-28
申请号：CN02130553.6
申请日：1998-02-04
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/02052 , H01L21/2007 , H01L21/30604 , H01L21/31111 , H01L21/67057 , Y10T29/41
Abstract: 支架驱动机构用夹持部分固定晶片支架，并在晶片处理槽内摆动它。当晶片周边部分与摆动支撑部件的顶部接触时，晶片旋转并在晶片支架里垂直运动。晶片能被有效地摆动，能做到均匀处理。通过使用超声槽里的超声波，能够提高处理速率。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1299150A
公开(公告)日：2001-06-13
申请号：CN00135339.X
申请日：2000-12-08
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L21/67092 , H01L21/76259 , Y10T156/1972
Abstract: 本发明涉及一种组合元件分离方法,在与第一元件(1)和第二元件(2)之间的键合界面不同的位置上,分离具有分离层(4)和在分离层(4)上的转换层(5)的第一元件(1)与第二元件(2)键合的组合元件该方法包括对组合元件的端面部分施加相对于界面非对称性的力而形成从第一元件(1)表面穿过转换层(5)延伸到分离层(4)的裂纹(7A)的步骤和然后沿着分离层(4)增长裂纹以致完全分离组合元件的步骤。
-
公开(公告)号：CN1272684A
公开(公告)日：2000-11-08
申请号：CN00105306.X
申请日：2000-02-02
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/08
CPC classification number: H01L21/76259 , H01L21/76251
Abstract: 将具有多孔层的第一衬底键合到第二衬底上制备键合衬底叠层,在多孔层处将键合衬底叠层分成两个衬底,防止了分离步骤中存在的缺陷。该第一衬底内部具有多孔层(12),在多孔层上具有单晶硅层,在单晶硅层上具有SiO2层。将该衬底的外边缘部分氧化使单晶硅层的外边缘朝着内部进行再处理,其中单晶硅层(13a)的外边缘位于键合区域的外边缘之内。在多孔层(12)处将键合衬底叠层分成两个衬底。
-
公开(公告)号：CN1264920A
公开(公告)日：2000-08-30
申请号：CN00101846.9
申请日：2000-02-02
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/08
CPC classification number: H01L21/67092 , H01L21/76259 , Y10T82/16 , Y10T82/16016 , Y10T82/16065
Abstract: 通过键合单晶硅层形成于多孔层上和绝缘层形成于单晶硅层上的第一衬底与第二衬底得到键合衬底叠片,在多孔层分离该键合衬底叠片时,防止了分离的衬底的外围发生锯齿缺陷。在一个方向(R)绕轴(C)使键合衬底叠片(30)旋转的同时,从喷嘴(112)喷射流体,并注入到键合衬底叠片(30)的多孔层,从而在多孔层将键合衬底叠片(30)分成两个衬底。在分离键合衬底叠片(30)的外围部分时,喷嘴(112)位于范围(B)内。
-
公开(公告)号：CN1258092A
公开(公告)日：2000-06-28
申请号：CN99123434.0
申请日：1999-11-05
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L21/67196 , Y10S134/902
Abstract: 本发明是为了提供适合于制造例如SOI衬底的加工系统。加工系统包括,其上按大体上等角度间隔安装有用于保持键合衬底叠片的保持机械装置的转盘、用于使转盘在枢轴上转动预定角度以使由上述的保持机械装置保持的键合衬底叠片或分离的衬底移动到操作位置的驱动机械装置以及用于处理在操作位置上的键合衬底叠片或分离的衬底的定中心装置、分离装置和清洗/干燥装置。
-
公开(公告)号：CN1254942A
公开(公告)日：2000-05-31
申请号：CN99123686.6
申请日：1999-11-05
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67092 , Y10T29/49821 , Y10T83/364 , Y10T156/1137 , Y10T156/1939
Abstract: 本发明提供了以高产率分离具有多孔层的粘合的基片叠的技术。涉及的分离设备有一对基片保持部从上下侧夹住粘合的基片叠且水平地保持其转动。由喷嘴喷出射流到基片叠的多孔层中,而于此多孔层将基片叠分离。另一分离设备则具有:一对基片保持部、将流体注入基片叠的多孔层的喷嘴、以及用来防止下基片保持部突发向下运动但在分离此粘合的基片叠时允许其适度运动的意外操作防止机构。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
32
records
(took 0.043 seconds)
