公开(公告)号：CN100472825C

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200510004321.X

申请日：2005-01-13

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  独立行政法人理化学研究所

Inventor： 秋田胜史 ,  中村孝夫 ,  平山秀树

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343 ,  C01G15/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/02 ,  H01L33/025 ,  H01L33/06

Abstract: 本发明提供半导体发光元件及制作半导体发光元件的方法。半导体发光元件(1)具备：发光区域(3)、第1AlX1Ga1-X1N半导体(0≤X1≤1)层(5)、第2AlX2Ga1-X2N半导体(0≤X2≤1)层(7)。该半导体发光元件中，发光区域由III族氮化物半导体制成，包含InAlGaN半导体层。第1AlX1Ga1-X1N半导体层例如被镁(Mg)之类的p型掺杂剂掺杂，被设于发光区域上。第2AlX2Ga1-X2N半导体层被设于发光区域和第1AlX1Ga1-X1N半导体层之间。第2AlX2Ga1-X2N半导体层具有比第1AlX1Ga1-X1N半导体层的p型掺杂剂浓度更小的p型掺杂剂浓度。

公开(公告)号：CN100414724C

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：CN200480009899.8

申请日：2004-08-04

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 永井阳一 ,  木山诚 ,  中村孝夫 ,  樱田隆 ,  秋田胜史 ,  上松康二 ,  池田亚矢子 ,  片山浩二 ,  吉本晋

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/20 ,  H01L33/382 ,  H01L33/505 ,  H01L33/507 ,  H01L33/58 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2224/45099

Abstract: 公开了一种发光器件，该发光器件由于其简单结构而容易制造，并且能够长期稳定地保持高发光效率。这种发光器件在氮化物半导体衬底(1)第一主表面侧包含：n-型氮化物半导体层(2)，安置在离氮化物半导体衬底(1)比n-型氮化物半导体层(2)更远处的p-型氮化物半导体层(6)，以及安置在n-型氮化物半导体层(2)和p-型氮化物半导体层(6)之间的发光层(4)。氮化物半导体衬底的电阻率不超过0.5Ω·cm。发光器件是以p-型氮化物半导体层侧向下的方式安装的，从而使光从氮化物半导体衬底的第二主表面(1a)发出，所述的第二主表面位于第一主表面的另一侧。

公开(公告)号：CN101083220A

公开(公告)日：2007-12-05

申请号：CN200710108828.9

申请日：2007-05-31

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 中村孝夫 ,  上田登志雄 ,  京野孝史

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/02 ,  H01L23/00 ,  G01N21/95

CPC classification number: H01L22/10 ,  H01L22/20

Abstract: 本发明提供一种衬底检测方法，通过确定多个层的质量来检测全部多个衬底，每一衬底在其表面上设有多个层，以及提供了使用该衬底检测方法来制造衬底和元件的方法。该衬底检测方法包括制备在其主表面设有多个层的衬底的步骤，膜形成步骤，局部刻蚀步骤和检测步骤或成分分析步骤。在步骤中，通过去除外延层的至少部分从而在衬底主表面的设有外延层的区域中形成凹陷。在该检测步骤中，对凹陷中暴露的层进行检测。

公开(公告)号：CN1557026A

公开(公告)日：2004-12-22

申请号：CN03801071.2

申请日：2003-05-19

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 中村孝夫 ,  藤原伸介 ,  松原秀树

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/08 ,  H01L33/28 ,  H01L33/405

Abstract: 一种从输出表面发光的ZnSe发光设备，其具有包括自激活发光中心(SA)的n型ZnSe基板、形成在n型ZnSe基板上的激活层、和设置在输出表面相对面上并用于向输出表面反射光的Al层。发射的光可以有效利用，亮度高，并且易于调节白光发射设备的色度。

公开(公告)号：CN1271182A

公开(公告)日：2000-10-25

申请号：CN00106758.3

申请日：2000-04-14

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 中村孝夫 ,  松原秀树

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/42 ,  Y10S438/94

Abstract: 一发光层提供在一基底上,一p－型半导体层(24)提供在发光层上。一上电极提供在p型半导体层(24)上。一上电极包括一与p型半导体层接触的Au薄膜(10a)和一形成于其上的n型透明导体层(10b)。n型透明导体膜(10b)是通过激光烧蚀来形成的。

公开(公告)号：CN102460866B

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201080026837.3

申请日：2010-06-17

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 足立真宽 ,  德山慎司 ,  盐谷阳平 ,  京野孝史 ,  善积祐介 ,  秋田胜史 ,  上野昌纪 ,  片山浩二 ,  池上隆俊 ,  中村孝夫

IPC: H01S5/343

CPC classification number: H01S5/2004 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/22 ,  H01S5/309 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/18 ,  H01S2302/00

Abstract: 提供一种可以低阈值进行激光振荡的III族氮化物半导体激光二极管。支撑基体(13)具有半极性或无极性的主面(13a)。III族氮化物的c轴(Cx)相对于主面(13a)倾斜。n型覆盖区域(15)及p型覆盖区域(17)设置于支撑基体(13)的主面(13a)上。芯材半导体区域(19)设置于n型覆盖区域(15)与p型覆盖区域(17)之间。芯材半导体区域(19)包含第1光导层(21)、活性层(23)及第2光导层(25)。活性层(23)设置于第1光导层(21)与第2光导层(25)之间。芯材半导体区域(19)的厚度(D19)为0.5μm以上。该构造不会令光逃泄到支撑基体(13)，可将光闭入于芯材半导体区域(19)内，因此可降低阈值电流。

公开(公告)号：CN102474075B

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201080031730.8

申请日：2010-07-13

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 盐谷阳平 ,  善积祐介 ,  京野孝史 ,  住友隆道 ,  秋田胜史 ,  上野昌纪 ,  中村孝夫

IPC: H01S5/343 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02458 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333 ,  H01S2302/00

Abstract: 本发明提供包含具有良好表面形态的半极性外延膜的III族氮化物半导体元件。包含III族氮化物半导体的支撑基体13的主面13a沿着与基准轴Ax正交的基准平面RSUB延伸，所述基准轴Ax相对于该III族氮化物半导体的c轴以规定的角度ALPHA倾斜。基准轴Ax沿着从该III族氮化物半导体的c轴朝向m轴的方向以10度以上且小于80度的范围内的第一角度ALPHA1倾斜。主面13a显示出半极性。基准轴Ax从该III族氮化物半导体的c轴向a轴的方向以-0.30度以上且+0.30度以下的范围内的第二角度ALPHA2倾斜。基准轴Ax在主面13a的法线方向上延伸。外延半导体区域15的最表面15a的形态包含多个凹坑，该凹坑的凹坑密度为5×104cm-2以下。

公开(公告)号：CN103560396A

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：CN201310467484.6

申请日：2009-08-03

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 盐谷阳平 ,  善积祐介 ,  上野昌纪 ,  秋田胜史 ,  京野孝史 ,  住友隆道 ,  中村孝夫

IPC: H01S5/343

CPC classification number: H01L21/02458 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/34333

Abstract: 本发明涉及GaN基半导体光器件、GaN基半导体光器件的制作方法、外延晶片及GaN基半导体膜的生长方法。在GaN基半导体光器件(11a)中，衬底(13)的主面(13a)自与沿着第一GaN基半导体的c轴延伸的基准轴(Cx)正交的面起，以63度以上且小于80度的范围的倾斜角向该第一GaN基半导体的m轴方向倾斜。GaN基半导体外延区域(15)设置在主面(13a)上。在GaN基半导体外延区域(15)上，设有有源层(17)。有源层(17)含有至少一个半导体外延层(19)。半导体外延层(19)包含InGaN。半导体外延层(19)的膜厚方向相对于基准轴(Cx)倾斜。该基准轴(Cx)朝向第一GaN基半导体的[0001]轴的方向。由此，提供可抑制由有源层中的In偏析所引起的发光特性降低的GaN基半导体发光器件。

公开(公告)号：CN101911322B

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN200980101538.9

申请日：2009-08-03

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 盐谷阳平 ,  善积祐介 ,  上野昌纪 ,  秋田胜史 ,  京野孝史 ,  住友隆道 ,  中村孝夫

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/205 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01L21/02458 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/34333

Abstract: 在GaN基半导体光器件(11a)中，衬底(13)的主面(13a)自与沿着第一GaN基半导体的c轴延伸的基准轴(Cx)正交的面起，以63度以上且小于80度的范围的倾斜角向该第一GaN基半导体的m轴方向倾斜。GaN基半导体外延区域(15)设置在主面(13a)上。在GaN基半导体外延区域(15)上，设有有源层(17)。有源层(17)含有至少一个半导体外延层(19)。半导体外延层(19)包含InGaN。半导体外延层(19)的膜厚方向相对于基准轴(Cx)倾斜。该基准轴(Cx)朝向第一GaN基半导体的[0001]轴的方向。由此，提供可抑制由有源层中的In偏析所引起的发光特性降低的GaN基半导体发光器件。

公开(公告)号：CN101661986B

公开(公告)日：2013-08-28

申请号：CN200910170459.5

申请日：2009-08-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 秋田胜史 ,  盐谷阳平 ,  京野孝史 ,  住友隆道 ,  善积祐介 ,  上野昌纪 ,  中村孝夫

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L33/007 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/06 ,  H01L33/16 ,  H01S2304/04

Abstract: 本发明涉及制造氮化物半导体光学器件和外延晶片的方法。本发明提供通过在氮化镓基半导体区域的半极性主面上生长半导体而制造具有令人满意的发光性能的氮化物半导体光学器件的方法；以及制造用于氮化物半导体光学器件的外延晶片的方法。其中，在步骤S106中，在将生长炉内的温度保持为TW的同时，在时刻t4和t5之间在半极性主面上生长InXGa1-XN阱层。在步骤S107中，在所述阱层的生长完成之后，立即在温度TW下开始生长保护层以覆盖所述阱层的主面。所述保护层由氮化镓基半导体构成，所述氮化镓基半导体的带隙能量大于所述阱层的带隙能量且等于或小于阻挡层的带隙能量。