公开(公告)号：CN101611471A

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200880004854.X

申请日：2008-02-12

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 秦雅彦 ,  佐泽洋幸 ,  西川直宏

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/338 ,  H01L29/207 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207 ,  H01L29/66462

Abstract: 本发明提供一种场效应晶体管用外延基板，场效应晶体管用外延基板在衬底基板和工作层之间设有含有Ga的氮化物系III－V族半导体外延结晶，氮化物系III－V族半导体外延结晶含有(i)、(ii)及(iii)。(i)第一缓冲层，其含有Ga或Al，并且包括添加了元素周期表中处于与Ga同一周期且原子序号小的补偿杂质元素的高电阻结晶层；(ii)第二缓冲层，其层叠于第一缓冲层的工作层侧，并含有Ga或Al；(iii)高纯度外延结晶层，其设于高电阻结晶层和工作层之间，并不含有或含有能够维持耗尽状态的程度的微量受主杂质。

公开(公告)号：CN100547734C

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：CN200680017368.2

申请日：2006-05-02

Applicant: 住友化学株式会社 ,  国立大学法人三重大学

Inventor： 平松和政 ,  三宅秀人 ,  土田良彦 ,  小野善伸 ,  西川直宏

IPC: H01L21/205 ,  H01L33/00 ,  C30B29/38 ,  H01S5/323

Abstract: 本发明提供一种第3-5族氮化物半导体多层衬底(1)和用于制备这种衬底的方法。在底部衬底(11)上形成半导体层(12)，并且在所述半导体层(12)上形成掩模(13)。然后，在通过选择性生长形成第3-5族氮化物半导体结晶层(14)之后，将第3-5族氮化物半导体结晶层(14)和所述底部衬底(11)相互分离。所述半导体层(12)的结晶性低于第3-5族氮化物半导体结晶层(14)的结晶性。

公开(公告)号：CN101517715A

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200780034062.2

申请日：2007-09-14

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 佐泽洋幸 ,  西川直宏 ,  秦雅彦

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种具有低的栅极泄漏电流与小到可忽视的栅极滞后、漏极滞后、电流崩塌特性的、带电介质膜的氮化镓类半导体外延结晶基板。半导体外延结晶基板的制造方法是向通过有机金属气相生长法生长的氮化物半导体结晶层表面，赋与构成钝化膜或栅极绝缘膜并具有非结晶形的氮化物电介质或氧化物电介质的电介质层的制造方法，其中，在外延生长炉内使所述氮化物半导体结晶层生长之后，直接在该外延生长炉内使所述电介质层与所述氮化物半导体结晶层连续生长。