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公开(公告)号：CN109637957B
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN201910113763.X
申请日：2019-02-14
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/677
Abstract: 本发明公开了一种转印基板、转印设备及发光二极管芯片的转移方法，该转印基板，包括：基板，位于基板一侧的表面上沟槽，以及位于基板与沟槽之间的微流控制电路；沟槽包括用于传输液滴的通道，以及位于通道的任意一侧且与通道连接的容置槽；其中，通道的表面具有疏水层，容置槽的表面具有亲水层；微流控制电路，用于驱动携带有发光二极管芯片的液滴在通道内移动至容置槽处，并控制液滴将发光二极管芯片置于容置槽内。由于微流控制电路可以驱动液滴在通道内移动，以将发光二极管芯片携带至容置槽处，并控制液滴将发光二极管芯片置于容置槽内，以便后续将发光二极管芯片转移到对应的驱动背板上，实现了大量发光二极管芯片的转移。
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公开(公告)号：CN109680052A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201910032354.7
申请日：2019-01-14
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: C12Q1/6869
CPC classification number: C12Q1/6869
Abstract: 本公开提供了一种纳米孔薄膜、基因测序装置及纳米孔薄膜的制备方法，该纳米孔薄膜包括：基板、设置在所述基板的一面上的薄膜本体以及贯穿所述薄膜本体的纳米孔道，其中，所述基板上具有与所述纳米孔道相对应的通孔，所述纳米孔道具有用于容纳单个核酸分子通过且能够改变核酸分子的移动方向以降低核酸分子移动速度的检测部。本公开的纳米孔薄膜，由于纳米孔道中具有仅能容纳单个核酸分子通过的检测部，且该检测部能够通过改变核酸分子的移动方向来降低核酸分子的移动速度，核酸分子通过检测部的速度较慢，能够提高获取到的检测信号的数据量，进而能够提高基因测序的准确度。
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公开(公告)号：CN109192762A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201811037594.8
申请日：2018-09-06
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: H01L27/32
Abstract: 本发明公开了一种显示基板及其制造方法、显示装置，属于显示技术领域。该显示基板可以包括：设置在衬底基板上的多个像素单元；设置在该多个像素单元远离衬底基板一侧的封装层；设置在该封装层远离衬底基板一侧的导电膜层；以及设置在该导电膜层远离衬底基板一侧的保护膜层。由于该显示基板还包括设置在封装层和保护膜层之间的导电膜层。当保护膜层被撕裂时，由于摩擦作用产生的静电释放现象带来的电子可以释放至该导电膜层。避免了在撕裂保护膜层时，电子跃迁至显示基板中晶体管的有源层，导致晶体管的阈值电压发生偏移的问题。本发明提供的显示基板显示亮度均一性较好。
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公开(公告)号：CN109192736A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201811026736.0
申请日：2018-09-04
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、显示装置，属于显示技术领域。其中，薄膜晶体管阵列基板，包括位于衬底基板上、阵列排布的多个薄膜晶体管和覆盖所述薄膜晶体管的平坦层，所述薄膜晶体管的有源层和所述平坦层之间设置有遮光层，所述遮光层覆盖所述薄膜晶体管阵列基板的全部显示区域。本发明的技术方案能够保证薄膜晶体管阵列基板的产品性能。
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公开(公告)号：CN108987411A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201710417593.5
申请日：2017-06-02
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
Abstract: 本发明属于显示技术领域，具体涉及一种阵列基板、阵列基板的制备方法和显示装置。该阵列基板包括依次设置在基板上的第一膜层和第二膜层，所述第二膜层划分为第二膜层去除区和第二膜层保留区，所述第一膜层在对应着所述第二膜层去除区的区域设置有垫高部。本发明中的阵列基板，能有效解决在阵列基板制备工艺中某一层图形在湿法刻蚀过程中，因存在刻蚀液和图形材料在一些封闭空间或两线形成的狭窄间隙内容易出现浸润不够彻底，影响最终的阵列基板的良率的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108921115A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810753170.5
申请日：2018-07-10
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: G06K9/00
Abstract: 本申请公开了一种超声波指纹识别传感器及其制作方法，其中所述传感器包括依次设置的CMOS背板层、缓冲层、PVDF层、ITO发送电极，CMOS背板层包括CMOS结构和ITO接收电极，缓冲层包括SiNx，ITO接收电极间隔地嵌入在缓冲层中，其中，在缓冲层和PVDF层之间还设置隔离层，用于将缓冲层与PVDF部分或完全隔开。根据本申请实施例的技术方案，能够用Array工艺制作的PVDF超声波指纹识别传感器，其具有高分辨率和信噪比，穿透膜厚高的优点，同时降低生产成本。
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公开(公告)号：CN108196431A
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201810002807.7
申请日：2018-01-02
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: G03F7/16
Abstract: 本发明公开一种光刻胶涂覆方法及涂布机，属于显示技术领域。该方法包括：在基板的目标板面上喷涂预设溶剂，在喷涂有预设溶剂的目标板面的中央区域喷涂光刻胶；控制基板按照第一预设速度旋转第一时长，使光刻胶向目标板面的周边区域扩散。本发明有助于解决光刻胶涂覆的难度较大的问题，降低光刻胶涂覆的难度。本发明用于光刻胶涂覆。
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公开(公告)号：CN107170782A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710368041.X
申请日：2017-05-23
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
CPC classification number: H01L27/3248 , H01L27/3246 , H01L27/3272 , H01L51/5218 , H01L51/5271 , H01L51/56 , H01L2227/32 , H01L2227/323 , H01L2251/56 , H01L51/52 , H01L2251/50
Abstract: 本发明提供一种OLED基板及其制备方法、显示装置及其制备方法，属于显示技术领域，其可解决现有的OLED基板的制备方法所导致的薄膜晶体管的特性Vth漂移，影响基板稳定性，以及制备成本高、产能低的问题。本发明的OLED基板的制备方法，包括：通过一次构图工艺，在衬底的上方形成包括OLED器件的第一极和位于所述第一极所在层上方的像素限定层的图形；其中，所述像素限定层包括间隔设置的多个像素挡墙，每一个所述像素挡墙限定一个所述OLED器件的第一极。
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公开(公告)号：CN112974197A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201911304640.0
申请日：2019-12-17
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: B06B1/02
Abstract: 本发明涉及超声换能器技术领域，公开了一种电容式超声换能器的制备方法及电容式超声换能器。其中，电容式超声换能器的制备方法，包括：在衬底基板上依次形成第一牺牲层和第二牺牲层，所述第一牺牲层的致密性小于所述第二牺牲层的致密性；在所述第二牺牲层上形成振膜层，并在所述振膜层中形成过孔；通过所述过孔对所述第一牺牲层和第二牺牲层进行刻蚀以形成空腔结构。上述制备方法，可以在保证电容式超声换能器的制备良率的前提下，大大减小形成电容式超声换能器的空腔结构的时间，从而提高电容式超声换能器的制备效率。
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公开(公告)号：CN111370496A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN202010191972.9
申请日：2020-03-18
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L27/32
Abstract: 公开一种薄膜晶体管及其制作方法、显示装置，薄膜晶体管包括设置在基底上的：第一电极、第二电极、有源层和柔性导电层，其中，所述第一电极和所述第二电极中的一者为源极，另一者为漏极；所述有源层与所述第一电极电连接，所述有源层在所述基底上的正投影位于所述第一电极在所述基底上的正投影范围内；所述柔性导电层位于所述有源层背离所述第一电极的一侧，并将所述有源层和所述第二电极电连接。
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