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公开(公告)号：CN116355457A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310112546.5
申请日：2023-02-14
IPC: C09D11/14 , G01B7/16 , B29C64/106 , B33Y10/00 , B33Y70/10 , B33Y80/00 , C09D11/03 , C09D11/033
Abstract: 本发明公开了基于3D打印的图案化互连柔性应变传感器及其制备方法，制备方法包括以下步骤：首先将聚二甲基硅氧烷和固化剂混合均匀后脱泡作为聚二甲基硅氧烷基底层打印油墨，将其打印为聚二甲基硅氧烷基底后加热固化作为聚二甲基硅氧烷基底层；随后将乙基纤维素、丙酮、松油醇和碳纳米管先后按一定比例加入无水乙醇中并混合均匀，将其作为敏感层打印油墨打印蛇形敏感结构和电极，加热后将其作为敏感层；最后通过导线，连接到信号采集设备将信号引出，所得到的柔性应变传感器的应变工作范围大，敏感层不易失效，具有优异的传感性能。
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公开(公告)号：CN115638720A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202211220292.0
申请日：2022-10-08
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明属于柔性电子与传感器技术领域，公开了一种探针结构柔性触觉传感器及其制备方法，传感器包括柔性传感探针和柔性基底层，柔性传感探针为两段弯折式柔性探针结构，柔性传感探针的底面与柔性基底层的表面相粘合，柔性传感探针的顶部具有磁性条，柔性基底层包括平面电极和柔性衬底，平面电极将柔性传感探针的电信号输出至外电路。本发明传感器通过柔性探针结构和磁性条将触碰、振动、导磁物体的靠近转变为柔性传感探针的形变，并输出电信号。本发明传感器可在接触式和非接触式两种工作模式下工作，具备多功能、低成本、易制备、可穿戴的特点，可满足触觉识别及非接触传感的实际需求。
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公开(公告)号：CN115295676A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210990649.7
申请日：2022-08-18
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L31/18 , C23C16/06 , C23C16/30 , C23C16/52 , H01L31/0224 , H01L31/109
Abstract: 本发明公开了一种高光响应Te/MoS2异质结的光探测器及其制备方法，通过对二维Te和MoS2晶面的准确控制，形成了不同二维Te和MoS2的异质结堆叠方式，实验结果结合第一性原理的仿真计算分析，确定了形成I型和II型能带排列结构的Te/MoS2异质结的制备方法，由于I型能带排列结构的Te/MoS2异质结中光生电子和光生空穴在内建电场的作用下均向能带较窄的二维Te材料转移，使得光生电子‑空穴对的复合几率较II型能带排列结构高得多，降低了光生载流子的寿命，减小了光电流的大小，不利于光探测能力的提升，所以需要选择具有II型能带排列结构的Te/MoS2异质结来制备高光响应度的光探测器。
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公开(公告)号：CN114742808A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210436665.1
申请日：2022-04-25
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种基于LSTM模型的平场预测方法和装置，包括以下步骤：步骤S1：转化为灰度图；步骤S2：模拟得到新图像；步骤S3：利用KLL算法计算得到中心平场图像；步骤S4：利用KLL算法计算得到各边界补偿图像；步骤S5：得到平场数据；步骤S6：将所述平场预测算法数据库构建LSTM预测模型，加载所需预测模型的现有序列数据，得到训练进度图及最终的预测结果。本发明解决了平场很不容易进行在轨校正，对依赖像素间相关性的算法处理影响显著的难题，通过建立LSTM时序预测模型，定期对在轨太阳成像观测仪器进行平场定标，逐渐进行预测，探究其变化规律及趋势，为后续长期校准工作提供参考。
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公开(公告)号：CN114724956A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210343693.9
申请日：2022-03-31
IPC: H01L21/365 , H01L29/24 , H01L29/66 , H01L29/786 , C23C16/30
Abstract: 本发明公开了一种单层二硫化钼的化学气相沉积制备方法及其在薄膜晶体管中的应用；本发明以三氧化钼和硫单质作为反应物，在三氧化钼中加入氢氧化钠，生长得到了质量更好的单层MoS2，晶畴大于100μm，且不局限于一种或者几种衬底材料，在多种单晶和多晶衬底材料上均可稳定生长，本发明还将制备出的单层MoS2应用于薄膜场效应晶体管中，并对薄膜晶体管进行电学测试，获得转移特性曲线，计算出迁移率达121cm2V‑1s‑1，证明该方法制备出的单层MoS2符合半导体器件的应用需求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114121620B
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202111445763.3
申请日：2021-12-01
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种减小接触电阻提高碲烯场效应晶体管性能的方法，包括以下步骤：S1：合成二维碲烯，并转移到基底上，清洗得到含有二维碲烯的基底；S2：将所述含有二维碲烯的基底上旋涂光刻胶，旋涂后烘焙光刻胶，待烘焙完冷却后准备图案化电极图形，得到图形化后的二维碲烯基底；S3：配置氯化钯溶液；S4：将所述图形化后的二维碲烯基底浸渍于氯化钯溶液中，然后清洗，吹干，得到碲烯场效应晶体管半成品；S5：用磁控溅射的方法在碲烯场效应晶体管半成品上生长一层高功函的金属材料，最后用丙酮清洗，得到碲烯场效应晶体管。本发明降低电子跨越的势垒，起到减小接触电阻的效果，提高晶体管的性能。
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公开(公告)号：CN114121620A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111445763.3
申请日：2021-12-01
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种减小接触电阻提高碲烯场效应晶体管性能的方法，包括以下步骤：S1：合成二维碲烯，并转移到基底上，清洗得到含有二维碲烯的基底；S2：将所述含有二维碲烯的基底上旋涂光刻胶，旋涂后烘焙光刻胶，待烘焙完冷却后准备图案化电极图形，得到图形化后的二维碲烯基底；S3：配置氯化钯溶液；S4：将所述图形化后的二维碲烯基底浸渍于氯化钯溶液中，然后清洗，吹干，得到碲烯场效应晶体管半成品；S5：用磁控溅射的方法在碲烯场效应晶体管半成品上生长一层高功函的金属材料，最后用丙酮清洗，得到碲烯场效应晶体管。本发明降低电子跨越的势垒，起到减小接触电阻的效果，提高晶体管的性能。
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公开(公告)号：CN117012812B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202311284518.8
申请日：2023-10-07
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L29/18 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/772 , H01L21/10
Abstract: 本发明公开了一种湿法和干法相结合刻蚀二维碲烯的方法，所述方法包括：提供单晶二维碲烯；将单晶二维碲烯放入次氯酸溶液中浸泡，洗涤、烘干备用，得到第一样品；洗涤第一样品，并将第一样品在Ar气氛围下进行刻蚀。本发明方法首先采用次氯酸溶液对其表面活化，再采用电感耦合等离子体机进行第二步刻蚀。本发明方法得到的原子级厚度二维碲烯表面平整，而且最终对碲烯没有产生结构破坏，该方法简单可控，为碲烯未来的性能提升以及工业化大规模的应用提供了一个新的技术手段。
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公开(公告)号：CN117383520A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311257066.4
申请日：2023-09-27
Applicant: 之江实验室
IPC: C01B19/02 , B82Y40/00 , B82Y30/00 , H01L29/18 , H01L29/772
Abstract: 本发明公开了一种基于二维碲模板法的二维碲硒异质结的合成方法，所述合成方法包括：提供二维碲烯晶体；将二维碲烯晶体溶于水，得到第一溶液；将硒粉溶于水合肼，得到第二溶液；将第一溶液与第二溶液按摩尔比1:1混合，在180℃下反应8‑14小时，得到二维碲硒异质结。本发明利用了硒的原子结构和碲有相似的情况，利用水热法进行外延生长得到二维形貌的碲硒异质结。本发明方法具有低温低压、操作简单、成本低廉和便于工业化的特点。并且该二维碲硒异质结可以大大提高二维碲烯本身的光电探测性能。
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公开(公告)号：CN116984623A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202311250956.2
申请日：2023-09-26
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种基于分段式水热法的二维铋纳米晶体合成方法，所述方法包括：将亚铋酸钠均匀分散到丙三醇溶液，得到浓度为0.025‑0.075 mol/L的第一溶液；将溴代十六烷基三甲胺和聚乙烯吡咯烷酮按照1:0.5‑1:3.5的摩尔比充分溶解在丙三醇溶液中形成第二溶液；将等体积的第一溶液与第二溶液充分混合，得到第三溶液；第一水热阶段：将第三溶液加热至30‑80℃，保温至少5小时；第二水热阶段：再将第三溶液加热至160‑200℃保温20个小时以上，冷却离心分离得到二维铋纳米晶体。
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