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公开(公告)号：CN115903130A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211498280.4
申请日：2022-11-28
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种基于逆向设计的超表面透镜锥型波导及其波前整形方法，该波导包括输入多模波导端，超表面透镜区域，锥形区域以及输出单模波导端。超表面透镜区域和紧凑的锥形区域通过拓扑优化逆向设计，连接在光信号输入端和输出端之间，光信号经过超表面透镜区域聚焦到锥形区域从输出端输出。本发明基于水平集方法对器件进行拓扑优化逆向设计，利用片上超表面透镜实现了短距离的聚焦，大大地缩短了锥形区域的长度，且插损仅不到1db。本发明主要结合超表面透镜的聚焦效应和逆向设计的优化方法，通过对片上集成光的调控，为在芯片上实现波前整形提供了新的方式，进一步迈向更小型化更紧凑的集成光学器件。
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公开(公告)号：CN115159444A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202211045028.8
申请日：2022-08-30
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种无引线的三维异构集成结构及制造方法，该结构包括密封键合部分、垂直通孔部分和异构集成部分，所述密封键合部分是使用与硅通孔填充材料兼容的材料制作的微电子传感器密封环、光波导密封环、微流道密封环，使用与硅通孔键合工艺兼容的工艺条件实现微电子传感器、光波导通路、微流道的密封键合；所述垂直通孔部分包括电学垂直通孔、光学垂直通孔、微流体垂直通孔；所述异构集成部分是在硅晶圆基板上制作带有重布线层和微凸点的电学互连结构、光学互连结构、冷却液流通结构，并通过使用所述硅晶圆基板、气密键合结构和带有垂直通孔部分的硅通孔转接板实现将不同功能的芯片实现晶上异构三维集成，同时具有局部冷却散热的功能。
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公开(公告)号：CN114559651B
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210454656.5
申请日：2022-04-28
Applicant: 之江实验室
IPC: B29C64/112 , B29C64/40 , B29C64/379 , C25D5/02 , C25D7/00 , H02K15/02 , B33Y10/00 , B33Y40/00 , B33Y40/20
Abstract: 本发明公开了一种微静电马达执行器的一体化增材制造方法，采用具有多个打印喷头的三维打印机同时制造微静电马达的转子、转子电极、定子、定子电极、转轴、衬底、转子临时性支撑结构、转轴临时性支撑结构的制造，打印完成后，浸入相应的溶液中选择性地去除转子临时性支撑结构和转轴临时性支撑结构，得到微静音马达执行器，而不损害其他功能性材料结构，以导电材料为种子层可以在表面生长金属层，而不导电材料表面不会生长金属，实现金属层的选择性生长，整个器件在一个打印制造过程中完成，不需要额外的图形化、对准、装配工艺。
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公开(公告)号：CN114899265A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210823413.4
申请日：2022-07-14
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L31/105 , H01L31/0224
Abstract: 本发明公开了一种点状金属接触结构的锗硅探测器，包括SOI衬底层，所述SOI衬底层包括上部的顶层硅，所述顶层硅上设有P型重掺杂有源层、N型重掺杂有源层、非掺杂本征锗层、点状金属接触电极，所述P型重掺杂有源层、非掺杂本征锗层、N型重掺杂有源层形成水平或纵向PIN结构，所述点状金属接触电极分别设置在P型重掺杂有源层和N型重掺杂有源层上，使用点状金属接触结构可以大大减少光模式与金属之间的重叠，从而减少吸收损失，提高锗硅探测器的响应度。
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公开(公告)号：CN114823594A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210738227.0
申请日：2022-06-28
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L23/492 , H01L23/373 , H01L23/498 , H01L21/603
Abstract: 本发明公开了一种基于二维材料界面的混合键合结构及方法，对待键合的芯粒下表面的绝缘层进行凹陷化处理；对待键合的半导体晶圆上表面键合区域的绝缘层进行凹陷化处理，凹陷处设置二维材料层，再将芯粒下表面与半导体晶圆上表面键合，利用二维材料薄层覆盖绝缘层，有效消除绝缘层表面的悬挂键，使键合界面达到原子级平整，有效降低键合的压力和温度，提升键合良率；此外，二维材料键界面可以降低键合界面缺陷密度，减少电迁移的发生，并通过热导率较高的二维材料界面，可以均匀化芯粒向晶圆的散热，从而提高键合的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114823548A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210738281.5
申请日：2022-06-28
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开一种面向光电共封装的LGA封装结构，包括外壳和基板，均呈工字型，所述外壳包括底座和压盖，基板设置在底座上，在工字型的基板的桥接处键合连接有光电三维堆叠芯片，所述压盖设置在基板上方，同时预留出光电三维堆叠芯片垂直方向的空间。本发明的结构将光电三维堆叠芯片与基板连接后，插入LGA封装结构中固定即可，发挥了LGA封装密度大、接口丰富、器件拼装紧凑体积小的特点，避免了引线寄生电感产生的噪声及引脚共面性问题而引起的虚焊和焊接不良的问题，具有可靠性高、集成度高的特点；还可以更换芯片重复使用，节约成本，且解决了光学封装与电学封装难以并存的问题，设计新颖，适用于大规模高密度光电芯片的光电共封装。
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公开(公告)号：CN114603844A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210511928.0
申请日：2022-05-12
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种电子器件的一体化增材制造单片集成方法，使用可以同时装载多种功能材料的多喷头三维打印机一体化制造集成电子器件，打印材料至少包括但不局限于绝缘材料，导电材料，可选择性去除的支撑材料，在一个打印过程中同时使用绝缘材料制造器件的机械结构，用导电材料制造器件的电极及引线互连部，用可选择性去除的牺牲材料制造三维结构的临时支撑结构，一体化制造完成后选择性地去除支撑结构得到完整的器件，同时打印位于同一水平面的相应的垂直导线结构，用来将各电子器件的电极引到底部形成的焊盘，以便将打印完成的集成电子器件以倒装贴片的方式贴在电路板上，对单片集成器件中有低电阻率需求的结构表面进行有选择地生长金属。
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公开(公告)号：CN114559651A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202210454656.5
申请日：2022-04-28
Applicant: 之江实验室
IPC: B29C64/112 , B29C64/40 , B29C64/379 , C25D5/02 , C25D7/00 , H02K15/02 , B33Y10/00 , B33Y40/00 , B33Y40/20
Abstract: 本发明公开了一种微静电马达执行器的一体化增材制造方法，采用具有多个打印喷头的三维打印机同时制造微静电马达的转子、转子电极、定子、定子电极、转轴、衬底、转子临时性支撑结构、转轴临时性支撑结构的制造，打印完成后，浸入相应的溶液中选择性地去除转子临时性支撑结构和转轴临时性支撑结构，得到微静音马达执行器，而不损害其他功能性材料结构，以导电材料为种子层可以在表面生长金属层，而不导电材料表面不会生长金属，实现金属层的选择性生长，整个器件在一个打印制造过程中完成，不需要额外的图形化、对准、装配工艺。
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公开(公告)号：CN113985524B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202111606890.7
申请日：2021-12-27
Applicant: 之江实验室
IPC: G02B6/12
Abstract: 本发明公开了一种基于超材料波导的阵列波导光栅，所述阵列波导光栅包括阵列波导部分、输入平板波导、输出平板波导、输入信道波导、输出信道波导，所述阵列波导部分两端分别与所述输入平板波导和输出平板波导连接，所述输入平板波导末端与所述输入信道波导连接，所述输出平板波导末端与所述输出信道波导连接，所述阵列波导部分包括若干根阵列波导，所述阵列波导为超材料波导，在传统波导的周围周期性地排布亚波长波导得到多层结构，这一结构具有很强的各向异性，这一结构可用作传统波导的包层，使用强各向异性包层包围传统波导，整体形成超材料波导，有效抑制了传统波导的倏逝波及趋肤深度。
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公开(公告)号：CN116130436B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202211566235.8
申请日：2022-12-07
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L23/473 , H01L23/373 , B81C1/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了关于集成多孔微流道散热结构阵列的封装结构及其制备方法，所述封装结构包括晶圆基板，芯片阵列和PCB供电板。晶圆基板为集成了高密度的纳米多孔微流道散热结构阵列和信号传递部分的一体结构。根据不同芯片的功耗，纳米多孔微流道散热结构可设置具有不同通道宽度和孔隙尺寸的微通道，在实现对芯片阵列精准散热的同时，明显减小封装结构的厚度，提高了系统集成度。微流道盖板采用聚二甲基硅氧烷材料，做密封层和应力缓冲层；并且在封装结构制备过程中采用两次临时氮化铝载板键合，可避免大尺寸晶圆基板异质异构集成过程产生的应力积累和基板损坏。
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