-
公开(公告)号：CN105874577B
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201480071099.2
申请日：2014-08-04
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/265 , H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/78
Abstract: 使绝缘栅型半导体装置高耐压化。一种制造在表面电极和背面电极之间进行开关的绝缘栅型半导体装置的方法，具有：向栅极沟槽的底面注入第一第二导电型杂质并使注入的第一第二导电型杂质扩散的工序、以及向外周沟槽的底面注入第二第二导电型杂质并使注入的第二第二导电型杂质扩散的工序。
-
公开(公告)号：CN107004700A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580067401.1
申请日：2015-07-22
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78
Abstract: 半导体装置(1)具备形成有半导体元件的半导体基板(2)和形成于半导体基板(2)之上的绝缘膜(30)。半导体基板(2)具备第一部分(10)和厚度比第一部分(10)薄的第二部分(20)。第二部分(20)的上表面(21)位于比第一部分(10)的上表面(11)靠下方处。在位于第一部分(10)与第二部分(20)相邻的位置的第二部分(20)的上表面(21)形成有在半导体基板(2)的厚度方向上延伸的凹部(50)。绝缘膜(30)从第一部分(10)延伸到第二部分(20)，并填充凹部(50)。
-
公开(公告)号：CN105849909A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201480071046.0
申请日：2014-08-04
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L21/265 , H01L21/266 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7811 , H01L21/047 , H01L21/26586 , H01L29/0623 , H01L29/063 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/1608 , H01L29/408 , H01L29/66068 , H01L29/7813
Abstract: 本发明提供一种能够使耗尽层在外周区域内更加高速地伸展，从而实现较高的耐压的技术。半导体装置具有元件区域和与元件区域邻接的外周区域，所述元件区域具有绝缘栅型开关元件。在外周区域内形成有第一沟槽与第二沟槽。在第一沟槽与第二沟槽之间形成有第二导电型的表面区域。在第一沟槽的底面上形成有第二导电型的第一底面区域。在第二沟槽的底面上形成有第二导电型的第二底面区域。沿着第一沟槽的侧面而形成有对表面区域和第一底面区域进行连接的第二导电型的第一侧面区域。沿着第二沟槽的侧面而形成有对表面区域和第二底面区域进行连接的第二导电型的第二侧面区域。在第一侧面区域以及第二侧面区域的至少一部分中形成有低面密度区域。
-
公开(公告)号：CN101946324B
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN200980104979.4
申请日：2009-02-02
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/739 , H03K17/0812
CPC classification number: H01L29/7397 , H01L29/0834 , H03K17/08128 , H03K17/567 , H03K2217/0036 , H03K2217/0045
Abstract: 提供一种在IGBT元件区与二极管元件区利用具有共同杂质浓度的体区的反向导通半导体元件中，能够调节二极管元件区的空穴或者电子的注入效率的技术。当在利用NPNP型的IGBT的反向导通半导体元件(20)中流有回流电流(110)时，向二极管元件区(24)的第2沟槽栅电极(46)施加高于发射极(32)的电压的第2电压。在第2沟槽栅电极(46)的周围形成有n型的反转层(56)，从而电子(58)流过作为相同的n型杂质区的第1体接触区(35)和漂移区(38)。回流电流(110)中的电子(58)的注入效率增加，而空穴(54)的注入效率降低。由此，能够防止反向恢复电流增大，并能够减少在二极管元件区(24)中所产生的开关损耗。
-
公开(公告)号：CN1950947A
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200580014771.5
申请日：2005-05-12
Applicant: 株式会社丰田中央研究所 , 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/1095 , H01L29/0696 , H01L29/407 , H01L29/7397
Abstract: 能够在IGBT的体区之内形成的悬浮状态下的半导体区域的宽范围之上获得密集累积的空穴载流子。电位悬浮的n型半导体区域(52)形成在p－型体区(28)之内。n型半导体区域(52)通过体区(28)与n+型发射区(32)和n－型漂移区(26)隔离。进而，形成第二电极(62)，以便经由绝缘膜(64)与至少部分的半导体区域(52)相对。第二电极(62)没有与发射区(32)相对。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111180516A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201911081130.1
申请日：2019-11-07
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/739 , H01L29/423
Abstract: 半导体装置具备：半导体基板；覆盖半导体基板的上表面的一部分的绝缘膜；隔着绝缘膜而与半导体基板的上表面对向的栅电极。在半导体基板，通过体层而向上表面延伸的漂移层隔着绝缘膜而与栅电极对向。绝缘膜从半导体基板的上表面通过栅电极与上表面电极之间延伸至栅电极的上表面，在栅电极的上表面划定开口。在通过与栅电极对向的漂移层的对向面并与该对向面垂直的直线的集合即第一区域内，在栅电极的上表面不存在绝缘膜。
-
公开(公告)号：CN107112360A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580061372.8
申请日：2015-08-03
Applicant: 丰田自动车株式会社
Abstract: 半导体装置(1)具备：在表面形成有沟槽(30)的半导体基板(10)；覆盖沟槽(30)的内表面的栅极绝缘膜(51)；及配置在沟槽(30)的内部并通过栅极绝缘膜(51)而与半导体基板(10)绝缘的栅极电极(52)。半导体基板(10)具备：与覆盖沟槽(30)的两侧面的栅极绝缘膜(51)相接的n型的源极区域(11)；形成在源极区域(11)的下方并与覆盖沟槽(30)的两侧面的栅极绝缘膜(51)相接的p型的基极区域(12)；及形成在基极区域(12)的下方并与覆盖沟槽(30)的两侧面(31、32)和底面(40)的栅极绝缘膜(51)相接的n型的漂移区域(15)。沟槽(30)的底面(40)以在短边方向上中心部(43)比周缘部(44)向上突出的方式形成。覆盖周缘部(44)的栅极绝缘膜(51)的厚度比覆盖中心部(43)的栅极绝缘膜(51)的厚度厚。
-
公开(公告)号：CN106133913A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201580015955.7
申请日：2015-02-05
Applicant: 丰田自动车株式会社
CPC classification number: H01L21/76229 , H01L21/761 , H01L29/0619 , H01L29/0623 , H01L29/0696 , H01L29/1608 , H01L29/4236 , H01L29/66068 , H01L29/7811 , H01L29/7813
Abstract: 提供一种能够容易地耗尽外围区的绝缘栅型半导体器件。所述绝缘栅型半导体器件包括：在半导体衬底的正面中形成的第一至第四外围沟槽；绝缘层，其位于所述外围沟槽中；第五半导体区，其具有第二导电类型，并且在暴露于所述外围沟槽的底面的范围内形成；以及连接区，其将暴露于所述第二外围沟槽的底面的所述第五半导体区连接到暴露于所述第三外围沟槽的底面的所述第五半导体区。所述第二与第三外围沟槽之间的间隔比所述第一与第二外围沟槽之间的间隔以及所述第三与第四外围沟槽之间的间隔中的每一者宽。
-
公开(公告)号：CN104465719A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410487147.8
申请日：2014-09-22
Applicant: 丰田自动车株式会社
CPC classification number: H01L29/7811 , H01L29/0619 , H01L29/0623 , H01L29/0653 , H01L29/4236 , H01L29/42368 , H01L29/7397 , H01L29/7813 , H01L29/0603
Abstract: 本发明提供一种半导体装置(10)，其包括半导体基板(11)，所述半导体基板具有元件区域(12)以及终端区域(14)。元件区域包括：第一体区域(36a，38)，其具有第一导电类型；第一漂移区(32)，其具有第二导电类型；以及第一浮动区域(34)，其具有第一导电类型。终端区域包括场限环区域(41)、第二漂移区(32b)以及第二浮动区域(37)。场限环区域具有第一导电类型并围绕元件区域。第二漂移区具有所述第二导电类型，并与场限环区域相接触且围绕场限环区域。所述第二浮动区域具有第一导电类型并被第二漂移区围绕。所述第二浮动区域围绕元件区域。至少一个所述第二浮动区域相对于最接近所述元件区域的一个场限环区域而被置于元件区域侧。
-
公开(公告)号：CN107112360B
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201580061372.8
申请日：2015-08-03
Applicant: 丰田自动车株式会社
Abstract: 半导体装置(1)具备：在表面形成有沟槽(30)的半导体基板(10)；覆盖沟槽(30)的内表面的栅极绝缘膜(51)；及配置在沟槽(30)的内部并通过栅极绝缘膜(51)而与半导体基板(10)绝缘的栅极电极(52)。半导体基板(10)具备：与覆盖沟槽(30)的两侧面的栅极绝缘膜(51)相接的n型的源极区域(11)；形成在源极区域(11)的下方并与覆盖沟槽(30)的两侧面的栅极绝缘膜(51)相接的p型的基极区域(12)；及形成在基极区域(12)的下方并与覆盖沟槽(30)的两侧面(31、32)和底面(40)的栅极绝缘膜(51)相接的n型的漂移区域(15)。沟槽(30)的底面(40)以在短边方向上中心部(43)比周缘部(44)向上突出的方式形成。覆盖周缘部(44)的栅极绝缘膜(51)的厚度比覆盖中心部(43)的栅极绝缘膜(51)的厚度厚。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
66
records
(took 0.078 seconds)
