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公开(公告)号：CN112680604A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011103399.8
申请日：2020-10-15
Applicant: 丰田合成株式会社 , 国立大学法人北海道大学
Abstract: 本发明涉及镓的制造方法、钠的制造方法、氮化镓的制造方法。本发明提供一种能循环再利用Na和Ga的、使用Na助熔剂法的氮化镓的制造方法。从在使用Na助熔剂法来育成GaN结晶结束后残留的Na‑Ga合金中分离并回收Ga。在容器中放入Na‑Ga合金和HTf2N(双(三氟甲烷磺酰)胺)。接下来加热容器，使HTf2N熔解。当HTf2N的熔融液与Na‑Ga合金接触时，HTf2N与Na‑Ga合金发生反应，Na发生溶解，一部分形成NaTf2N，Ga以液体金属的形式分离。接下来，使用在采用Na助熔剂法来育成GaN结晶结束后回收的低纯度Na作为阳极，使用在Ga的分离工序中回收的NaTf2N和另外准备的Tf2N阴离子的非金属盐的混合物作为电解液，通过电解使钠在阴极析出。
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公开(公告)号：CN103668443B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201310359171.9
申请日：2013-08-16
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: C30B19/02 , C30B19/10 , C30B29/38 , H01L21/02 , H01L21/208
CPC classification number: C30B9/12 , C30B9/10 , C30B19/02 , C30B19/06 , C30B19/10 , C30B29/403 , C30B29/406 , C30B29/64 , H01L29/2003 , H01L29/66462 , H01L29/66734 , H01L29/7786 , H01L29/7813 , H01L33/0075 , Y10T428/21
Abstract: 本发明涉及第III族氮化物半导体单晶及其制造方法、自立式衬底和半导体器件。本发明的一个目的是提供一种制造第III族氮化物半导体单晶的方法，该方法使得能够通过具有任意内侧直径的坩埚制造具有平坦表面的第III族氮化物半导体单晶；提供了从第III族氮化物半导体单晶获得的自立式衬底，并提供了使用自立式衬底的半导体器件。制造方法包括添加模板、熔剂和半导体原材料到坩埚中并在旋转条件下生长第III族氮化物半导体单晶。在半导体单晶生长的过程中，具有内侧直径R(mm)的坩埚旋转的最大转速ω(rpm)满足以下条件：ω1-4≤ω≤ω1+4；ω1＝10z；和z＝-0.78×log10(R)+3.1。
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公开(公告)号：CN103668443A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310359171.9
申请日：2013-08-16
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: C30B19/02 , C30B19/10 , C30B29/38 , H01L21/02 , H01L21/208
CPC classification number: C30B9/12 , C30B9/10 , C30B19/02 , C30B19/06 , C30B19/10 , C30B29/403 , C30B29/406 , C30B29/64 , H01L29/2003 , H01L29/66462 , H01L29/66734 , H01L29/7786 , H01L29/7813 , H01L33/0075 , Y10T428/21
Abstract: 本发明涉及第III族氮化物半导体单晶及其制造方法、自立式衬底和半导体器件。本发明的一个目的是提供一种制造第III族氮化物半导体单晶的方法，该方法使得能够通过具有任意内侧直径的坩埚制造具有平坦表面的第III族氮化物半导体单晶；提供了从第III族氮化物半导体单晶获得的自立式衬底，并提供了使用自立式衬底的半导体器件。制造方法包括添加模板、熔剂和半导体原材料到坩埚中并在旋转条件下生长第III族氮化物半导体单晶。在半导体单晶生长的过程中，具有内侧直径R(mm)的坩埚旋转的最大转速ω(rpm)满足以下条件：ω1-4≤ω≤ω1+4；ω1＝10z；和z＝-0.78×log10(R)+3.1。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103125028A
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201180046381.1
申请日：2011-07-12
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/60 , H01L33/38 , H01L33/44 , H01L33/46 , H01L2933/0025
Abstract: [问题]为了在制造在绝缘膜上具有反射膜的第III族氮化物半导体发光器件的过程中提高反射膜的耐热性。[解决方案]制造出样品(A)和样品(B)，样品(A)具有在蓝宝石衬底(1)上顺序形成的由SiO2形成的第一绝缘膜(2)和反射膜(3)，样品B具有在蓝宝石衬底(1)上顺序形成的由SiO2形成的第一绝缘膜(2)、反射膜(3)和由SiO2形成的第二绝缘膜(4)，针对样品(A，B)中的每个样品，在热处理之前和在热处理之后，测量反射膜(3)在450nm的波长下的反射率。在600℃下实施三分钟的热处理。如图所示，使用具有至的Al厚度的Al/Ag/Al、具有的Al厚度的Ag/Al以及具有的Al厚度的Al/Ag/Al/Ag/Al，在热处理之后反射率为95％或更大，并且该反射率等于或大于Ag的反射率。
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公开(公告)号：CN101276872B
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN200810084079.5
申请日：2008-03-26
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/405 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/32
Abstract: 一种形成用于第Ⅲ族氮化物化合物半导体发光器件的电极的方法，该方法包括在第Ⅲ族氮化物化合物半导体层上形成平均厚度小于1nm的第一电极层的步骤，所述第一电极层由对第Ⅲ族氮化物化合物半导体层具有高粘合性或与第Ⅲ族氮化物化合物半导体层具有低接触电阻的材料制成，并且该方法还包括在所述第一电极层上形成由高反射性金属材料制成的第二电极层。
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公开(公告)号：CN101419912B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200810171190.8
申请日：2008-10-22
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L21/20
Abstract: 本发明涉及制造第III族氮化物基化合物半导体的方法。本发明的目的在于从GaN锭块切割的GaN衬底的表面上移除微划痕。本发明涉及一种用于实施GaN衬底的表面处理的方法，包括在含有三甲基镓、氨和氢的气氛中加热表面。优选地，三甲基镓的进料速率为150μmol/min以上，三甲基镓的进料速率与氨的进料速率之比(V/III)为1200～4000，加热温度为1000℃～1250℃。另外，表面处理的温度调节为高于后续形成的GaN生长温度，三甲基镓的进料速率小于生长时的进料速率。衬底上RMS粗糙度等于或小于1.3nm，可以获得台阶状况优异的衬底。
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公开(公告)号：CN101419912A
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200810171190.8
申请日：2008-10-22
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L21/20
Abstract: 本发明涉及制造第III族氮化物基化合物半导体的方法。本发明的目的在于从GaN锭块切割的GaN衬底的表面上移除微划痕。本发明涉及一种用于实施GaN衬底的表面处理的方法，包括在含有三甲基镓、氨和氢的气氛中加热表面。优选地，三甲基镓的进料速率为150μmol/min以上，三甲基镓的进料速率与氨的进料速率之比(V/III)为1200～4000，加热温度为1000℃～1250℃。另外，表面处理的温度调节为高于后续形成的GaN生长温度，三甲基镓的进料速率小于生长时的进料速率。衬底上RMS粗糙度等于或小于1.3nm，可以获得台阶状况优异的衬底。
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公开(公告)号：CN101393958A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200810211537.7
申请日：2008-09-17
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L27/15
Abstract: 本发明涉及第III族氮化物基化合物半导体发光器件。本发明提供了一种不需要外部恒流电路的GaN基半导体发光器件。本发明的发光器件包含：蓝宝石衬底；在衬底上形成的AlN缓冲层；和在缓冲层上形成的HEMT结构，该HEMT结构包含GaN层和Al0.2Ga0.8N层。在Al0.2Ga0.8N层上依次形成n－GaN层、包含InGaN阱层和AlGaN势垒层的MQW发光层以及p－GaN层。在Al0.2Ga0.8N层的露出部分上形成源电极和HEMT/LED连接电极。HEMT/LED连接电极用作相应的漏极和用于将电子注入n－GaN层中的电极。在p－GaN层的顶面上形成ITO透明电极，并且在透明电极的顶面的一部分上形成金衬垫电极。
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