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公开(公告)号：CN101330056B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200710042205.6
申请日：2007-06-19
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L21/265
摘要： 本发明提供一种用于在存储器结构中形成自对准共源极的方法，包括以下步骤：在基底上形成多条字线，其中每条字线的两侧分别为源极区域和漏极区域；在源极区域进行光刻以形成光阻层，其中光阻层覆盖漏极区域和部分字线；对光阻层未覆盖的源极区域进行蚀刻以将所有源极区域连通为共源区域以及通过离子束对共源区域进行离子注入以形成自对准共源极，离子束的入射方向与基底表面的法线相隔一倾斜角。另外，本发明还提供实现以上方法的装置。采用以上技术方案，使得共源区域边界下的侧向搀杂浓度显著增加，从而在源区尺寸持续减小的情况下，共源极的电阻始终能保持大尺寸共源极同样的水平，共源极阻值降低到符合要求的范围。
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公开(公告)号：CN100539080C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200610025646.0
申请日：2006-04-12
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L21/8239 , H01L21/762
CPC分类号： H01L27/115 , H01L21/26513 , H01L21/2652 , H01L21/76224 , H01L27/11521 , H01L29/66545 , H01L29/66825
摘要： 该发明提供了一种用于制造集成电路器件的方法。所述方法包括，在提供的半导体基板上形成覆盖基板的垫氧化物层以及形成覆盖垫氧化物层的氮化硅层。所述方法包括形成通过氮化硅层并延伸到半导体基板内的某一深度的沟槽区。所述方法还包括以氧化物材料填充沟槽区。氧化物材料从沟槽区底部延伸到氮化硅层的上表面。所述方法包括平坦化氧化物材料并选择性地去除氮化硅层以形成隔离结构。然后沉积多晶硅材料以覆盖隔离结构。平坦化多晶硅材料以露出隔离结构的顶部并形成由隔离结构所分隔的左右两个存储单元。
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公开(公告)号：CN101211816A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200610147949.X
申请日：2006-12-25
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/762
摘要： 本发明揭示了一种浅沟槽隔离成形工艺，包括：有源区衬垫氧化及氮化硅沉积；介电抗反射膜沉积；有源区衬垫氧化层、介电抗反射膜以及有源区蚀刻，其中对于有源区的蚀刻为软蚀刻，以在有源区形成坡度；支撑件氧化、沉积及蚀刻；STI蚀刻；沟道内壁隔离层氧化及高密度等离子氧化沉积。采用本发明的技术方案，通过有源区的软蚀刻来形成坡度，使得在进行STI蚀刻成形时能容易地获得均匀的圆形顶角，避免了现有技术中复杂的STI蚀刻步骤以及多次地Liner Oxidation步骤，降低了成本，提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN101154618A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200710126588.5
申请日：2007-06-22
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/762
摘要： 一种形成器件隔离区的方法，首先在硅衬底上依次形成垫氧化层和第一氮化硅层；蚀刻垫氧化层、第一氮化硅层及硅衬底，形成沟槽；在第一氮化硅层上形成绝缘氧化层，并将绝缘氧化层填充满沟槽；在绝缘氧化层上形成第二氮化硅层；研磨第二氮化硅层及绝缘氧化层至第一氮化硅层；去除第一氮化硅层和垫氧化硅层，形成浅沟槽隔离结构。经过上述步骤后，由于在氧化硅层上沉积了一层氮化硅层，在对氧化硅层和氮化硅层进行研磨时，对氮化硅的研磨速度比对氧化硅的研磨速度慢，因此在研磨结束后，浅沟槽内氧化硅凹陷情况得以改善。
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