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公开(公告)号：CN217721145U
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202221917151.X
申请日：2022-07-25
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本专利涉及一种薄膜体声波滤波器气密性晶圆级封装结构，属于薄膜体声波滤波器晶圆封装技术领域；所述封装结构包括功能晶圆和玻璃晶圆，所述功能晶圆与所述玻璃晶圆通过阳极键合连接；所述功能晶圆包括硅衬底，所述硅衬底上开设有空腔，在所述硅衬底上设置有掩埋所述空腔的膜层结构，在所述膜层结构的两肩处形成有向上凸起的焊盘电极；所述玻璃晶圆上开设有凹槽并形成封盖，所述封盖覆盖所述焊盘电极和所述膜层结构，且通过盖沿与功能晶圆连接；在所述封盖的顶盖处开设有盲孔，在所述盲孔内填充有电镀的金属材料，将所述焊盘电极从盲孔引出；本专利采用硅和玻璃进行阳极键合，降低工艺难度，同时节约成本。
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公开(公告)号：CN209478044U
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201920206272.5
申请日：2019-02-18
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所 , 中电科技集团重庆声光电有限公司
IPC分类号： B25B11/00
摘要： 本实用新型提供一种传感器测试夹具，包括位于底座上的三个螺纹进给机构；底座上具有设有集成模块的穿孔，螺纹进给机构包括螺杆、支撑座和滑座，螺杆以螺纹连接的方式穿过支撑座后伸入滑座内，螺纹进给机构包括x向螺纹进给机构、y向螺纹进给机构和z向螺纹进给机构，x向螺纹进给机构的滑座上固定有y向螺纹进给机构的支撑座，y向螺纹进给机构的滑座位于x向螺纹进给机构的滑座上，且x向螺纹进给机构的滑座与y向螺纹进给机构的滑座设置有与穿孔正对的通孔，y向螺纹进给机构的滑座上固定有z向螺纹进给机构的支撑座，所述z向螺纹进给机构的滑座在所述通孔内上下滑动。本实用新型结构简单，且能准确测试不同的气室和集成模块。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN115980181A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211681517.2
申请日：2022-12-27
申请人： 中电科芯片技术(集团)有限公司
IPC分类号： G01N29/02 , G01N29/036 , G01K7/22
摘要： 本发明涉及气体传感器技术领域，具体涉及一种高灵敏度质量传感器模块及其工作方法，模块包括传感模块和控制电路模块，其中传感模块包括用于测量沉积在其表面的气体的声表面波谐振器、用于用户对声表面波谐振器进行降温或者加热的帕尔贴、用于测量声表面波谐振器表面的温度的温度传感器；控制电路模块包括用于以表面波谐振器的频率变化作为输入进行移相操作实现输出信号在谐振点相位为0度的移相器，用于对移相器的输出以及功分器的输出进行增益放大，将移相器放大后作为功分器的输入，将功分器放大后作为表面波谐振器的输入形成闭环的放大器，用于实现闭环控制和谐振频率输出的功分器；本发明实现快速、准确、高精度的测量气体浓度功能。
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公开(公告)号：CN111797963B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202010664230.3
申请日：2020-07-10
申请人： 中电科芯片技术(集团)有限公司
IPC分类号： G06K19/077 , G06K17/00 , G01D21/02
摘要： 本发明涉及一种阻抗型无线无源传感器，属于无线无源传感器技术领域。该传感器包括改进的RFID芯片、敏感头、天线和阅读器；改进的RFID芯片包括电流检测电路、射频前端模块、数字基带模块和存储器模块；电流检测电路包括基准电压源、低摆幅运算放大器、振荡器、分频器和计数器，对接入的阻抗负载的电流变化数据进行运算及处理。本发明传感器可实现RFID与不同阻抗型敏感芯片的灵活匹配组合，从而实现温度、气体浓度等多种外界信息的检测。
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公开(公告)号：CN113817140B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202111128609.3
申请日：2021-09-26
申请人： 中电科芯片技术(集团)有限公司
摘要： 本发明提供了一种树枝状聚合物，以四(4‑乙炔基苯基)甲烷为核心，以苯基对位上含有带保护基的炔基取代基的四苯基环戊二烯酮为扩链剂，重复进行酮基与炔基的反应、以及炔基保护基的水解脱保护，最后以四苯基环戊二烯酮反应封端。本发明获得的聚合物具有大量苯环结构和孔结构，可以用作三过氧化三丙酮的敏感材料。
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公开(公告)号：CN109820485B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN201910226123.X
申请日：2019-03-25
申请人： 中电科芯片技术(集团)有限公司
IPC分类号： A61B5/00
摘要： 本发明属于模具技术领域，具体涉及一种植入级传感器监测探头，用于放置温度传感器和压力传感器；所述监测探头包括外壳；所述外壳的前端设置有呈弧面的收口；所述外壳的后端为管口；所述外壳的中部向内设置有矩形凹槽；在矩形凹槽的底部溅射有金属焊盘；在矩形凹槽与外壳后端管口之间为与外壳相同形状的空腔。本发明采用具有生物相容性的PEEK材料制作探头，在满足常规钛合金外壳功能的同时，极大地降低了探头制作工艺难度，该探头采用开模制作，也极大地降低了生产成本。此外，PEEK材料本身绝缘，降低了传感器封装、使用过程中电极、导线短路的风险，提高了植入部分的电气安全系数。
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公开(公告)号：CN116332119A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202211617340.X
申请日：2022-12-15
申请人： 中电科芯片技术(集团)有限公司
摘要： 本发明涉及MEMS技术领域，具体涉及一种耐高温高压的MEMS压力传感器压敏芯片及其制备方法，包括：基于SOI片顶层硅的压阻效应，利用硅扩散工艺把掺杂元素硼离子注入扩散到SOI的顶层硅内，然后刻蚀形成惠斯通电桥的4个尺寸相同的浮雕式压敏电阻结构及用于电气连接用的高对称引线盘结构，再通过MEMS加工工艺制作出主要包括感压膜敏感结构、真空腔在内的MEMS压敏芯片机械结构，完成压力传感器压敏芯片的制作，SOI压敏芯片的感压膜受压力作用时发生形变，产生内部应力，感压膜表面的4个压阻结构受到应力后因压阻效应分别发生电阻值的改变，并通过惠斯通电桥将受到的压力信号转换为电压信号，从而实现对压力的测量。
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公开(公告)号：CN117288806A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311227314.0
申请日：2023-09-22
申请人： 中电科芯片技术(集团)有限公司
摘要： 本发明属于气体传感器领域，具体涉及一种高灵敏抗振动压电MEMS声敏探测元件阵列及制备方法，包括：两个声敏探测元件和测试器件，两个声敏探测元件均设置在测试器件内；声敏探测元件包括金属上电极、压电薄膜层、金属底电极、微桥式支撑结构、硅衬底以及基底；硅衬底设置在基底上，金属底电极通过微桥式支撑结构设置在硅衬底上，压电薄膜层设置在金属底电极上，金属上电极设置在压电薄膜层上；测试器件包括测试室和参考室，第一声敏探测元件设置在测试室中，第二声敏探测元件设置在参考室中，构成高灵敏抗振动压电MEMS声敏探测元件阵列；本发明提出差分式声敏探测元件阵列结构抑制环境振动噪声，提高探测灵敏度。
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公开(公告)号：CN118424515A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410535885.9
申请日：2024-04-30
申请人： 中电科芯片技术(集团)有限公司
摘要： 本发明属于MEMS压阻式压力传感器技术领域，具体涉及耐高温MEMS压阻式微压敏感芯片结构及其制备方法；所述结构包括由下至上堆叠的基座层、SOI基片和金属层；SOI基片包括衬底层、底硅层、埋氧层和器件层；衬底层包括支撑衬底和空气腔；底硅层、埋氧层和器件层构成梁‑膜耦合型感压膜片，梁‑膜耦合型感压膜片包括中心膜片和连接梁；器件层中设置多个压敏电阻，压敏电阻分布在连接梁的应力集中区内；金属层包括金属焊盘和互联引线，金属焊盘、互联引线与多个压敏电阻连接，并形成惠斯通电桥电路。本发明可有效增加压敏芯片的温度耐受能力，在不增加芯片尺寸的前提下，有效缓解灵敏度与线性度的设计矛盾，适用于微压环境中的压力测量。
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公开(公告)号：CN115790588A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211671286.7
申请日：2022-12-26
申请人： 中电科芯片技术(集团)有限公司
摘要： 本发明涉及传感器技术，具体涉及一种微型化多源信息定位传感器及系统；包括集成基板、外壳和器件组合；器件组合设置在集成基板上表面；外壳覆盖集成基板上表面，并将器件组合包围在集成基板和外壳之间；器件组合包括角速度传感器、加速度传感器、磁传感器、气压传感器、图像传感器和信号处理电路；角速度传感器、加速度传感器、磁传感器、气压传感器、图像传感器分别与信号处理电路连接；所述外壳上设有开孔，在开孔的位置设有光学镜头；同传统的惯性传感器相比，测量精度更高、融合数据种类更多、传感信息更全面、适应环境更丰富。
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