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公开(公告)号:CN111797963B
公开(公告)日:2024-09-17
申请号:CN202010664230.3
申请日:2020-07-10
申请人: 中电科芯片技术(集团)有限公司
IPC分类号: G06K19/077 , G06K17/00 , G01D21/02
摘要: 本发明涉及一种阻抗型无线无源传感器,属于无线无源传感器技术领域。该传感器包括改进的RFID芯片、敏感头、天线和阅读器;改进的RFID芯片包括电流检测电路、射频前端模块、数字基带模块和存储器模块;电流检测电路包括基准电压源、低摆幅运算放大器、振荡器、分频器和计数器,对接入的阻抗负载的电流变化数据进行运算及处理。本发明传感器可实现RFID与不同阻抗型敏感芯片的灵活匹配组合,从而实现温度、气体浓度等多种外界信息的检测。
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公开(公告)号:CN116332119A
公开(公告)日:2023-06-27
申请号:CN202211617340.X
申请日:2022-12-15
申请人: 中电科芯片技术(集团)有限公司
摘要: 本发明涉及MEMS技术领域,具体涉及一种耐高温高压的MEMS压力传感器压敏芯片及其制备方法,包括:基于SOI片顶层硅的压阻效应,利用硅扩散工艺把掺杂元素硼离子注入扩散到SOI的顶层硅内,然后刻蚀形成惠斯通电桥的4个尺寸相同的浮雕式压敏电阻结构及用于电气连接用的高对称引线盘结构,再通过MEMS加工工艺制作出主要包括感压膜敏感结构、真空腔在内的MEMS压敏芯片机械结构,完成压力传感器压敏芯片的制作,SOI压敏芯片的感压膜受压力作用时发生形变,产生内部应力,感压膜表面的4个压阻结构受到应力后因压阻效应分别发生电阻值的改变,并通过惠斯通电桥将受到的压力信号转换为电压信号,从而实现对压力的测量。
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