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公开(公告)号：CN106967979A
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201710255042.3
申请日：2017-04-14
Applicant: 中国计量大学
CPC classification number: C23C28/048 , C01P2002/85 , C01P2004/03 , C23C18/1204 , C23C18/1254 , C23C18/14 , C25D9/04
Abstract: 本发明属于半导体薄膜领域，具体涉及一种磷酸钴改性BiFeO3(BFO)薄膜光电极及其制备方法。本发明提供了一种磷酸钴(Co‑Pi)改性BFO薄膜光电极及其制备方法，其特点在于，通过光辅助电化学沉积法在溶胶凝胶法制备的BFO薄膜表面上沉积负载一层Co‑Pi助催化剂。通过磷酸钴助催化剂改性后，可以有效降低BFO薄膜光电极的反应过电势，提高表面反应活性，在一定程度上解决目前BFO薄膜光电极存在的光生载流子迁移率较差以及载流子复合率高等问题，从而可以大幅提高BFO薄膜光电极的光电化学性能，促进BFO薄膜光电极在光电化学领域的应用。
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公开(公告)号：CN116808984A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202211740254.8
申请日：2022-12-30
Applicant: 中国计量大学
IPC: B01J19/18 , B82Y20/00 , B01J19/00 , B01D11/00 , B01F33/81 , B01F35/22 , B01F35/221 , B01F35/92 , B01D11/04 , C09K11/66
Abstract: 本发明内容属于光电材料制备技术领域，具体涉及一种金属卤化物钙钛矿量子点的制备装置。本发明提供一种金属卤化物钙钛矿量子点的制备装置，其特征在于：包括前驱体I制备室、前驱体II制备室、量子点制备室、萃取室和控制模块；其中，前驱体I制备室和前驱体II制备室分别通过一个三通电磁阀单向连通至量子点制备室；量子点制备室通过三通电磁阀单向连通至萃取室，萃取室由外层冷媒槽来实现萃取过程的快速冷却降温；控制模块由控制面板、电源开关和触控显示屏构成，分别与三个制备室和萃取室进行电连接。本发明装置具有混合效果好、高集成度、制备效率高等优点，有望实现金属卤化物钙钛矿量子点的高效、高产率生产。
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公开(公告)号：CN115148956A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210818642.7
申请日：2022-07-12
Applicant: 中国计量大学
IPC: H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/38 , H01M4/62 , H01M10/0525 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明属于电化学技术领域，具体涉及一种基于亚纳米级碲@分级孔碳纤维的电极及其制备方法。本发明提供了一种负载亚纳米级碲的氮磷共掺杂多孔碳纤维的电极及其制备方法，其特征在于：碳纤维中微米孔的空间限域作用和氮磷共掺杂增强了碲固载及对多碲化物的吸附，抑制了电极在循环过程中的体积变化和多碲化物的穿梭效应。相对无掺杂和单一氮掺杂而言，氮磷共掺杂碳纤维中微米孔的空间限域作用保证了亚纳米级碲的形成，有效提高了碲载量、减缓体积膨胀和多碲化物溶出，使电极展示出高比容量和稳定储钾性能。本发明为高性能硫族元素单质基电极的设计制备及其电化学性能的调控提供了新思路和新途径。
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公开(公告)号：CN114006583A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111437522.4
申请日：2021-11-30
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明涉及太阳能电池测试及应用技术领域，尤其是一种适用于多类型太阳能电池测试及应用的装置。该多功能太阳能电池测试及应用装置包括：基座、固定样品组件、可调节支架组件和可移动探针组件。其中，固定样品组件和可调节支架组件通过螺纹与基座连接，可移动探针组件通过“倒T”型轨道与基座连接。本发明所述的适用于多类型太阳能电池测试及应用装置，具有多功能可调节、应用范围广等优点，不仅可以同时满足不同类型、不同尺寸、不同光入射面太阳能电池的测试需求，而且可以将其应用在光伏辅助催化技术等领域，有效解决传统太阳能电池测试装置仅可满足单一类型太阳能电池测试的问题，极大提高了太阳能电池测试装置的应用范围。
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公开(公告)号：CN109569657B
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN201910006850.5
申请日：2019-01-04
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明属于半导体光催化技术领域，具体涉及一种富含表面硫空位缺陷态结构硫铟锌（ZnIn2S4）光催化剂及其制备方法。本发明提供了一种富含表面硫空位缺陷态结构硫铟锌光催化剂及其制备方法，其特征在于：经过高温高压氢化处理后，硫铟锌光催化剂表面存在大量的硫空位缺陷态结构。相对于未改性硫铟锌光催化剂而言，富含表面硫空位缺陷态结构硫铟锌光催化剂由于在光催化剂表面存在大量的硫空位缺陷态结构，这些表面硫空位缺陷能够形成光生载流子捕获“陷阱”，有效地促进光生电荷的分离并降低光生电子‑空穴对的复合，从而大大地提高了光催化产氢性能。本发明提供的富含表面硫空位缺陷态结构硫铟锌光催化剂及其制备方法，为设计开发新型高效的可见光催化剂提供了新思路和新途径。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110473927B
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201910433678.1
申请日：2019-05-23
Applicant: 中国计量大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/0392 , H01L31/072 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于半导体光电技术领域，具体涉及一种氧化亚铜/硫氰酸亚铜（Cu2O/CuSCN）异质结光电薄膜及其制备方法。本发明提供了一种Cu2O/CuSCN异质结光电薄膜及其制备方法，其特征在于：通过对电化学沉积制备的CuSCN光电薄膜进行一定时间下的碱液浸泡处理，促使CuSCN原位反应生成Cu2O，实现了原位构建Cu2O/CuSCN异质结光电薄膜，在较大程度上解决了CuSCN光电薄膜光生载流子迁移率较低和复合率较高等问题，大大提高了CuSCN光电薄膜的光电化学性能。本发明提供的Cu2O/CuSCN异质结光电薄膜及其制备方法，具有改性手段简单、异质结结构易于调控、改性效果明显和成本低廉等优点。
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公开(公告)号：CN110911509B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201911254550.5
申请日：2019-12-10
Applicant: 中国计量大学
Inventor： 陈达 , 李灵惠 , 梁俊辉 , 其他发明人请求不公开姓名
IPC: H01L31/0336 , H01G9/20 , C25D9/04 , C25D7/12
Abstract: 本发明属于半导体光电技术领域，具体涉及一种硫化铜量子点/硫氰酸亚铜（CuS QDs/CuSCN）异质结光电薄膜及其制备方法。本发明提供了一种CuS QDs/CuSCN异质结光电薄膜及其制备方法，其特征在于：通过电化学沉积过程将CuS量子点负载到CuSCN纳米棒薄膜表面，构建制备获得一种CuS量子点/CuSCN异质结光电薄膜；CuS量子点与CuSCN二者形成的异质结有效地促进了光生电荷的分离并降低光生载流子的复合，大大提高了CuSCN光电薄膜的光电化学性能。本发明提供的CuS QDs/CuSCN异质结光电薄膜及其制备方法，具有改性手段简单、异质结结构易于调控、改性效果明显和成本低廉等优点。
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公开(公告)号：CN109991119A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201910243270.8
申请日：2019-03-28
Applicant: 中国计量大学
IPC: G01N7/00
Abstract: 本发明公开了一种储氢合金活化的检测方法，包括以下步骤：S1、将储氢合金粉末装入反应器，将反应器密封并检查反应器的各个接口是否漏气；S2、对反应器进行加热并抽真空，然后对反应器充氢气并对储氢合金粉末进行活化；S3、采用压力传感器实时检测储氢合金粉末的吸氢膨胀应力变化；S4通过观察储氢合金粉末的吸氢膨胀应力变化判断储氢合金粉末是否完全活化，当储氢合金粉末的吸氢膨胀应力发生变化后趋向稳定时，则判定储氢合金粉末已完全活化并获得完全活化的储氢合金粉末。根据压力传感器示数的变化来判断储氢合金是否完全活化，解决了现有技术需要循环多次抽真空及充氢才能使储氢合金完全活化的不足。
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公开(公告)号：CN109569657A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201910006850.5
申请日：2019-01-04
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明属于半导体光催化技术领域，具体涉及一种富含表面硫空位缺陷态结构硫铟锌（ZnIn2S4）光催化剂及其制备方法。本发明提供了一种富含表面硫空位缺陷态结构硫铟锌光催化剂及其制备方法，其特征在于：经过高温高压氢化处理后，硫铟锌光催化剂表面存在大量的硫空位缺陷态结构。相对于未改性硫铟锌光催化剂而言，富含表面硫空位缺陷态结构硫铟锌光催化剂由于在光催化剂表面存在大量的硫空位缺陷态结构，这些表面硫空位缺陷能够形成光生载流子捕获“陷阱”，有效地促进光生电荷的分离并降低光生电子-空穴对的复合，从而大大地提高了光催化产氢性能。本发明提供的富含表面硫空位缺陷态结构硫铟锌光催化剂及其制备方法，为设计开发新型高效的可见光催化剂提供了新思路和新途径。
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公开(公告)号：CN106939415B
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201710255044.2
申请日：2017-04-14
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明属于半导体薄膜领域，具体涉及一种Au纳米颗粒改性Nd掺杂BiFeO3薄膜光电极及其制备方法。本发明提供了一种Au纳米颗粒改性Nd掺杂BiFeO3(BFO)薄膜光电极及其制备方法，其特点在于，通过光致还原法在溶胶凝胶法制备的Nd掺杂BFO薄膜表面上负载Au纳米颗粒，其中Nd掺杂BFO薄膜是由颗粒尺寸约300～500nm的纳米颗粒堆叠而成，而Au纳米颗粒比较均匀地分布在Nd掺杂BFO薄膜光电极表面。通过Au纳米颗粒修饰和Nd元素掺杂的修饰改性后，能够提高BFO薄膜的光吸收能力、促进光生载流子的迁移和分离效率，大大改善了BFO薄膜光电极的光电化学性能。
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