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公开(公告)号：CN113121234A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110381401.6
申请日：2021-04-09
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: C04B35/547 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/645 , C04B41/87 , H01L35/18 , H01L35/34
Abstract: 本发明提供了一种具有高温稳定性的Mg3Sb2基热电材料及其制备方法，涉及热电材料技术领域。本发明提供的Mg3Sb2基热电材料包括Mg3～3.2Sb1.5Bi0.5‑xTex热电块体材料和沉积在所述Mg3～3.2Sb1.5Bi0.5‑xTex热电块体材料表面的氮化硼涂层；0＜x≤0.06。本发明在Mg3Sb2基热电材料中引入氮化硼涂层，Mg3Sb2基热电材料在氮化硼涂层的保护下热电性能在高温下非常稳定，可以有效抑制高温下的Mg损失，大大提高Mg3Sb2基热电材料的工作温度，并因此保证了其在高温下热电转换效率。本发明提供的Mg3Sb2基热电材料即使在500℃高温下热电性能也非常稳定。
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公开(公告)号：CN111106453A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201911250570.5
申请日：2019-12-09
Applicant: 东部超导科技(苏州)有限公司 , 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明涉及一种第二代高温超导带材的连接方法及超导线，连接方法包括以下步骤：去除保护层：去除第二代高温超导带材的待连接区域的部分区域银层，使剩余银层和裸露出的超导层间隔分布；银层扩散焊：将至少两根经过去除保护层步骤处理的第二代高温超导带材的待连接区域两两搭接形成搭接区域，使彼此的剩余银层重合接触，然后夹住搭接区域，对银层进行扩散焊；超导层熔融扩散焊；以及超导电性恢复。本发明所述方法可以不破坏超导层结构，同时又能提供氧扩散通道，制备的超导接头在液氮温区具备超导特性的同时还具有较高的机械强度，同时剩余银层也可通过电流，使得超导接头还具有一定的失超保护能力。
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公开(公告)号：CN109560439A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811340868.0
申请日：2018-11-12
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明属于超导电工技术领域，具体涉及一种高温超导带接头的制备方法。本发明将超导带材的待焊接区域的铜保护层用硝酸银溶液刻蚀至2-5μm，刻蚀后的区域涂抹焊料并进行焊接，这种方法可以去除铜层表面的氧化层、降低接头处超导层之间的电流路径和增加铜层表面粗糙度，在一定程度上缩短了接头处两个超导层之间的电流路径从而降低接头电阻率，降低了接头相对原始带材在结构上的不对称性，增加了层间的连接强度。使接头同时具备非常好的机械性能和电学性能，本发明制备方法简单，利于规模化应用。
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公开(公告)号：CN110166019B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN201910211047.5
申请日：2019-03-20
Applicant: 中国科学院电工研究所 , 河南科之诚第三代半导体碳基芯片有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于金刚石材料基体的声表面波器件。包括金刚石材料基体、图形化压电材料以及电极；所述金刚石材料基体用于声表面波的传输；所述图形化压电材料设置在所述金刚石材料基体上，所述图形化压电材料用于微波‑声波之间的转换；所述图形化压电材料的厚度为谐振体声波波长的1/2；所述电极设置在所述图形化压电材料上，所述电极用于微波的输入输出；相邻所述电极的极性相反。本发明利用金刚石材料为器件的主要声传播介质，进而实现非常低的器件损耗。
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公开(公告)号：CN116288202B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202310183408.6
申请日：2023-03-01
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明提供了一种Mg3Sb2热电薄膜的制备方法，涉及热电材料技术领域。本发明采用直流和射频的共溅射在衬底上实现了高纯Mg3Sb2热电薄膜的制备。本发明调整磁控溅射过程的衬底温度和溅射功率，制备出了性能优异的Mg3Sb2薄膜，制得的薄膜结晶性很高，界面散射效应明显，相比块体Mg3Sb2材料，制备的Mg3Sb2热电薄膜的功率因数大幅提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111349902B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202010371633.9
申请日：2020-05-06
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明提供了一种化学组成为Mg3.2Bi1.5Sb0.5的热电薄膜及其制备方法，属于热电材料技术领域。本发明通过真空磁控溅射的方式制备热电薄膜，所得热电薄膜具有二维空间结构，热导率低；同时薄膜结构能够形成量子禁闭效应，从而提高材料的功率因子。本发明使用c轴取向的LaAlO3单晶作为真空磁控溅射的基底，其与Mg3.2Bi1.5Sb0.5有非常高的晶格匹配度，能够诱导热电薄膜沿c轴方向择优生长，最终所得热电薄膜载流子迁移率大大增加，其热电性能也大幅增加。本发明通过先球磨、再热压的方式制备Mg3.2Bi1.5Sb0.5合金靶，所得合金靶在磁控溅射过程中不易开裂，沉积的薄膜成分非常均匀。
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公开(公告)号：CN111270214B
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202010223363.7
申请日：2020-03-26
Applicant: 郑州科之诚机床工具有限公司 , 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明提供了一种磁控溅射制备C轴择优取向氮化铝多晶薄膜的方法和氮化铝多晶薄膜，涉及薄膜材料制备技术领域。本发明将半导体材料基片与高纯溅射铝靶相对垂直放置，可大幅提高溅射铝原子团到达基片后平行基片表面迁移运动的能量，有利于氮化铝薄膜C轴择优取向生长，提高薄膜的压电响应及机电耦合系数；本发明在半导体材料基片附近设置热丝，热丝产生的高温辐射对氮化铝薄膜进行快速热处理，能够提高薄膜的结晶程度。因此，本发明提供的方法能够实现较低温度下利用磁控溅射技术生长C轴择优取向氮化铝薄膜，得到的氮化铝薄膜结晶度高，具有较高的压电响应系数及机电耦合系数，能够作为芯片材料在声表面波器件或体声波器件中应用。
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公开(公告)号：CN111524653A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010365211.0
申请日：2020-04-30
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明提供了一种第二代高温超导带材的连接方法及超导线，涉及超导电工领域。本发明的连接方法可以不破坏金属基带，同时又能提供氧扩散通道；最终得到的接头在液氮温区具备超导特性。具体的，本发明通过在超导层刻蚀出条纹状微槽提供大范围的氧扩散通道，缩短超导电性恢复时间；经过超导层熔融扩散可以使搭接的两个超导层界面的部分区域熔融并相互扩散紧密连接为一体，实现超导层之间的连接，使接头具备超导特性，形成超导接头。
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公开(公告)号：CN110166019A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910211047.5
申请日：2019-03-20
Applicant: 中国科学院电工研究所 , 郑州科之诚机床工具有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于金刚石材料基体的声表面波器件。包括金刚石材料基体、图形化压电材料以及电极；所述金刚石材料基体用于声表面波的传输；所述图形化压电材料设置在所述金刚石材料基体上，所述图形化压电材料用于微波-声波之间的转换；所述图形化压电材料的厚度为谐振体声波波长的1/2；所述电极设置在所述图形化压电材料上，所述电极用于微波的输入输出；相邻所述电极的极性相反。本发明利用金刚石材料为器件的主要声传播介质，进而实现非常低的器件损耗。
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公开(公告)号：CN209562521U
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201920352622.9
申请日：2019-03-20
Applicant: 中国科学院电工研究所 , 郑州科之诚机床工具有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种基于金刚石材料基体的声表面波器件。包括金刚石材料基体、图形化压电材料以及电极；所述金刚石材料基体用于声表面波的传输；所述图形化压电材料设置在所述金刚石材料基体上，所述图形化压电材料用于微波-声波之间的转换；所述图形化压电材料的厚度为谐振体声波波长的1/2；所述电极设置在所述图形化压电材料上，所述电极用于微波的输入输出；相邻所述电极的极性相反。本实用新型利用金刚石材料为器件的主要声传播介质，进而实现非常低的器件损耗。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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