-
公开(公告)号：CN110166019B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN201910211047.5
申请日：2019-03-20
Applicant: 中国科学院电工研究所 , 河南科之诚第三代半导体碳基芯片有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于金刚石材料基体的声表面波器件。包括金刚石材料基体、图形化压电材料以及电极；所述金刚石材料基体用于声表面波的传输；所述图形化压电材料设置在所述金刚石材料基体上，所述图形化压电材料用于微波‑声波之间的转换；所述图形化压电材料的厚度为谐振体声波波长的1/2；所述电极设置在所述图形化压电材料上，所述电极用于微波的输入输出；相邻所述电极的极性相反。本发明利用金刚石材料为器件的主要声传播介质，进而实现非常低的器件损耗。
-
公开(公告)号：CN116288202B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202310183408.6
申请日：2023-03-01
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明提供了一种Mg3Sb2热电薄膜的制备方法，涉及热电材料技术领域。本发明采用直流和射频的共溅射在衬底上实现了高纯Mg3Sb2热电薄膜的制备。本发明调整磁控溅射过程的衬底温度和溅射功率，制备出了性能优异的Mg3Sb2薄膜，制得的薄膜结晶性很高，界面散射效应明显，相比块体Mg3Sb2材料，制备的Mg3Sb2热电薄膜的功率因数大幅提高。
-
公开(公告)号：CN117769344A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311807296.3
申请日：2023-12-26
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: H10N10/852 , H10N10/17 , H10N10/01
Abstract: 本发明提供了一种具有纵向成分梯度的N型Mg3Sb2‑xBixTey热电臂及其制备方法、镁基热电器件，属于热电器件技术领域。本发明提供的N型Mg3Sb2‑x‑yBixTey(0＜x≤1.498，0.002≤y≤0.02)热电臂具有纵向成分梯度，不同成分在不同温区具有高性能，且最佳性能对应的温区较窄，通过结构设计，充分利用每种成分的最佳性能，使得热电臂在应用温区对应的宽温度范围内表现出最佳热电性能，从而大幅度提高器件输出性能。
-
公开(公告)号：CN117177648A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311114694.7
申请日：2023-08-31
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: H10N10/853 , H02N11/00 , H10N10/01
Abstract: 本发明提供了一种可穿戴高性能供电器件及制备方法，属于微能源技术领域。本发明涉及到的可穿戴高性能供电器件为三明治结构，由热电器件、相变材料和热界面材料组成，热界面材料贴合在热电器件热端，与皮肤直接接触；相变材料贴合在热电器件冷端，置于周围环境中；热电器件通过人体体温和环境之间的温差，即可进行发电。热电器件中n型材料采用新型Mg3SbBi基热电材料，材料不仅性能高，且成本低。相变材料选用正十八烷为基础成分，通过添加其他成分调控相变温度和导热性能。所制备的供电器件可紧密与皮肤贴合，相变材料可增大并保持人体与环境之间的温差，提高器件输出性能，且具有成本低，环境友好等优点。
-
公开(公告)号：CN111349902B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202010371633.9
申请日：2020-05-06
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明提供了一种化学组成为Mg3.2Bi1.5Sb0.5的热电薄膜及其制备方法，属于热电材料技术领域。本发明通过真空磁控溅射的方式制备热电薄膜，所得热电薄膜具有二维空间结构，热导率低；同时薄膜结构能够形成量子禁闭效应，从而提高材料的功率因子。本发明使用c轴取向的LaAlO3单晶作为真空磁控溅射的基底，其与Mg3.2Bi1.5Sb0.5有非常高的晶格匹配度，能够诱导热电薄膜沿c轴方向择优生长，最终所得热电薄膜载流子迁移率大大增加，其热电性能也大幅增加。本发明通过先球磨、再热压的方式制备Mg3.2Bi1.5Sb0.5合金靶，所得合金靶在磁控溅射过程中不易开裂，沉积的薄膜成分非常均匀。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111270214B
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202010223363.7
申请日：2020-03-26
Applicant: 郑州科之诚机床工具有限公司 , 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明提供了一种磁控溅射制备C轴择优取向氮化铝多晶薄膜的方法和氮化铝多晶薄膜，涉及薄膜材料制备技术领域。本发明将半导体材料基片与高纯溅射铝靶相对垂直放置，可大幅提高溅射铝原子团到达基片后平行基片表面迁移运动的能量，有利于氮化铝薄膜C轴择优取向生长，提高薄膜的压电响应及机电耦合系数；本发明在半导体材料基片附近设置热丝，热丝产生的高温辐射对氮化铝薄膜进行快速热处理，能够提高薄膜的结晶程度。因此，本发明提供的方法能够实现较低温度下利用磁控溅射技术生长C轴择优取向氮化铝薄膜，得到的氮化铝薄膜结晶度高，具有较高的压电响应系数及机电耦合系数，能够作为芯片材料在声表面波器件或体声波器件中应用。
-
公开(公告)号：CN111524653A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010365211.0
申请日：2020-04-30
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明提供了一种第二代高温超导带材的连接方法及超导线，涉及超导电工领域。本发明的连接方法可以不破坏金属基带，同时又能提供氧扩散通道；最终得到的接头在液氮温区具备超导特性。具体的，本发明通过在超导层刻蚀出条纹状微槽提供大范围的氧扩散通道，缩短超导电性恢复时间；经过超导层熔融扩散可以使搭接的两个超导层界面的部分区域熔融并相互扩散紧密连接为一体，实现超导层之间的连接，使接头具备超导特性，形成超导接头。
-
公开(公告)号：CN110166019A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910211047.5
申请日：2019-03-20
Applicant: 中国科学院电工研究所 , 郑州科之诚机床工具有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于金刚石材料基体的声表面波器件。包括金刚石材料基体、图形化压电材料以及电极；所述金刚石材料基体用于声表面波的传输；所述图形化压电材料设置在所述金刚石材料基体上，所述图形化压电材料用于微波-声波之间的转换；所述图形化压电材料的厚度为谐振体声波波长的1/2；所述电极设置在所述图形化压电材料上，所述电极用于微波的输入输出；相邻所述电极的极性相反。本发明利用金刚石材料为器件的主要声传播介质，进而实现非常低的器件损耗。
-
公开(公告)号：CN107142520A
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201710346415.8
申请日：2017-05-17
Applicant: 中国科学院电工研究所
CPC classification number: C30B29/36 , C30B23/002
Abstract: 一种控制碳化硅单晶生长装置，其感应线圈(1)、坩埚(2)、气路系统和升降旋转控制系统均位于真空腔室内。坩埚(2)位于升降旋转控制系统的上托盘(8)和下托盘(10)之间，放置在感应线圈(1)内的中央位置。坩埚(2)外包覆有保温层(4)。感应线圈(1)位于真空腔室中心位置，用以加热坩埚(2)。坩埚(2)内装有碳化硅粉料和籽晶，用于碳化硅晶体生长。气路系统连接在真空腔室侧壁上。通过上、下托盘的移动，控制坩埚与线圈的相对位置；调整坩埚下部和坩埚锅盖的旋转速度和方向，控制碳化硅晶体生长时原料区和晶体生长区的距离；通过原料区和晶体生长区距离的控制，实现晶体生长温度的精确控制。
-
公开(公告)号：CN106399937A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610436198.7
申请日：2016-06-17
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 一种制备择优取向碲化铋热电薄膜的方法，采用磁控溅射法制备碲化铋热电薄膜。首先安装碲化铋(Bi2Te3)合金靶，然后把清洗过的氧化镁(MgO)单晶放在衬底上；调整靶基距至100mm～140mm，抽真空至5x10-4Pa～7.5x10-4Pa；再对氧化镁(MgO)基片加热至350℃～450℃，通入氩气(Ar)，在工作气压为0.3Pa～0.5Pa的条件下开始溅射镀膜；最后对溅射的薄膜在250℃～350℃的退火处理，形成择优取向碲化铋热电薄膜。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
61
records
(took 0.053 seconds)
