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公开(公告)号：CN115224168A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210864222.2
申请日：2022-07-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00 , H01L33/46 , H01L25/075 , A61N5/06
Abstract: 本发明公开了一种基于多色谐振腔发光二极管的生物探针的制备方法，包括：在衬底上键合多个发光波长不同的单色谐振腔发光二极管，形成生物探针前驱体，键合每个单色谐振腔发光二极管包括：在衬底上形成第一键合金属层；在蓝宝石外延片上依次形成第一反射层、第二键合金属层；将蓝宝石外延片倒装，并键合第一键合金属层和第二键合金属层，形成第三键合金属层；刻蚀倒装后的蓝宝石外延片，得到外延层；在外延层上形成绝缘层；在绝缘层上形成N电极和P电极，适用于为外延层施加电压以产生激光；在绝缘层上形成第二反射层，其与第一反射层构成控制激光出光角度的谐振腔；将生物探针前驱体的尖端削尖，得到生物探针；在生物探针的表面形成生物封装层。
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公开(公告)号：CN115105022A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210707834.0
申请日：2022-06-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种生物探针及其制备方法，该生物探针包括衬底；键合金属层，覆盖于衬底上，用于键合衬底和第一金属反射层；第一金属反射层，覆盖于键合金属层上，用于作为底部反射镜，使光从正面射出；外延层，设置于第一金属反射层上，用于形成发光区；第二金属反射层，覆盖第一金属反射层以及外延层的边缘，用于限定探针的有效区域和第一电极区域，以及限制外延层侧壁，使光从外延层正面射出；电极层，形成于有效区域内，覆盖外延层的边缘并与外延层接触；光学调控层，通过覆盖电极层来限定电极层的第二电极区域，通过覆盖外延层形成光子晶体；其中，光学调控层和第二金属反射层包括由不同介电系数材料周期排列形成的层状结构。
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公开(公告)号：CN114759002A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210352949.2
申请日：2022-04-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种半导体芯片，包括：基层芯片，以及电极层，设置在所述基层芯片上，其中，所述电极层形成多个孔；其中，所述电极层的熔点小于300℃，并且由锡、铟合金材料和锡合金材料中的一种制成。
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公开(公告)号：CN102969413B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201210548464.7
申请日：2012-12-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种激光诱导空气隙发光二极管的制作方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底，采用激光器在距衬底上表面30um的内部形成规则网状空气隙；步骤2：在衬底上采用MOCVD方法依次生长成核层、N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层；步骤3：采用光刻的方法，在ITO层上的一侧向下刻蚀，刻蚀深度到达N型掺杂层内，形成台面；步骤4：在ITO层上未刻蚀的一侧上制备P型电极；步骤5：在台面上制备N型电极。
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公开(公告)号：CN103091981B
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201310009072.8
申请日：2013-01-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G03F7/00 , G03F7/16 , H01L21/027
Abstract: 本发明公开了一种利用自组装小球在透明衬底上制作用于光刻版的金属网格模板的方法，包括如下步骤：选择表面平整的透明材料作为透明衬底；在透明衬底上铺上单层自组装密排小球；将单层自组装密排小球刻蚀拉开，形成非密排小球；在非密排小球层上覆盖金属层，其中非密排小球上面也覆盖了一定厚度的金属层，形成球上金属层，非密排小球间隙处是金属网格层；去除非密排小球和球上金属层，留下金属网格层；制备成带有金属网格层的透明衬底模板。本发明可以实现工艺步骤简单、成本低廉、可靠性高的技术效果，从而可以克服自然光刻长期存在的重复铺设自然掩蔽层的不方便的难题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102969413A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210548464.7
申请日：2012-12-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种激光诱导空气隙发光二极管的制作方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底，采用激光器在距衬底上表面30um的内部形成规则网状空气隙；步骤2：在衬底上采用MOCVD方法依次生长成核层、N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层；步骤3：采用光刻的方法，在ITO层上的一侧向下刻蚀，刻蚀深度到达N型掺杂层内，形成台面；步骤4：在ITO层上未刻蚀的一侧上制备P型电极；步骤5：在台面上制备N型电极。
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公开(公告)号：CN102903805A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210405495.7
申请日：2012-10-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种制作倒装高电压交直流发光二极管的方法，包括如下步骤：步骤1：在一上衬底上依次生长成核层、N型掺杂层、发光层和P型掺杂层；步骤2：在P型掺杂层的表面向下刻蚀，刻蚀深度到达上衬底的表面，形成相互绝缘的发光单元；步骤3：在P型掺杂层的表面向下刻蚀，刻蚀深度到达N型掺杂层内，形成台面；步骤4：在每一P型掺杂层上制作P电极；步骤5：在N型掺杂层的台面上制备N电极，形成LED芯片；步骤6：在一下衬底上生长一层绝缘层；步骤7：在绝缘层上制作金属层，形成倒装基板；步骤8：将LED芯片通过共晶键合的方法倒装在倒装基板上，所述LED芯片上的每一发光单元中的P电极与相邻发光单元中的N电极或P电极通过金属层电连接，完成制备。
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公开(公告)号：CN102751408A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201210217242.7
申请日：2012-06-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种应用石墨烯薄膜作为载流子注入层的发光二极管，包括：一衬底；一载流子注入层，其制作在衬底上；一发光层，其制作在载流子注入层上面的一侧，宽度小于载流子注入层的宽度，使载流子注入层形成一台面；一石墨烯薄膜，其制作在发光层上；一下金属电极，其制作于载流子注入层的台面上；一上金属电极，其制作于石墨烯薄膜上。本发明是通过使用石墨烯薄膜作为载流子注入层的方法，提高空穴注入，减小电子注入层厚度，降低成本。
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公开(公告)号：CN102751407A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201210217051.0
申请日：2012-06-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种应用石墨烯薄膜作为载流子注入层的垂直结构发光二极管，包括：一衬底；一下金属电极，其制作于衬底上；一载流子注入层，其形成于金属电极上；一发光层，其制作在载流子注入层上；一石墨烯薄膜，其制作在发光层上；一上金属电极，其制作于石墨烯薄膜上。本发明是通过使用石墨烯薄膜作为新型载流子注入层的方法，提高空穴注入，减小电子注入层厚度，降低成本。
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公开(公告)号：CN102709411A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210181322.1
申请日：2012-06-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种基于湿法剥离垂直结构发光二极管的制作方法，包括：在衬底上依次制作二氧化硅掩蔽层和紧密排列的自组装PS球；刻蚀、加热、蒸镀金属层；去除自组装PS球表面的金属层，形成网孔状金属层；加热使自组装PS球气化形成纳米网孔状金属层；刻蚀网孔状金属层形成二氧化硅纳米网孔阵列；用酸液腐蚀掉纳米网孔状金属层；在二氧化硅纳米网孔阵列上依次外延u-GaN层、n-GaN层、多量子阱结构、电子阻挡层和p-GaN层；将衬底磨抛减薄；在p-GaN层上依次制作金属反射镜、金属支撑衬底；在衬底激光划出沟槽；涂一层光刻胶保护层；超声去掉二氧化硅纳米网孔阵列形成空气桥；放于高温浓硫酸和磷酸混合溶液中或KOH溶液中腐蚀，使衬底与u-GaN层剥离，形成垂直结构LED管芯，形成光子晶体表面。
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