将氮化镓基发光二极管的外延结构表面粗化的方法

    公开(公告)号:CN102544289B

    公开(公告)日:2013-12-18

    申请号:CN201210056638.8

    申请日:2012-03-06

    Abstract: 一种将氮化镓基发光二极管的外延结构表面粗化的方法,包括以下步骤:步骤1:取一外延结构;步骤2:配制一预定比例的混合溶液,将外延结构表面浸入混合溶液中,随即捞出;步骤3:烘干,从而在外延结构的表面形成规则排列的由混合溶液析出的颗粒掩膜;步骤4:以所述的颗粒掩膜作为掩膜,对外延结构表面进行刻蚀,使得外延结构表面粗糙化;步骤5:清洗去掉外延结构上的掩膜,完成粗化方法的制备。本发明的方法是与后工艺相互配合,可以提高发光二极管芯片的提取效率。该方法还具有制作工艺简单、成本极低,而且比较环保等优点。

    柔性发光器件阵列及其制作方法

    公开(公告)号:CN104676320B

    公开(公告)日:2017-02-01

    申请号:CN201510016315.X

    申请日:2015-01-13

    Abstract: 一种柔性发光器件阵列及其制作方法,其中柔性发光器件阵列,其包括:一位于同一衬底上的多个发光器件单元和柔性支撑衬底,其特征在于,所述柔性支撑衬底具有中腔体体,所述腔体中填充有液体,用于散热;在所述柔性支撑衬底的表面形成柔性导电的焊盘和互连线;所述多个发光器件单元通过第一电极和第二电极与柔性支撑衬底上的焊盘电连接,相邻发光器件单元之间通过所述互连线串联或并联,且去除衬底。本发明具有尺寸小,可靠性高,便携,并可用于生物和医学的治疗和检测,甚至可以植入人体或动植物体内的优点。

    将氮化镓基发光二极管的外延结构表面粗化的方法

    公开(公告)号:CN102544289A

    公开(公告)日:2012-07-04

    申请号:CN201210056638.8

    申请日:2012-03-06

    Abstract: 一种将氮化镓基发光二极管的外延结构表面粗化的方法,包括以下步骤:步骤1:取一外延结构;步骤2:配制一预定比例的混合溶液,将外延结构表面浸入混合溶液中,随即捞出;步骤3:烘干,从而在外延结构的表面形成规则排列的由混合溶液析出的颗粒掩膜;步骤4:以所述的颗粒掩膜作为掩膜,对外延结构表面进行刻蚀,使得外延结构表面粗糙化;步骤5:清洗去掉外延结构上的掩膜,完成粗化方法的制备。本发明的方法是与后工艺相互配合,可以提高发光二极管芯片的提取效率。该方法还具有制作工艺简单、成本极低,而且比较环保等优点。

    高功率因数的LED驱动电路

    公开(公告)号:CN103281840B

    公开(公告)日:2016-02-17

    申请号:CN201310229330.3

    申请日:2013-06-09

    Abstract: 一种高功率因数的LED驱动电路,包括:一交流电源;一整流桥,其输入端与交流电源连接,输出端接地;一恒流源,其一端与整流桥的另一输出端连接;至少两个以上的LED组的LED串,其LED组为串联、并联或串并联,该LED串为串联,该LED串的正极与恒流源的另一端连接;一串联的反馈电阻串,其一端与LED串的负极连接,另一端接地;多个n沟道耗尽型半导体器件,每一n沟道耗尽型半导体器件的D端与相对应的两LED组之间连接,S端与LED串的负极连接,G端与反馈电阻串中的相对应的反馈电阻连接。

    柔性发光器件阵列及其制作方法

    公开(公告)号:CN104676320A

    公开(公告)日:2015-06-03

    申请号:CN201510016315.X

    申请日:2015-01-13

    CPC classification number: F21V19/001 F21V23/06

    Abstract: 一种柔性发光器件阵列及其制作方法,其中柔性发光器件阵列,其包括:一位于同一衬底上的多个发光器件单元和柔性支撑衬底,其特征在于,所述柔性支撑衬底具有中腔体体,所述腔体中填充有液体,用于散热;在所述柔性支撑衬底的表面形成柔性导电的焊盘和互连线;所述多个发光器件单元通过第一电极和第二电极与柔性支撑衬底上的焊盘电连接,相邻发光器件单元之间通过所述互连线串联或并联,且去除衬底。本发明具有尺寸小,可靠性高,便携,并可用于生物和医学的治疗和检测,甚至可以植入人体或动植物体内的优点。

    一种交流发光二极管
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103367386A

    公开(公告)日:2013-10-23

    申请号:CN201310287949.X

    申请日:2013-07-10

    Abstract: 本发明公开了一种交流发光二极管,包括:一绝缘衬底;至少一发光二极管组,其具有至少六个发光二极管单元,该发光二极管单元彼此绝缘分离设置于该绝缘衬底上;所述发光二极管单元分为五组,其中四组作为四条整流分支,另外一组作为输出分支,所述输出分支中包括至少两路并联的发光二极管支路;一钝化层,其设置于所述发光二极管单元的侧面和发光二极管单元之间的绝缘衬底上;一金属层,其形成于发光二极管单元和部分钝化层上,所述的金属层使各相邻的发光二极管单元之间形成串联或并联形式的电连接。利用本发明,提高了有源区的面积利用率,改善了电流扩展,提高了提取效率,有效地提高了交流LED芯片的发光效率,降低了交流LED芯片的成本。

    高功率因数的LED驱动电路

    公开(公告)号:CN103281840A

    公开(公告)日:2013-09-04

    申请号:CN201310229330.3

    申请日:2013-06-09

    Abstract: 一种高功率因数的LED驱动电路,包括:一交流电源;一整流桥,其输入端与交流电源连接,输出端接地;一恒流源,其一端与整流桥的另一输出端连接;至少两个以上的LED组的LED串,其LED组为串联、并联或串并联,该LED串为串联,该LED串的正极与恒流源的另一端连接;一串联的反馈电阻串,其一端与LED串的负极连接,另一端接地;多个n沟道耗尽型半导体器件,每一n沟道耗尽型半导体器件的D端与相对应的两LED组之间连接,S端与LED串的负极连接,G端与反馈电阻串中的相对应的反馈电阻连接。

    侧面粗化的倒装发光二极管及其制作方法

    公开(公告)号:CN102903815A

    公开(公告)日:2013-01-30

    申请号:CN201210380553.5

    申请日:2012-10-09

    Abstract: 一种侧面粗化的倒装发光二极管及其制作方法,其中侧面粗化的倒装发光二极管,包括:一上衬底和依次在上衬底上生长的成核层和电子注入层,该电子注入层的一侧形成一台面;一发光层生长在电子注入层上;一空穴注入层生长在发光层上;一P电极制作在空穴注入层上;一N电极制作在电子注入层的台面上,形成LED芯片;一下衬底;一绝缘层生长在下衬底上;一P线电极制作在绝缘层上面的一侧;一N线电极制作在绝缘层上面的另一侧,形成倒装基板;该LED芯片的P电极与倒装基板的P线电极通过金属焊球连接;该LED芯片的N电极与倒装基板的N线电极通过金属焊球连接。可以大大提高出光效率,使得发光二极管外量子效率提升,特别适合大尺寸功率型晶粒的制作。

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