-
公开(公告)号：CN102709410A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210180419.0
申请日：2012-06-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种纳米柱发光二极管的制作方法，包括：在蓝宝石衬底上依次外延u-GaN层、n型GaN层、二氧化硅掩蔽层和聚苯乙烯球；采用加热和ICP的方法，刻蚀聚苯乙烯球；采用加温处理，使聚苯乙烯球在二氧化硅掩蔽层的表面有稍微塌陷，把点接触变成面接触；在其上蒸金属；去除聚苯乙烯球表面的金属；采用加热处理和刻蚀二氧化硅掩蔽层；酸液腐蚀去掉金属掩膜，形成二氧化硅纳米孔状阵列结构；在其上依次外延MQW层、EBL层和p-GaN层，形成基片，在基片上生长ITO透明电极；分割成小芯片，将小芯片置于BOE溶液中超声时间为80s，使二氧化硅纳米孔状阵列结构的二氧化硅掩蔽层被腐蚀掉后，被空气包覆，完成器件的制备。该方法使用自组装技术，工艺简单，技术先进，有利于大规模生产。
-
公开(公告)号：CN101205627A
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200610165541.5
申请日：2006-12-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C30B25/00
Abstract: 一种制备氮化物单晶衬底的氢化物气相外延装置，包括：一外延生长室，为竖直设置；外延生长室上、下端面装有底盘进行密封；一衬底装置设于外延生长室内上方，衬底放置方式为面朝下；衬底装置在生长室外部接有调速马达，以控制衬底装置的转速；一金属反应源放置器，位于外延生长室内衬底装置下方或反应炉之外；反应气体管道通过生长室下端面的底盘进入外延生长室，载气通过反应气体管道进入外延生长室，携带反应气体向上流动到衬底上进行反应生长氮化物单晶衬底；一副产物收集装置，与外延生长室出气口连接，收集反应副产物，以防止反应气体管道路堵塞；一加热装置环绕于外延生长室外圆周；一自动控制系统进行控制。
-
公开(公告)号：CN117038812A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311212675.8
申请日：2023-09-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种微型发光二极管及其制作方法，该微型发光二极管包括：衬底；缓冲层，形成在衬底上；n型层，形成在缓冲层上；有源层，有源层在n型层上形成第二台面；p型层，p型层在有源层上形成第一台面；n型电极和p型电极，n型电极形成在n型层上，p型电极形成在p型层上；绝缘层，形成在n型层、有源层和p型层上，n型电极和p型电极上开设有电极窗口；其中，第一台面的宽度小于第二台面的宽度，以调控有源层内的载流子的输运路径，使载流子远离有源层的侧壁。本发明提供的微型发光二极管能够有效抑制刻蚀损伤带来的辐射复合效率下降，进而可以提高器件的辐射复合效率。
-
公开(公告)号：CN111341893B
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202010145389.4
申请日：2020-03-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种AlGaN基二极管，包括：在衬底上依次外延生长的AlN层、有源层与P型层，其中，所述P型层的边缘区域经向下刻蚀直至AlN层内，形成第一台面，所述第一台面上外延生长有N型层。通过本公开提供的AlGaN基二极管，可以降低器件制备的难度。
-
公开(公告)号：CN108682723A
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201810498089.7
申请日：2018-05-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种制备氮化镓基纳米环结构的方法，包括：在GaN外延片上旋涂一层聚合物，进行第一次纳米压印；压印结束后移去第一块纳米压印模板，使聚合物呈现与第一块纳米压印模板互补的图形；去除图形凹槽底部的聚合物；将聚合物图形转移到GaN外延片上，并对GaN外延片进行清洗，去掉聚合物；在GaN外延片上再次旋涂聚合物，将第二块纳米压印模板压在第二次旋涂的聚合物上面，进行第二次纳米压印，形成图形；进行脱模和等离子体轰击；在GaN外延片上图形的表面蒸镀一层ITO或金属作为掩膜，采用剥离的方法去掉GaN外延片表面的聚合物；刻蚀，得到纳米环结构；湿法腐蚀去掉ITO或者金属和聚合物，完成纳米环结构的制备。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106773073A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710017047.2
申请日：2017-01-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02B27/09
CPC classification number: G02B27/0922 , G02B27/0938
Abstract: 一种三基色激光器实现均光照明的系统，包括：一绿光、一红光和一蓝光半导体激光器，所述三种半导体激光器的前端分别放置第一、第二和第三准直透镜；一长波截止滤波片，其位于绿光半导体激光器的输出光路上，与绿光半导体激光器的输出光路形成一夹角；一短波截止滤波片，其位于绿光半导体激光器的输出光路上，并与绿光半导体激光器的输出光路形成一夹角；一中性密度滤波片，其位于蓝光半导体激光器的输出光路上；一第一微透镜阵列和一第二微透镜阵列，分别依次位于绿光半导体激光器的输出光路上，且位于短波截止滤波片之后；一会聚透镜，其位于第二微透镜阵列之后，并位于绿光半导体激光器的输出光路上。
-
公开(公告)号：CN105957801A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610373179.4
申请日：2016-05-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02428
Abstract: 本发明提供了一种氮化镓纳米锥和氮化镓纳米柱混合阵列的制作方法，方法首先在一衬底上依次沉积氮化镓层、掩模层和光刻胶层，然后在光刻胶层上排列一层紧密排列的聚苯乙烯小球，并以聚苯乙烯小球为透镜，对光刻胶层进行曝光并显影，以在光刻胶层形成圆形孔洞阵列，接着采用刻蚀工艺将光刻胶层的图形转移到氧化硅层上，刻蚀直到暴露出下方氮化镓层，以在掩模层形成圆形孔洞阵列，最后在掩模层的圆形孔洞阵列中生长氮化镓纳米柱和和氮化镓纳米锥混合阵列。本发明能大规模生产出氮化镓纳米锥和氮化镓纳米柱混合阵列，并且氮化镓纳米锥和氮化镓纳米柱的尺寸可控。
-
公开(公告)号：CN103137807A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201310057253.8
申请日：2013-02-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种具有应力释放层的绿光LED外延结构及制作方法，其中该LED外延结构，包括：一衬底；一成核层，其制作在衬底上；一缓冲层，其制作在成核层上；一n型接触层，其制作在缓冲层上；一多量子阱有源区，其制作在n型接触层上面的一侧，另一侧形成一台面；一应力释放层，其制作在多量子阱有源区上；一电子阻挡层，其制作在应力释放层上；一p型层，其制作在电子阻挡层上；一正电极，其制作在p型层上；一负电极，其制作在接触层一侧的台面上。本发明可以解决白光固态照明中用绿光光激射RGB荧光粉产生白光这一方法中绿光LED输出功率低的问题。
-
公开(公告)号：CN102409406A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201110332793.3
申请日：2011-10-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种低位错氮化镓的生长方法，包括如下步骤：步骤1：取一基板，该基板包括一衬底和制作在其上的氮化镓模板；步骤2：用腐蚀液腐蚀氮化镓模板的表面，在氮化镓模板的表面形成六角微坑；步骤3：在具有六角微坑的氮化镓模板的表面涂覆二氧化硅凝胶，将六角微坑覆盖，用甩胶机进行甩胶处理；步骤4：采用高温烧结使氮化镓模板上的二氧化硅凝胶固化；步骤5：用NaOH溶液处理，除去氮化镓模板11上微坑以外的二氧化硅凝胶；步骤6：再采用高温烧结，使六角微坑内的二氧化硅凝胶变成晶体；步骤7：在处理后的氮化镓模板上外延氮化镓材料，完成低位错氮化镓的生长。
-
公开(公告)号：CN102351236A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201110185833.6
申请日：2011-07-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种Fe掺杂CuO纳米稀磁半导体材料的制备方法，包括如下步骤：步骤1：将CuSO4和FeSO4分别按比例混合后，再与过量的NaOH充分混合，形成混合物；步骤2：将混合物在玛瑙研钵中进行研磨，使混合物充分接触并发生化学反应，不断研磨直至反应体系的颜色完全转变为黑色，固相反应不再进行，形成反应产物；步骤3：将得到的反应产物用去离子水多次清洗，过滤出不溶于水的反应产物；步骤4：将过滤出的不溶于水的反应产物在干燥箱中烘干后研磨，得到前驱体粉末；步骤5：将前驱体粉末置于石英舟中，放入管式反应炉的中部，在Ar气氛下退火，得到黑色的纳米粉末，完成Fe掺杂CuO纳米稀磁半导体材料的制备。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
47
records
(took 0.032 seconds)
