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公开(公告)号：CN101251422A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200810035499.4
申请日：2008-04-02
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01J5/10
Abstract: 本发明公开了一种紫外辐射电学定标热释电探测器，包括：悬空封装在金属管壳内的芯片，该芯片由热释电晶片，在整个热释电晶片的上表面依次沉积金属上电极层、聚酰亚胺绝缘屏蔽层、既能吸收紫外辐射又能通过导电加热的多壁碳纳米管薄膜，在热释电晶片的下表面沉积有信号电极层组成。本发明的最大优点为采用多壁碳纳米管作为紫外导电吸收膜，与目前已有专利中采用金黑导电吸收膜相比，更能高效吸收紫外辐射，具有更好的导热性能，增强光电等效性，减小定标误差，而且多壁碳纳米管薄膜性能稳定。采用聚酰亚胺作为绝缘屏蔽层，能与微电子工艺兼容，薄膜的厚度和均匀性能准确控制，而且具有良好的热稳定性。
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公开(公告)号：CN118248706A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410346963.0
申请日：2024-03-26
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种增加红外焦平面电学连通率的电极结构及其制备方法。该方法依据光敏芯片与读出电路倒焊互连时的偏移规律，设计并制备光敏芯片矩形电极结构；在倒焊互连过程中，增加读出电路铟柱与光敏芯片矩形电极和铟柱的接触面积，在倒焊偏移存在的情况下，提高了光敏芯片与读出电路耦合互连的电学连通率。本发明不受阵列规模和像元尺寸限制，尤其适用于对倒焊偏差容忍度低的高密度小像元焦平面阵列，有效降低红外焦平面探测器盲元率。
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公开(公告)号：CN110896114B
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN201911093674.X
申请日：2019-11-11
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/105 , H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种PIIN型高In组分InGaAs探测器材料结构和制备方法，所述探测材料结构由下往上依次为InP(001)衬底、n型InxAl1‑xAs缓冲层、i型InyGa1‑yAs吸收层、i型InzAl1‑zAs插入层和p型InzAl1‑zAs帽层。其中，所述的InzAl1‑zAs插入层的厚度为40nm～200nm，其掺杂浓度为2x1014cm‑3～1x1015cm‑3。制备方法为依次分子束外延生长即可。本发明的优势在于，InGaAs探测材料结构中增加的i型插入层能够有效实现对PN结结位置的控制，从而实现器件暗电流的降低。
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公开(公告)号：CN110488134A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910618856.8
申请日：2019-07-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01R31/02
Abstract: 本发明公开了一种用于焦平面器件倒焊工艺的快速验证评估芯片和方法。本发明采用原有芯片工艺，同步制作与实际光电探测芯片和读出电路芯片的互连电极及机械特性充分相似的两种快速验证芯片，对其进行倒焊操作，再通过简单的测试快速评估倒焊效果、优化倒焊参数及预期成品率等；本方法中两种快速验证芯片的互连电极的抽样方式根据各种焦平面器件的特点和实际互连要求设定，抽样率根据测试分析要求设定；对不同形状的器件，互连电极可按角、边、中部或行与列的方式进行抽样，或混合抽样；对每类抽样设定相应的互连方式和测试电极，从而获得连通和短路特性两种测试效果；本方法不受阵列规模和像元尺寸限制，可以方便地推广应用于各种焦平面器件。
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公开(公告)号：CN110444607A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910618698.6
申请日：2019-07-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/02 , H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/105 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种带有应力平衡层的大规模铟镓砷焦平面探测器及制备方法，所述的大规模铟镓砷焦平面探测器在半绝缘InP衬底的背面有应力平衡层。探测器制备的具体步骤如下：1)淀积氮化硅刻蚀掩膜，2)台面刻蚀，3)开N槽，4)生长P电极，5)快速热退火，6)淀积氮化硅钝化膜，7)开P、N电极孔，8)生长加厚电极，9)生长应力平衡层，10)金属化并生长铟柱，11)铟柱剥离并划片。本发明的优点在于：大面阵焦平面探测器平面度好，铟柱形貌更均一，器件耦合连通率高，制备工艺更简单，器件成品率高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108489609B
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201810089435.6
申请日：2018-01-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种FTIR测量光电探测器响应的宽谱校正方法，本方法以作为FTIR光谱仪标准配置的具有宽光谱范围平坦响应的热释电探测器为基础，得到该探测器及放大电路对选定光源和分束器组合在不同扫描速度下的响应，提取相关数据并拟合出该探测器及放大电路的频率响应特性。利用此频率响应特性对特定光源和分束器组合的原始输出特性进行校正，即得到其实际的输出特性。以此校正后的实际输出特性作为背景光谱，即可对测量所得的光电探测器原始响应光谱进行参比操作，得到校正后的光电探测器实际响应光谱。鉴于热释电探测器是FTIR光谱仪的标配且具有宽谱响应，因而此方法是普适且宽谱的，适用于各种FTIR光谱仪中不同的光源和分束器组合。
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公开(公告)号：CN110047967A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910246107.7
申请日：2019-03-29
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/105 , H01L31/107 , H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种宽谱InGaAs雪崩焦平面探测器及其制造方法。采用InP衬底和背照射结构。自衬底起依次包含InP腐蚀牺牲层，InGaAs腐蚀牺牲层，重掺杂InP腐蚀截止层，InGaAs吸收层，能带递变层，电荷层，重掺杂接触层，铟柱及读出电路；还公开了一种制造所述探测器的方法，主要步骤为：1)产生与读出电路互联的雪崩焦平面模块；2)机械研磨抛光InP衬底层；3)化学腐蚀掉InP牺牲层；4)化学腐蚀掉InGaAs牺牲层。本发明的优点在于实现InGaAs雪崩焦平面对400-1700nm可见及近红外波段的宽光谱响应，控制精度高、损伤低。
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公开(公告)号：CN110021617A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201910246111.3
申请日：2019-03-29
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开一种InGaAs雪崩焦平面探测器的串扰抑制结构，所述结构特征是：像元采用隔离槽隔离形成正方形台面，台面侧壁倾斜30至90度，槽深到达衬底一侧金属接触层；焦平面InP衬底减薄抛光至10微米以下，并蒸镀荧光减反介质膜。本发明的优点在于实现对雪崩区荧光辐射传输路径的控制，显著抑制近邻像元由串扰产生的雪崩信号，提升InGaAs雪崩焦平面的成像质量。适用于线性及盖革模式、平面及台面结、InAlAs及InP倍增层等各种结构和模式的InGaAs雪崩焦平面串扰抑制，并可推广至其它材料体系。
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公开(公告)号：CN109378280A
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201811387834.7
申请日：2018-11-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明公开了一种用于高密度面阵性能验证的测试结构，所述结构包括半绝缘InP衬底、N型InP缓冲层、InGaAs吸收层、N型InP帽层、光敏区、P电极、N电极。光敏区由18组有效面积为60μmⅹ60μm的探测器光敏元阵列组成，每组探测器阵列共同引出一个P电极，所有探测器阵列共用一个N电极。本发明的优点在于：1、通过测试结构的制备和测试，可以对比不同阵列设计的性能，为大面阵设计提供理论依据；2、中心距较小的面阵测试复杂，且测试结果受到其他因素影响，而本发明公布的测试结构测试步骤简便易操作，可以直接得到面阵的性能参数。
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公开(公告)号：CN109270024A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201811176452.X
申请日：2018-10-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01N21/359 , H04L29/06 , H04L29/08
Abstract: 本发明公开了一种基于NB-IoT的近红外光谱仪无线数据采集系统，本发明包括光谱仪模块、主控模块、NB-IoT无线通信模块、运营商数据传输网络、物联网云服务器和移动端模块。光谱仪模块、主控模块和NB-IoT无线通信模块组成系统，完成近红外光谱数据采集、模块定位和数据上传，物联网云服务器完成数据解析、存储和发布，通过移动端模块向用户提供查询服务。本发明将NB-IoT技术与云服务器技术相结合，具有低功耗、广覆盖和低成本的优点，在低功耗的前提下，打破了近红外光谱数据的采集、传输距离限制，更符合物联网领域的应用需求，可以为近红外光谱技术在物联网领域的应用提供进一步的技术支持。
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