公开(公告)号：CN118248706A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202410346963.0

申请日：2024-03-26

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 李雪 ,  宝鹏飞 ,  朱宪亮 ,  邵秀梅 ,  于春蕾 ,  杨波 ,  刘大福

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明公开了一种增加红外焦平面电学连通率的电极结构及其制备方法。该方法依据光敏芯片与读出电路倒焊互连时的偏移规律，设计并制备光敏芯片矩形电极结构；在倒焊互连过程中，增加读出电路铟柱与光敏芯片矩形电极和铟柱的接触面积，在倒焊偏移存在的情况下，提高了光敏芯片与读出电路耦合互连的电学连通率。本发明不受阵列规模和像元尺寸限制，尤其适用于对倒焊偏差容忍度低的高密度小像元焦平面阵列，有效降低红外焦平面探测器盲元率。

公开(公告)号：CN118248705A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202410346856.8

申请日：2024-03-26

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 朱宪亮 ,  宝鹏飞 ,  李雪 ,  于春蕾 ,  邵秀梅 ,  刘大福

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明公开了一种抑制红外焦平面倒焊偏移的凸点限位结构及其制备方法。该方法依据硅读出电路芯片上铟凸点尺寸，设计并制备光敏芯片上四周N电极区域凸点限位结构；在倒焊互连过程中，光敏芯片四周的限位结构先于中心区域铟凸点插入到读出电路上的铟凸点阵列中，当中心像元区域铟凸点阵列产生互连接触时，起到抑制倒焊横向偏移的作用，降低倒焊偏移导致的探测器盲元，从而提高红外焦平面探测器有效像元率。本发明不受阵列规模和像元尺寸限制，尤其适用于对倒焊偏差容忍度低的高密度小像元焦平面阵列。

公开(公告)号：CN118248704A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202410346779.6

申请日：2024-03-26

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 朱宪亮 ,  宝鹏飞 ,  于春蕾 ,  李雪 ,  邵秀梅 ,  马英杰 ,  杨波 ,  刘大福

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明公开了一种小间距红外焦平面混成互连铟柱结构及其制备方法。该方法分别在光敏芯片与读出电路两端设计并制备矩形铟柱凸点结构；该矩形铟柱凸点结构在倒焊互连产生偏移方向上增加了接触面积，一方面提高了偏移方向上的摩擦阻力，起到一定的倒焊偏移抑制效果，另一方面在倒焊偏移仍然存在的情况下，增加单像元的电学连通概率，从而提高红外焦平面探测器的有效像元率。本发明不受阵列规模和像元尺寸限制，尤其适用于对倒焊偏差敏感的高密度小像元焦平面阵列。