-
公开(公告)号：CN102798764B
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201110139419.1
申请日：2011-05-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R27/26
Abstract: 本发明提供一种利用电磁倏逝波的相位变化测量介质损耗的方法，其包括步骤：1）在预先给定频率的电磁波内确定待测介质折射率的实部，并把该待测介质定义为光疏介质；2）寻找一个折射率已知并且折射率实部大于待测介质的折射率实部的光密介质，并把光密介质和待测介质构成全反射系统；3）用预先给定频率的电磁波从光密介质向待测介质入射，并调节入射角度，使电磁波在光密介质和待测介质的界面处发生全反射，并在待测介质内部产生倏逝波；4）在待测介质中选择一个测量点，测量倏逝波相位的变化；并根据倏逝波相位的变化来计算待测介质折射率的虚部。该测量方法不仅能无损反复进行，还可实现超高精度的测量。
-
公开(公告)号：CN102544660B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201210009079.5
申请日：2012-01-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于各向异性磁回旋媒质的可调控单向波导控制方法，包括以下步骤：将两块磁导率为张量的各向异性磁回旋媒质材料表面相接触，以形成磁畴壁，并确定好准备作为传输波导的磁畴壁的平面；对两块磁回旋媒质外加磁场，磁场方向为平行于磁畴壁且垂直于磁回旋媒质平面，且两块旋磁媒质外加磁场方向相反；根据外加磁场的大小，计算给出入射信号的单向模式频率范围；根据外加磁场方向，确定给出入射信号的单向模式的方向。本发明可以使电磁波从垂直去磁场方向从接触面的一端入射到另外一端，而相对入射的电磁波得到抑制，且在不需要辅助波导的情况下，使电磁波局域在接触面上，实现电磁波低损耗，宽频高效的传输。
-
公开(公告)号：CN103138685A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201110386128.2
申请日：2011-11-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种OFDM自适应前馈线性功率放大装置，包括功率放大模块，依据外部激励信号的变化对射频信号进行矢量调节以保证功放进行稳定的线性放大的自适应控制模块，依据预先设定的可调范围值对放大信号进行功率输出控制的数字ATT模块，以及对检测到反向功率值衰减处理后予以检波，并将该检波后的直流电压与预设的门限电压以对功率放大模块进行保护的驻波保护模块，以及线性功放控制模块。本发明对射频功率放大器要求有高的效率和最小的邻道干扰，而良好的线性传输性能充分利用频谱资源，可以在较宽的频带内有效的抑制非线性失真产物，更适合动态信道分配的需要，进而解决了高速无线TD信号中远距离信号传输及蜂窝基站信号存在盲区覆盖等问题。
-
公开(公告)号：CN102798990A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201210336563.9
申请日：2012-09-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02F1/09
Abstract: 本发明提供一种超常材料及其色散拓扑相变方法，所述超常材料包括：法拉第磁光材料薄膜和非磁性透明材料薄膜在x轴方向交替重叠构成周期性层状结构；所述法拉第磁光材料薄膜和非磁性透明材料薄膜在x轴方向的厚度均小于选定的用以照射所述超常材料的电磁波的波长的1/30；所述法拉第磁光材料薄膜和非磁性透明材料薄膜在y轴方向的长度均大于所述波长的10倍；所述法拉第磁光材料薄膜和非磁性透明材料薄膜在z轴方向的宽度均大于所述波长的10倍。本发明提供的超常材料可以在外磁场调控下，实现从双曲介质到普通介质的转变，即色散拓扑相变；同时也可以实现可逆的相变，即在外磁场调控下，该超常材料也能实现从普通介质到双曲介质的转变。
-
公开(公告)号：CN102798611A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201110139404.5
申请日：2011-05-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种利用电磁倏逝波辐照度的脉冲响应时间测量介质损耗的方法，包括步骤：1）在预先给定频率范围的电磁波内确定待测介质折射率的实部，并把该待测介质定义为光疏介质；2）寻找折射率已知并且折射率实部大于待测介质的光密介质，并把光密介质和待测介质构成全反射系统；3）用预先给定频率范围的电磁波从光密介质向待测介质入射，并调节入射角度，使电磁波在光密介质和待测介质的界面处发生全反射，并在待测介质内部产生倏逝波；4）调节上述入射电磁波的功率，使之产生很小的脉冲，同时测量倏逝波的辐照度对该脉冲的响应时间；根据该脉冲响应时间来计算待测介质折射率的虚部。该测量方法不仅能无损反复进行，还可实现超高精度的测量。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102128953A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201010583972.X
申请日：2010-12-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01P15/125 , B81B3/00
Abstract: 本发明涉及一种对称倾斜折叠梁结构电容式微加速度传感器。所述的加速度传感器由一个对称的中心质量块、外部支撑框架、中心质量块与外部支撑框架相连接的八根对称倾斜折叠梁结构以及上、下盖板组成。对称的中心质量块由顶端质量块和底端质量块键合组成，每根倾斜折叠梁的内脚连接在中心质量块侧面的顶端或底端，外脚连接在外部支撑框架内侧面，整个结构上下对称。本加速度传感器的特点是弹性梁采用对称倾斜折叠梁结构，同时具有一定的对称性，有效的抑制了传感器的交叉轴灵敏度。微加速度传感器采用微电子机械系统技术制作，使器件能够形成更大尺寸的敏感质量块，使器件具有高的分辨率和灵敏度。
-
公开(公告)号：CN1179399C
公开(公告)日：2004-12-08
申请号：CN02112310.1
申请日：2002-06-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/20
Abstract: 本发明涉及一种外延生长用蓝宝石衬底镓原子清洗的方法，属于晶体外延生长领域，所述的方法是：(1)将湿法清洗过的蓝宝石衬底传送入MBE生长室内的样品架上，经高温～900℃热退火之后将衬底温度降低至600℃～850℃范围。反射式高能电子衍射(RHEED)屏幕上出现清晰的蓝宝石衬底衍射条纹；(2)打开Ga束源炉快门，Ga原子束流喷射到蓝宝石衬底表面。RHEED屏幕上的蓝宝石衬底衍射条纹消失；(3)关闭Ga束源炉快门；(4)蓝宝石衬底的温度升至900℃，保持2～5分钟，直至RHEED屏幕上再次出现清晰的蓝宝石衬底衍射条纹；(5)重复进行第二次清洗，然后进行常规的外延生长。经本发明提供的Ga清洗预处理后的蓝宝石衬底平整度明显提高，对提高外延层GaN的二维生长特性有明显的促进作用。
-
公开(公告)号：CN1395290A
公开(公告)日：2003-02-05
申请号：CN02112310.1
申请日：2002-06-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/20
Abstract: 本发明涉及一种外延生长用蓝宝石衬底镓原子清洗的方法，属于晶体外延生长领域，所述的方法是：(1)将湿法清洗过的蓝宝石衬底传送入MBE生长室内的样品架上，经高温～900℃热退火之后将衬底温度降低至600℃～850℃范围。反射式高能电子衍射(RHEED)屏幕上出现清晰的蓝宝石衬底衍射条纹；(2)打开Ga束源炉快门，Ga原子束流喷射到蓝宝石衬底表面。RHEED屏幕上的蓝宝石衬底衍射条纹消失；(3)关闭Ga束源炉快门；(4)蓝宝石衬底的温度升至900℃，保持2～5分钟，直至RHEED屏幕上再次出现清晰的蓝宝石衬底衍射条纹；(5)重复进行第二次清洗，然后进行常规的外延生长。经本发明提供的Ga清洗预处理后的蓝宝石衬底平整度明显提高，对提高外延层GaN的二维生长特性有明显的促进作用。
-
公开(公告)号：CN114336067B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202011050175.5
申请日：2020-09-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种适应强电磁环境的MEMS无线传感装置，所述MEMS无线传感装置包括频率选择超构表面，所述频率选择超构表面包括多个呈阵列周期性排列的单元胞。本发明的MEMS无线传感装置利用人工超构表面灵活的电磁场操控能力，可以实现正常透过无线通信信号，并阻断稳态电磁干扰、瞬态电磁干扰，突破了传统电子设备抑制电磁干扰技术的瓶颈，同时解决强电磁环境下MEMS无线传感装置的可靠性和无线通信的问题。适应超强电磁环境的超构表面集成MEMS无线传感技术可极大地推动电子器件设备的信息化、智能化发展，对我国能源安全、经济社会乃至国家安全都具有重要的意义。
-
公开(公告)号：CN115951431B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202211606843.7
申请日：2022-12-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B1/00
Abstract: 本发明涉及一种用于波长相关的3D光开关的微纳结构，包括：衬底；两条硅纳米柱子链，平行设置在所述衬底上；每条硅纳米柱子链包括高度相同的普通柱和缺陷柱，所述普通柱和缺陷柱排成一列，所述缺陷柱设置在所述硅纳米柱子链末端的第一根和第三根的位置；所述缺陷柱的半径大于所述普通柱的半径。本发明能够在不同的输入光相位下进行3D光链路的开关调制，并在不同波长下表现出相反的开关特性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
239
records
(took 0.099 seconds)
