公开(公告)号：CN105845734A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201610236465.6

申请日：2016-04-15

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 陈静 ,  吕凯 ,  罗杰馨 ,  柴展 ,  何伟伟 ,  黄建强 ,  王曦

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种P型动态阈值晶体管、制备方法及提高工作电压的方法，该P型动态阈值晶体管至少包括：衬底结构，位于所述衬底结构上的n个阈值可调结构；所述阈值可调结构至少包含两个PMOS管和两个二极管，两个PMOS管共用体区，所述体区为P型重掺杂区；两个二极管共用P区，并以两个PMOS管共用的体区作为P区；所述第一二极管的P区与所述第一PMOS管的栅连接，所述第二二极管的P区与所述第二PMOS管的栅连接。本发明通过在两个PMOS管的栅体连接通路上各形成一个反偏PN结，来提升体区电压、降低阈值电压、提高驱动电流，实现工作电压的提高，扩展了P型动态阈值晶体管在低功耗电路设计领域的应用价值。

公开(公告)号：CN104409503A

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201410674653.8

申请日：2014-11-21

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 陈静 ,  吕凯 ,  罗杰馨 ,  柴展 ,  何伟伟 ,  黄建强 ,  王曦

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/42356

Abstract: 本发明提出了一种多叉指栅极结构MOSFET的版图设计，包括半导体衬底、第一多叉指栅极结构、第二多叉指栅极结构、体接触区、源区及漏区，体接触区为第一多叉指栅极结构及第二多叉指栅极结构共用。通过采用体接触区公用的方法，可以提高体接触区利用率，降低寄生电容。相比较普通的体接触器件，其有源区的利用率高，在相同总的栅宽条件下，体接触区域面积减小了一半，可以集成度提高。因为中间体区为两侧有源区公用，金属连线所占面积降低，可以降低寄生电容。在不增加布线难度的情况下实现两侧栅极的并联，减小了栅极电阻。在不增加布线难度的情况下实现两侧漏极的并联，减小了漏极电阻。器件版图结构该设计方法在射频电路领域具有一定的应用价值。

公开(公告)号：CN104362174A

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：CN201410675314.1

申请日：2014-11-21

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 陈静 ,  吕凯 ,  罗杰馨 ,  柴展 ,  何伟伟 ,  黄建强 ,  王曦

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7831 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/4232

Abstract: 本发明提出了一种SOI动态阈值晶体管，包括半导体衬底、第一多叉指栅极结构、第二多叉指栅极结构、体接触区、源区、漏区及第一接触孔；栅极通过第一接触孔与体接触区相连接。通过采用体接触区公用的方法，可以提高体接触区利用率，降低寄生电容，同时，采用多边连接的方式，可以实现较低的栅电阻。当器件处于截止状态时，器件阈值较高，泄露电流低，当器件处于开启状态时，由于体效应的影响，器件阈值电压降低，电流增大。因此器件可以具有陡峭的亚阈值斜率和较大的饱和电流，同时，器件工作电压低，十分适用于低功耗应用。采用本发明的设计方法，可以改善寄生电阻电容，在射频应用领域具有一定的应用价值。

公开(公告)号：CN105845733B

公开(公告)日：2019-09-13

申请号：CN201610236397.3

申请日：2016-04-15

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 陈静 ,  吕凯 ,  罗杰馨 ,  柴展 ,  何伟伟 ,  黄建强 ,  王曦

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种P型动态阈值晶体管、制备方法及提高工作电压的方法，包括衬底结构，PMOS器件及PN结器件；PN结器件的N区与PMOS器件的体接触区连接，PN结器件的P区与PMOS器件的栅连接。在N型本征区中进行两次P型重掺杂分别形成PMOS器件的源、漏区和PN结器件，再进行N型重掺杂形成PMOS器件的体接触区；在沟道区上方依次形成栅氧化层、多晶硅层，对多晶硅层进行P型重掺杂形成栅；通过通孔和金属将PMOS器件的栅和PN结器件的P区相连。本发明通过在栅体连接通路上形成一个反偏PN结，来提升体接触区电压、降低阈值电压、提高驱动电流，实现工作电压的提高，扩展了P型动态阈值晶体管在低功耗电路设计领域的应用价值。

公开(公告)号：CN107305593A

公开(公告)日：2017-10-31

申请号：CN201610252163.8

申请日：2016-04-21

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 陈静 ,  黄建强 ,  罗杰馨 ,  柴展 ,  吕凯 ,  何伟伟

IPC: G06F17/50

Abstract: 本发明提供一种SOI MOSFET总剂量辐照模型的建模方法，包括：建立一受控电流源，所述受控电流源并联于一MOSFET器件的源、漏端之间，其电流大小受所述MOSFET器件的栅端、源端、体端、漏端及总剂量控制；建立一受控电压源，所述受控电压源串联于所述MOSFET器件的栅端，其电压大小受总剂量控制；将所述受控电流源、所述受控电压源及所述MOSFET器件进行封装，以形成所述SOI MOSFET总剂量辐照模型。本发明的SOI MOSFET总剂量辐照模型的建模方法可同时仿真NMOS和PMOS，可以仿真阈值电压的漂移，还可仿真各个尺寸、各个辐射剂量的MOSFET特性，大大提高仿真准确性。

公开(公告)号：CN104362174B

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201410675314.1

申请日：2014-11-21

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 陈静 ,  吕凯 ,  罗杰馨 ,  柴展 ,  何伟伟 ,  黄建强 ,  王曦

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提出了一种SOI动态阈值晶体管，包括半导体衬底、第一多叉指栅极结构、第二多叉指栅极结构、体接触区、源区、漏区及第一接触孔；栅极通过第一接触孔与体接触区相连接。通过采用体接触区公用的方法，可以提高体接触区利用率，降低寄生电容，同时，采用多边连接的方式，可以实现较低的栅电阻。当器件处于截止状态时，器件阈值较高，泄露电流低，当器件处于开启状态时，由于体效应的影响，器件阈值电压降低，电流增大。因此器件可以具有陡峭的亚阈值斜率和较大的饱和电流，同时，器件工作电压低，十分适用于低功耗应用。采用本发明的设计方法，可以改善寄生电阻电容，在射频应用领域具有一定的应用价值。

公开(公告)号：CN105742366A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201610237320.8

申请日：2016-04-15

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 陈静 ,  吕凯 ,  罗杰馨 ,  柴展 ,  何伟伟 ,  黄建强 ,  王曦

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种N型动态阈值晶体管、制备方法及提高工作电压的方法，包括衬底结构，NMOS器件及PN结器件；PN结器件的P区与NMOS器件的体区连接，PN结器件的N区与NMOS器件的栅连接。在P型本征区中进行N型重掺杂分别形成NMOS器件的源、漏区和体区，同时形成PN结器件；在沟道区上方依次形成栅氧化层、多晶硅层，对多晶硅层进行N型重掺杂形成栅；通过通孔和金属将NMOS器件的栅和PN结器件的N区相连。本发明通过在栅体连接通路上形成一个反偏PN结，来提升体区电压、降低阈值电压、提高驱动电流，实现工作电压的提高，扩展了N型动态阈值晶体管在低功耗电路设计领域的应用价值。