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公开(公告)号：CN103077995B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201310013398.8
申请日：2013-01-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种利用电子阻挡层降低暗电流的InGaAs探测器及其制备方法。在InkGa1-kAs吸收层中加入应变补偿超晶格电子阻挡层，利用超晶格导带势垒阻挡电子降低暗电流。其制备方法包括：先在衬底上生长高掺杂P型InkAl1-kAs缓冲层，所述缓冲层同时作为下接触层；生长低掺杂N型InkGa1-kAs吸收层；生长应变补偿超晶格电子阻挡插入层，掺杂情况与吸收层相同为低掺杂N型；继续生长低掺杂N型InkGa1-kAs吸收层；生长高掺杂N型InkAl1-kAs上接触层，完成此探测器结构材料的生长。本发明能够利用电子阻挡层降低探测器暗电流。
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公开(公告)号：CN102494606B
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201110397689.2
申请日：2011-12-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01B9/04
Abstract: 本发明涉及一种十纳米量级尺寸及误差光学检测方法，包括以下步骤：利用数字成像显微器件对被测对象进行数码成像；提取数码成像中与被测对象尺寸信息对应的像素位置坐标及强度信息，作为目标信息进行处理统计；根据统计结果获得所需的被测对象的相关尺寸参数及误差参数。本发明可以显著改善光学显微系统的表观分辨率，可以最大限度地消除人为因素的影响使测量数据更加可信可靠。
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公开(公告)号：CN101811659B
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201010128365.4
申请日：2010-03-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于数字合金的非矩形量子结构及其实现方法，其特征在于：通过选择异质外延材料体系和组合设计，采用数字合金的方法实现非矩形的量子结构；所述的数字合金为两种二元或多元合金材料构成。本发明的实现方法可有效地在量子尺度上控制材料组分按设计要求精确变化，从而克服了采用常规生长方法只适合生长组分突变的矩形量子结构的单一性问题，为量子结构和功能的设计和实现引入更大的自由度，并在量子结构的应变及界面控制方面带来好处。本发明既适合于需要采用非矩形量子阱的特殊半导体激光器，也适合于其他新型电子或光电子器件，具有很好的通用性。
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公开(公告)号：CN103078009A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201310013303.2
申请日：2013-01-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种光电探测器芯片制作方法，采用湿法刻蚀隔离成型工艺取代现有的化合物半导体光电探测器芯片加工中干法刻蚀隔离成型工艺；采用以双苯基环丁烯钝化工艺取代现有的化合物半导体光电光电探测器芯片加工中化学气相沉积钝化工艺。本发明旨在最大限度地降低光电探测器制作中由于加工工艺引入的附加暗电流。
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公开(公告)号：CN103077979A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201310005380.3
申请日：2013-01-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/0304
Abstract: 本发明涉及一种GaAs衬底上扩展波长InGaAs探测器结构，使用该结构制备的探测器截止波长大于1.7微米小于3.5微米，在GaAs衬底上外延含铝砷化物材料作为缓冲层和下接触层，InGaAs作为吸收层，并采用含铝砷化物材料作为窗口层和上接触层。本发明的探测器结构可拓展InGaAs探测器及其阵列的应用范围，采用工艺更为成熟、质量更高的GaAs衬底，可降低器件成本、减小衬底缺陷对外延层暗电流的影响，提高量子效率，具有广泛的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102157599A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201010290302.9
申请日：2010-09-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/107 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种用于雪崩光电二极管的能带递变倍增区结构及其制备方法，其特征在于：采用能带梯度递变的n层材料作为倍增区结构，n为自然数，2≤x≤10；制备方法包括：在生长缓冲层、吸收层、数字递变超晶格过渡层和电荷层后，生长能带梯度递变的n层材料作为倍增区结构。本发明的能带递变倍增区结构可以从本质上提高电子与空穴电离率差，无需外加很高的偏压，从而有利于降低器件的过剩噪声。
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公开(公告)号：CN101976696A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN201010292223.1
申请日：2010-09-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/10 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种用于拓展In0.53Ga0.47As探测器及其阵列短波响应的材料体系及其制备，采用禁带宽度大于In0.53Ga0.47As吸收层材料且大于常规InP的含铝砷化物材料作为上下接触层材料体系实现拓展In0.53Ga0.47As探测器及其阵列短波响应。本发明采用宽禁带透明上接触层和下接触层材料体系，可以减小表面复合并提高量子效率，可利用分子束外延方法或金属有机物气相外延方法无需As/P切换而不间断生长，有利于在生长过程中保持平整的表面态，保证材料的高质量生长，可降低器件噪声，具有很好的通用性。
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公开(公告)号：CN105609582B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201510867591.7
申请日：2015-12-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/10 , H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种结合带间和价带子带间吸收的稀铋量子阱探测器及制备方法，探测器以稀铋多量子阱作为吸收层，其中势阱层为p型稀铋III‑V族材料，势垒层为不掺杂的不含铋III‑V族材料。制备方法包括依次在衬底上生长p型高掺杂不含铋III‑V族缓冲层、稀铋多量子阱结构吸收层以及p型高掺杂不含铋III‑V族材料上接触层。本发明的探测器可以同时利用带间吸收和价带子带间吸收，增强对光的吸收，也可在太阳电池等利用光吸收的器件中进行应用，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN105449017B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201510947270.8
申请日：2015-12-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/0248 , H01L31/0304 , H01L31/0352
Abstract: 本发明涉及一种用于实现InGaAs光吸收波长扩展的材料结构，在InP衬底上采用周期性InxGa1‑xAs多量子阱耦合超晶格结构，每个超晶格周期包含有一个量子阱层和一个势垒层，采用厚度为a的InxGa1‑xAs、0.53
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公开(公告)号：CN105841844A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610172703.1
申请日：2016-03-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01K15/00
CPC classification number: G01K15/005
Abstract: 本发明涉及一种分子束外延中标定衬底表面实际温度的方法，包括：(1)测试衬底解析时的热偶温度T1；(2)衬底解析后降温，观察确认表面再构发生变化后，关闭用于保护衬底的束源，升温，观察并记录衬底表面再构恢复时的热偶温度T2；(3)衬底降至室温，在衬底表面覆盖非晶层，然后升温，观察并记录非晶层脱附时的热偶温度T3；(4)根据衬底在热偶温度分别为T1、T2和T3时的表面实际温度值，利用B样条函数建立衬底表面实际温度与热偶温度的关系，即可。本发明可以精确获得分子束外延中衬底表面的实际温度，具有快速、简便、准确的特点，对于研究分子束外延材料生长动力学和精确控制微纳结构材料的生长具有重要的实际应用价值。
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