公开(公告)号：CN101593765B

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN200910053998.0

申请日：2009-06-26

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张挺 ,  宋志棠 ,  顾怡峰 ,  刘波 ,  张复雄 ,  向阳辉 ,  封松林 ,  陈邦明

IPC: H01L27/24 ,  H01L21/82 ,  G11C11/56

Abstract: 本发明涉及一种集成多种电阻转换存储模块的存储芯片，在单一的存储芯片内，集成有多个的存储模块，这些电阻转换存储模块具备不同的编程功耗、不同的编程速率以及不同的数据保持能力等。在存储器，特别是嵌入式存储器的使用过程中，充分发挥各种性能不同存储模块的优势：对于速度要求较高的数据采用高速模块进行存储，对于长时间保存的数据采用较高数据保持能力的模块进行存储，对于经常读写的数据采用低功耗高疲劳特性的模块进行存储。

公开(公告)号：CN101504949B

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN200810202824.1

申请日：2008-11-17

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张挺 ,  宋志棠 ,  顾怡峰 ,  刘波 ,  封松林 ,  陈邦明

IPC: H01L27/24 ,  H01L23/522 ,  H01L21/82 ,  H01L21/768 ,  G11C16/02 ,  G11C11/56

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明揭示一种电阻转换存储器及其制造方法，所述电阻转换存储器包括：基底、逻辑电路、字线、位线、若干分立的存储单元、隔离单元；通过扩散效应，使所述存储单元中存储材料的部分原子扩散到第一导电类型的半导体字线中，在接触界面形成对半导体字线的综合效应为第二导电类型的掺杂；经存储材料原子扩散掺杂形成的第二导电类型区域与第一导电类型半导体字线之间形成二极管，该二极管作为选通单元对上方的存储单元进行选通。电阻转换存储器所采用的存储材料在器件中具有多种功能，既作为高、低电阻转换的媒介材料，同时也是杂质材料，能通过扩散效应对与其接触的半导体进行掺杂，从而用简便的方法形成二极管作为逻辑单元选通存储器单元。

公开(公告)号：CN101593765A

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN200910053998.0

申请日：2009-06-26

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张挺 ,  宋志棠 ,  顾怡峰 ,  刘波 ,  张复雄 ,  向阳辉 ,  封松林 ,  陈邦明

IPC: H01L27/24 ,  H01L21/82 ,  G11C11/56

Abstract: 本发明涉及一种集成多种电阻转换存储模块的存储芯片，在单一的存储芯片内，集成有多个的存储模块，这些电阻转换存储模块具备不同的编程功耗、不同的编程速率以及不同的数据保持能力等。在存储器，特别是嵌入式存储器的使用过程中，充分发挥各种性能不同存储模块的优势：对于速度要求较高的数据采用高速模块进行存储，对于长时间保存的数据采用较高数据保持能力的模块进行存储，对于经常读写的数据采用低功耗高疲劳特性的模块进行存储。

公开(公告)号：CN101436607A

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200810207813.2

申请日：2008-12-25

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张挺 ,  宋志棠 ,  陈小刚 ,  顾怡峰 ,  刘波 ,  封松林 ,  陈邦明

IPC: H01L27/24 ,  H01L21/822 ,  G11C16/02 ,  G11C11/56

Abstract: 本发明揭示一种电阻转换存储器及其制造方法，该电阻转换存储器包括选通单元及数据存储单元；选通单元采用肖特基二极管；所述肖特基二极管包括至少一层含锑材料层、至少一层半导体层；数据存储单元包括至少一层含锑材料层。本发明存储器中含锑金属不仅作为电阻转换的存储介质，而且作为肖特基二极管中的金属层，甚至可以作为存储器芯片中的导电位线。本发明还提出了多种制造基于含锑金属(或合金)的电阻转换存储器的方法，有望在获得高密度、低成本的固态存储器的竞争中获得较大优势。