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公开(公告)号：CN111146681A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201911320620.2
申请日：2019-12-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请提供一种SiC基InP光子集成模块的制备方法，包括以下步骤：获取单晶SiC衬底层；在单晶SiC衬底层上制备Fe掺杂的InP薄膜层，形成异质衬底；在异质衬底上采用异质外延生长方法依次层叠制备波导层和有源层；对有源层进行光栅刻蚀并在有源层上制备电极接触层；对波导层、有源层和电极接触层进行刻蚀，制备分布式反馈激光器，并制备放大器和调制器中的任意一种；采用选区外延方法在Fe掺杂的InP薄膜层上依次制备波导接触层和探测器结构；对探测器结构进行刻蚀，制备探测器。本申请实施例提供的SiC基InP光子集成模块的制备方法中，将InP与SiC基衬底结合，制备了低热阻，低失配的SiC基InP光子集成模块。
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