公开(公告)号：CN102290595B

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201110180043.9

申请日：2011-06-24

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 周健 ,  孙晓玮 ,  谈惠祖 ,  周舟 ,  周建华 ,  王伟

IPC: H01M10/0525 ,  H01M4/136 ,  H01M4/58 ,  H01M4/1397 ,  H01M10/058 ,  H01M10/0562

Abstract: 本发明涉及一种全固态高循环寿命薄膜锂电池及其制作方法，其特征在于薄膜锂电池组成为：①在玻璃衬底表面溅射一层Al薄膜；②在Al薄膜表面溅射沉积一层氮化镍钴薄膜，作为阳极薄膜，氮化镍钴薄膜的组成通式为ComNi1-mN(0＜m＜1)；③在氮化镍钴薄膜的表面溅射沉积组成通式为Li1+xMxTi(PO4)3薄膜(0＜x＜2)，M为Al、Sc、Y、Fe或Cr；④在Li1+MxTi(PO4)3薄膜上沉积一层金属锂薄膜；⑤在Li薄膜沉积Ni薄膜作为阴极集电极；⑥在Li薄膜表面覆盖封装后，且分别在阴极和阳极集电极处引出Au处。且具有制备工艺简单，不需要高温退火过程，电池按国标测定充放电循环次数达1500次，且保持电池容量80％，且可通过沉积多层膜方法实现高电压输出，在微能源、传感器以及网络方面有广泛应用。

公开(公告)号：CN102117699B

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201010590616.0

申请日：2010-12-15

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王伟 ,  孙晓玮 ,  谈惠祖 ,  周健 ,  孙浩

IPC: H01G4/002 ,  H01G4/005 ,  H01G4/008 ,  H01G4/06 ,  H01G4/10 ,  H01G4/33

Abstract: 本发明公开了一种硅基Al2O3薄膜芯片电容器，可用于微波和射频电路中，起旁路和滤波作用。该芯片电容器包括低阻(电阻率≤1×10-3Ω·cm)硅衬底、非晶Al2O3绝缘薄膜、上电极、下电极四层结构。采用射频磁控溅射法，以高纯Al2O3陶瓷为靶材，在单晶Si衬底生长Al2O3非晶绝缘薄膜，接着在薄膜表面溅射生长Ti或TiW层和Au层，再经电镀Au加厚后，通过光刻、腐蚀的方法制作上电极图形，根据芯片电容厚度的要求对Si片背面减薄，在背面溅射Ti或TiW层和Au层作为下电极，划片后制作成芯片电容。该电容具用高Q值、损耗小、结构与工艺简单、成本低廉、尺寸小等优点。

公开(公告)号：CN102779846A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201110123487.9

申请日：2011-05-13

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 孙浩 ,  孙晓玮 ,  艾立鹍 ,  滕腾 ,  王伟 ,  李凌云 ,  钱蓉 ,  徐安怀 ,  齐鸣

IPC: H01L29/737 ,  H01L29/08 ,  H01L29/205

Abstract: 本发明提供一种双异质结双极晶体管结构，其依序包括：包含磷与铟的化合物构成的集电区层、基区层、及包含磷与铟的化合物半导体构成的发射区层，其中，所述基区层的材料包含多种都由铟、镓、砷及锑所组成的化合物，且每一种化合物包含的铟、镓、砷及锑组份与其他种化合物所包含的铟、镓、砷及锑都不相同，且每一种化合物中铟的组份与镓的组份比为∶（1-），砷的组份与锑的组份比为∶（1-），且所述基区层的能带结构从发射结处到集电结处由宽变窄，其中，，。该双异质结双极晶体管结构可以在降低发射结导带势垒、缓解阻挡电子注入问题的同时，在基区形成从发射结到集电结的内建电势差，有效减小电子在基区的渡越时间，有利于提高器件的频率特性。

公开(公告)号：CN104833955A

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201510101524.4

申请日：2015-03-09

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王伟 ,  崔恒荣 ,  孙芸 ,  孙浩 ,  钱蓉 ,  吴亮 ,  孙晓玮

IPC: G01S7/02

CPC classification number: G01S7/35 ,  G01S7/352 ,  G01S13/584 ,  G01S13/93

Abstract: 本发明涉及一种3mm波段小型探测器前端，包括3mm小型化双天线、发射支路、接收支路、微带功率分配器和本振源倍频链路。其中，3mm小型化双天线包括发射天线和接收天线；本振源倍频链路用于提供可调频的本振信号；微带功率分配器将本振信号分成两路，一路馈给发射支路提供振荡信号，另一路馈给接收支路提供本振输入；发射支路用于将微带功率分配器输出的一路信号再次进行倍频和放大，得到3mm波段射频信号送至发射天线进行发射；接收支路用于将接收天线收到的3mm波段回波信号放大，再与本振输入信号进行二次谐波有源混频得到中频输出信号。本发明解决现有波导结构3mm波段探测器前端成本高、集成度低、体积大的问题。

公开(公告)号：CN102386239A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201010271246.4

申请日：2010-08-31

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 孙浩 ,  王伟 ,  李凌云 ,  艾立鹍 ,  徐安怀 ,  孙晓玮 ,  齐鸣

IPC: H01L29/868 ,  H01L29/36 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明公开了一种平面结构的磷化铟基PIN开关二极管及其制备方法，其结构包括：半绝缘的磷化铟衬底上面依次为InP缓冲层、N型InGaAs高掺杂层、I型InGaAs不掺杂层以及采用碳重掺杂的P型InGaAs高掺杂层；P型高掺杂层上沉积低介电常数材料保护层，二极管的阳极和阴极处于保护层之上的同一平面，通过开窗口分别与P型和N型高掺杂层形成欧姆接触；阳极的接触电极和引出电极之间连接区域的下方刻蚀有沟槽可实现平面的空气桥结构。利用本发明，在不影响器件关断电容的情况下能有效降低导通电阻，同时，平面结构有效降低了工艺难度，提高了工艺成品率，更有利于实现开关二极管的互联集成以及开关单片电路的制备。

公开(公告)号：CN101625558A

公开(公告)日：2010-01-13

申请号：CN200910056429.1

申请日：2009-08-14

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 周健 ,  孙晓玮 ,  王伟 ,  谈惠祖 ,  周舟

IPC: G05B19/05 ,  H02J7/00 ,  H01M8/04 ,  H01L31/042 ,  H01L31/072 ,  H01L31/0304 ,  H01M8/10 ,  H01M10/36

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 本发明涉及一种基于可再生燃料电池的野外应急可再生能源管理系统及其实施方法，由太阳能电池、燃料电池、蓄电池、储氢瓶、水罐、逆变器、负载、可编程逻辑能源控制单元和无线收发模块等单元互相连接组成。通过可编程逻辑能源控制中心的智能化管理，实现太阳能的有效利用，系统电力不足时通过GPRS向指挥中心发送信号；该系统具有智能化、长时间供电、无人值守等特点，使管理系统的总体能量转换效率高于10％。

公开(公告)号：CN101383385A

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200810200672.1

申请日：2008-09-27

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 周健 ,  孙晓玮 ,  王伟 ,  谈惠祖 ,  周舟

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/075 ,  H01L31/20

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种基于玻璃衬底的可调带隙薄膜太阳能电池及其制作方法，其特征在于采用不同带隙结构材料α－SiC、αGexSi1－x、μ－Si作为吸收层，组成三节结构，增加光能捕获；采用调节本征层Ge、Si成分比例的方法，获得不同的带隙，从而增强光能吸收；采用PECVD成膜，工艺加工耗能少；采用激光划片，实现电池片内串连，无需光刻工艺，适合批量生产。