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公开(公告)号：CN113676149A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110987489.6
申请日：2021-08-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及微电子器件技术领域，本发明公开了一种声波器件及其制备方法。该声波器件包括由下至上依次层叠的支撑衬底、压电薄膜和叉指电极结构；该支撑衬底上设有能量反射结构；该叉指电极包括第一汇流条、第二汇流条、第一叉指电极和第二叉指电极；该第一叉指电极包括第一圆弧段；该第一圆弧段的一端与该第一汇流条连接；该第二叉指电极包括第二圆弧段；该第二圆弧段的第一端与该第二汇流条连接；该第一圆弧段与该第二圆弧段共圆心。从而使得该声波器件在有效获得高阶兰姆波的模式的基础上，抑制其他杂散模式。
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公开(公告)号：CN116633304B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202310732219.X
申请日：2023-06-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种声学谐振器及其制备方法、滤波器。该声学谐振器包括由下至上依次设置的支撑衬底、压电薄膜层和叉指电极结构，支撑衬底内设有多边形空腔；支撑衬底为{111}单晶硅衬底；多边形空腔的周面包括硅 晶向；压电薄膜层靠近多边形空腔，且压电薄膜层设有多个刻蚀通孔，多个刻蚀通孔与多边形空腔连通。本申请提供的该声学谐振器具有优异的电学和机械性能。
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公开(公告)号：CN113328723B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202110665708.9
申请日：2021-06-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种弹性波谐振器及其制备方法，所述弹性波谐振器至少包括：支撑衬底；压电层，形成于所述支撑衬底的上表面；叉指电极，形成于所述压电层的上表面；反射增强结构，至少形成于所述叉指电极的左右两侧，且形成于所述压电层的上表面及/或所述压电层中。通过本发明提供的弹性波谐振器及其制备方法，改善了现有弹性波谐振器声学能量泄露的问题。
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公开(公告)号：CN113922784B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202111218430.7
申请日：2021-10-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请实施例所公开的一种声波谐振器及其制备方法，声波谐振器包括衬底、压电膜和多个叉指电极，其中，衬底具有空气腔，压电膜设置在衬底的上表面，多个叉指电极设置在压电膜的上表面，多个叉指电极包括第一叉指电极集合，第一叉指电极集合中每个第一叉指电极上开设有刻蚀通孔，刻蚀通孔贯穿第一叉指电极和压电膜，刻蚀通孔与空气腔连通。基于本申请实施例通过在第一叉指电极上开设刻蚀通孔，利用各向同性的刻蚀和释放工艺，可以控制多余的悬空区域的大小，在不影响器件性能的前提下，可以提高器件的功率容量，并且通过减小悬空区域可以提升器件机械稳定性，此外还可以抑制部分杂散波模式。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115001438A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210732455.7
申请日：2022-06-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请涉及异质集成器件制备技术领域，提供了一种纵向泄漏声表面波谐振器的结构及滤波器，声波谐振器的结构包括衬底，设置在衬底上的压电薄膜，设置在压电薄膜上的电极阵列。电极阵列包括叉指电极阵列和反射栅电极阵列，反射栅电极阵列中反射栅电极的中心间距小于叉指电极阵列中叉指电极的中心间距。基于本申请实施例提供的一种非标准反射栅结构，通过减小反射栅电极阵列中反射栅电极的中心间距，可以提高反射栅电极阵列的反射频率区间，从而可以抑制纵向泄漏波的杂散模式，提高声波谐振器的性能。
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公开(公告)号：CN114362709A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111467176.4
申请日：2021-12-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及微电子器件技术领域，本发明提供一种声学谐振器及其制备方法。该声学谐振器由于在第一支撑层内设有弹性波陷阱结构；弹性波陷阱结构的弹性力学参数与支撑衬底的材料的弹性力学参数不相等，该弹性波陷阱结构可以阻碍谐振器工作模式向衬底的传播，将能量约束在衬底上方压电薄膜上表面处，从而减少了声波能量向衬底的泄漏，可以提高器件的品质因数，并拓宽了谐振器工作模式的选择范围，提高了工作频率和带宽。
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公开(公告)号：CN113630101A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110944319.X
申请日：2021-08-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种固态装配型横向振荡声波谐振器，所述声波谐振器包括：小散射角支撑衬底；压电层，形成于所述小散射角支撑衬底的上表面，所述压电层包括：横向谐振结构及凹槽结构，所述凹槽结构形成于所述横向谐振结构的两侧；少数量/小占空比图案化电极，形成于所述横向谐振结构的上表面；其中，在对所述少数量/小占空比图案化电极施加电势时，所述声波谐振器在所述横向谐振结构中激发并产生多阶模式响应的等间距高次谐波。通过本发明提供的固态装配型横向振荡声波谐振器，实现了声波谐振器在接收器相关器件定义的频率上具有等距谐振。
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公开(公告)号：CN113541636A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110864026.0
申请日：2021-07-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种声波谐振器及其制备方法，所述声波谐振器包括：支撑衬底；压电层，形成于所述支撑衬底的上表面，其中所述压电层包括贯通槽、边缘支撑结构、接合臂及N个有效压电结构；N个底电极，形成于N个所述有效压电结构和所述支撑衬底之间，并通过底电极连通结构相互连通；N个顶电极，形成于N个所述有效压电结构的上表面，并通过N个顶电极引出结构一一引出。其中，N为大于等于2的正整数。通过本发明提供的声波谐振器及其制备方法，解决了现有技术中横纵电场激发产生杂波的问题以及声波谐振器频率调节的问题。
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公开(公告)号：CN116318023B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202310354290.9
申请日：2023-04-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种兰姆波谐振器及滤波器，通过调控局部薄膜的厚度来改善声阻抗的匹配性，包括在第一材料区中的压电薄膜中设置凹槽，或在第二材料区中的压电薄膜下方形成介质层，以对由叉指电极构成的具有厚度差的兰姆波谐振器进行局部厚度调整，使得第一材料区与第二材料区沿厚度方向交错设置，以抑制兰姆波谐振器的杂散模式，并根据该谐振器构建响应的滤波器，以抑制由杂散模式带来的通带性能恶化现象，从而有助于高频大带宽声学谐振器的发展。
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