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公开(公告)号：CN102798734A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201110137641.8
申请日：2011-05-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种MEMS三轴加速度计及其制造方法。MEMS三轴加速度计包括敏感器件层、上盖板层和下支撑体层；敏感器件层与上盖板层、下支撑体层之间有间隙；敏感器件层包括支撑框体、弹性梁、三个独立的敏感质量块、可动梳齿、固定梳齿以及电极，敏感器件层中的三个独立的敏感质量块分别实现X、Y、Z三轴加速度信号的检测；每个方向的加速度传感器由相应的一个敏感质量块通过仅对检测方向敏感的弹性梁悬挂于支撑框体之间，每个敏感质量块上利用体硅加工工艺制作了多对可动梳齿，支撑框体相应地制作多对固定梳齿，以构成一对差分电容作为敏感电容；不同方向的差分梳齿电容对该方向的加速度信号的响应产生差分电容变化。
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公开(公告)号：CN101587240A
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200910051003.7
申请日：2009-05-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种大角度扭转镜面驱动器及其在光开关中的应用。其特征在于所述的大角度扭转微镜面驱动器由扭转梁(1)、扭转梁(2)、微镜面(3)、倾斜下电极(4)，倾斜面(5)、倾斜面(6)、硅基底材料(7)构成；其中，扭转梁(1)和扭转梁(2)与微镜面(3)相连且对称排列于微镜面(3)的两侧，微镜面(3)兼作驱动器的上电极，倾斜下电极(4)制作在倾斜面(5)上，与微镜面(3)构成倾斜电极静电驱动器，倾斜面(5)和倾斜面(6)之间有一定夹角，两者均制作在基底材料(7)上。作为光开关的应用是采用TO管壳的封装形式，由所述的驱动器、多光纤准直器、TO封装底座和对应管壳构成，制作成的光开关具有体积小、工艺简单、驱动电压低、可靠性高、响应速度快等优点。
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公开(公告)号：CN100516951C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200510110330.7
申请日：2005-11-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种波导和光纤的耦合方法，其特征在于采用调节架单向调整光纤和波导，利用探测器监控方法确定光纤和波导相对位置，使用一对放电电极释放的放电电弧，熔融光纤和波导，达到低损耗的光纤和波导耦合的方法。其主要在于利用调节架对光纤和波导进行单向调节，采用探测器直接监控光器件输出芯片，避免了采用调节设备进行光纤和波导的双向精密调节，降低了调节难度；并且利用熔融光纤和波导的手段使得光信号达到低损耗耦合，相对粘胶液固定耦合方法，提高了光器件的可靠性和连接强度。本发明提出的光纤和波导耦合的方法也适用于阵列光纤和阵列波导的熔融耦合。
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公开(公告)号：CN100479356C
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN02136362.5
申请日：2002-08-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 一种基于微机电系统技术制作的光分插复用器，其特征在于以MEMS技术为基础，采用其精确的定位技术，在硅片上精确定位四个球透镜、四个光纤及一个带通滤波器件的位置，然后再在相应的位置放置四根光纤、四个球透镜及一个带通滤波器件，且在光纤与球透镜的放置槽之间设有一段比光纤放置槽位置高1-10μ的槽，以此构成一个基本的四端口光分插复用器。本发明其中两端口作为指定波长的上载端与下载端，其它两端口一个作为输入端，一个作为输出端。本发明主要用于密集波分复用系统中的上下载不同波长信号。串接使用本光分插复用器件还可以实现多波长光信号的上载与下载。
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公开(公告)号：CN101009519A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200710036833.3
申请日：2007-01-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种双通结构衍射光栅光信号监测仪，提供的监测仪能快速、实时、在线实现光网络通信信号与光纤传感信号性能的测量，监测与分析，并且实现了高性能光信号监测装置的小型化和智能化。其特征在于：1)在光信号第一次从衍射光栅输出的衍射光束和第二进入衍射光栅之间放置了光学扫描镜，由光学扫描镜和固定的衍射光栅分别完成波长调谐功能和光信号波长色散功能，并且色散滤波直接由同一个衍射光栅完成；2)在光学扫描镜与衍射光栅之间放置一个直角三棱镜，使光信号实现了空间宽度的压缩与扩展，3)在光电转换单元之前放置了标准参考波长单元；4)设立了网络通信接口单元，用户可通过远程终端测量、监测和分析光信号性能特征。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1844938A
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN200610026522.4
申请日：2006-05-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R19/02
Abstract: 本发明是一种基于微电子机械系统的光学电流传感器，其特征在于采用微机械工艺将MEMS金属线圈制作于MEMS扭转微镜上，非磁性骨架结构的Rogowski线圈和MEMS金属线圈将高压交流电信号以感应电流的形式引入到MEMS扭转微镜的线圈中，在MEMS扭转微镜的背面制作反射镜面，镜面将在电磁力矩的作用下绕轴摆动，采用对角度非常敏感的光束耦合方式能够精确测量出镜面摆动角度，就可以获知电流值。这种光学电流传感器将MEMS技术运用到高压大电流检测中，以感应电流驱动，在高压端无需驱动电源，实现了光电隔离，具有体积小、成本低、可批量生产、抗干扰等优点，具有较高的测试精度和灵敏度，是一种具有应用前景的光学电流传感器。
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公开(公告)号：CN1821052A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200610023321.9
申请日：2006-01-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种圆片级微机械器件和光电器件的低温气密性封装方法，其特征在于利用苯并环丁烯(BCB)材料针对经过湿法腐蚀或干法刻蚀的半导体材料或玻璃进行250℃低温圆片级气密性键合，键合压力为1－3×10－5Pa，真空度为10－3Pa；通过BCB键合封装的微机械器件和光电器件封装的气密性，气密性达到2.1～5.9×10－4Pa cm3/s He，优于军用标准一个数量级以上；剪切强度在4.65MPa以上，完全达到了微电子器件的封装标准；本发明提供的封装方法适用于谐振式MEMS器件、微加速度计、微陀螺、微热辐射仪等，可以有效的减小器件的阻尼，提高器件系统的品质因数(Q值)，从而提高传感器件的灵敏度，是微机械器件和微光电器件的有效低温圆片级气密性封装方法。
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公开(公告)号：CN1719291A
公开(公告)日：2006-01-11
申请号：CN200510026155.3
申请日：2005-05-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种玻璃光波导的制作方法，其主要特征是：首先通过离子交换工艺制备平板光波导，而后采用干法刻蚀或者湿法腐蚀工艺在平板光波导的基础上获得条形光波导或者脊形光波导。制作工艺是(1)用离子交换工艺在玻璃的表面获得扩散层；(2)通过光刻、掩膜、湿法腐蚀或干法刻蚀工艺，在步骤(1)形成的扩散层上制作条形光波导或脊形光波导的芯层；(3)制作上包层。在步骤(1)和(2)之间或步骤(2)和(3)之间进行第二次离子交换，每次离子交换工艺后选择性插入退火工艺。与常用的离子交换法相比，这种方法具有更大的灵活性，可以更方便地控制光波导芯部的几何形状和折射率分布，从而更方便地对光波导的模场分布进行优化。
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公开(公告)号：CN1710453A
公开(公告)日：2005-12-21
申请号：CN200510025829.8
申请日：2005-05-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种采用离子交换工艺在玻璃基片上制作的半导体激光器阵列的光纤耦合器件，特征在于横截面上沿平行于玻璃基片平面的方向形成周期性的若干个高折射率区域；以一个高折射率区域为中心的一个周期构成一个耦合单元，在每个耦合单元内部折射率分布具有相同的分布特征：耦合单元内沿垂直于玻璃基片方向的折射率差值较大，而沿平行于玻璃基片方向的折射率差值较小。耦合器与半导体激光器耦合时，每一个半导体激光器阵列的发光中心与一个耦合器横截面上的高折射率区域中心对准。这种耦合器用于光学系统中可以同时实现半导体激光的快、慢轴准直，因此与半导体激光器有较高的耦合效率。本耦合器件可以降低制作成本和装调难度，提高系统性能。
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公开(公告)号：CN1222795C
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN02112181.8
申请日：2002-06-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海联能科技有限公司
Abstract: 一种采用以压电晶片驱动器制作的二维光开关矩阵及其方法，属于光通信领域，其特征在于镜面排列方法由密排发展为非密排；光纤准直器排列方式由原来对准镜面中心发展为对着镜面间隙；双压电晶片驱动器是由两根长条状压电材料相互平行地粘贴在一起，沿粘贴面插入中间电极，而第二电极和第三电极则分布在粘贴面相对的另两个面上，其根部固定在支架上；工作时，不同的电压沿电极加到压电片上，产生弯曲，其弯曲方向和弯曲大小由电压来控制；镜面或插入双压电晶片的自由端开出的定位槽中；或通过粘贴法粘贴在双压电晶片自由端的侧壁上。本发明突破了“不工作镜面中心不允许与准直器中心在同一高度上”限制。
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