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公开(公告)号：CN103901520A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201410166870.6
申请日：2014-04-23
申请人： 中国科学技术大学
摘要： 一种顶角90°三角形槽阶梯光栅的制作方法，由硅光栅结构(1)、光刻胶(3)与金属膜(4)组成；所制作的光栅槽型是顶角等于90°的三角形，可以获得比顶角不是90°的阶梯光栅更高的衍射效率；光栅结构在斜切的单晶硅片中产生，光栅闪耀角度由切割硅片时切偏角决定，可以实现任意闪耀角光栅制作；90°顶角通过在非直角顶角硅光栅槽中填充光刻胶，并再次进行光刻产生，可将以往非90°顶角的硅光栅转变成90°顶角的三角形槽光栅，所制作的光栅结构，光栅闪耀面是光滑的单晶硅 晶格面，能有效降低散射，提高光栅衍射效率。根据使用波段在光栅表面可选择镀制不同种类反射膜层，实现光栅在宽波段均具有高衍射效率。
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公开(公告)号：CN103411538A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201310306367.1
申请日：2013-07-20
申请人： 中国科学技术大学
摘要： 本发明提供一种数字式波长编码光学绝对位移传感器，利用入射光斑入射到编码光栅尺上得到的波段编码信号，经解调后转化为数字式的电信号，建立起位移与波长编码的一对一关系。解调系统直接给出数字信号，有利于解调系统的微型化处理，传感器部分及信号的传输部分均为光信号传输，能够抗电磁干扰；根据不同的波长信息，决定信号的有无，不是依靠光信号的强度信息，不存在振动、光纤传输损耗、光源强度波动等产生的信号强弱变化带来的错码问题，相对于目前采用变栅距光栅的波长编码传感器而言，其不需要连续光源，解调部分利用感光面积较大的色敏元件替代了线阵CCD等，提高了响应频率，同时将传感器的高低温适应性提高。
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公开(公告)号：CN102205671B
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201110062679.3
申请日：2011-03-15
申请人： 中国科学技术大学
IPC分类号： B32B3/30 , B32B17/10 , B32B15/082 , G01B11/16 , G01B11/02
摘要： 本发明实施例公开了一种测量材料表面形变的简易贴及其制作方法，该方法包括：提供基底；在所述基底上粘贴表面粗糙的胶带；在所述胶带上形成反射层，所述反射层表面与所述胶带表面具有高光学对比度；采用光刻工艺，在所述胶带上形成网格、点阵或栅线的图形；将所述胶带与所述基底分离，制作完成测量材料表面形变的简易贴。本发明实施例通过采用光刻工艺，可以制作直径为微米至毫米数量级的网格、点阵或栅线等，使得最终网格/点阵的尺寸能够满足CCD相机以及自动网格法对小尺寸网格/点阵的要求。并且，由于紫外光刻技术自身的特点，使得制作出的网格、点阵或栅线等很有规则且均匀，而且制作技术成熟、简单，制作周期短。
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公开(公告)号：CN101398315B
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200810196752.4
申请日：2008-09-19
申请人： 中国科学技术大学
摘要： 本发明涉及一种在柱面上反射式变栅距光栅的制作，解决了现有绝对式角度位移传感器中柱面变栅距光栅的制作难题。具体制作方法：在光学玻璃基底上涂光刻胶，用全息法在光刻胶上制得变栅距光栅图形；用溅射法在浮雕结构变栅距光栅图形上镀铬和镀金，再电镀镍得到金属镍变栅距光栅，用丙酮溶液溶解掉光刻胶层，再镀铝得到金属镍变栅距光栅基片，最后将金属镍变栅距光栅基底弯曲粘附在圆柱面上，固化后得圆柱面变栅距光栅。本发明方法不要求很高的机械加工精度来抛光金属基底，柱面变栅距金属光栅的表面精度是由光刻胶光栅表面精度复制而得，所以能实现纳米级的表面精度。制造成本低，光栅效率更高。
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公开(公告)号：CN101339006A
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200810021578.X
申请日：2008-08-01
申请人： 中国科学技术大学
IPC分类号： G01B11/22
摘要： 本发明位相型朗奇(Ronchi)光栅槽深的光学检测方法。解决了对于周期远大于其工作波长的位相型朗奇光栅槽深的精确检测。本发明包括：1.利用光谱仪记录工作光源的初始光谱曲线Is(λ)；2.工作光源的出射光正入射至位相型朗奇光栅表面；3.利用光谱仪记录位相型朗奇光栅对工作光源的零级透射光的光谱曲线Ig(λ)；4.计算位相型朗奇光栅的零级光谱透射率；5.根据光栅零级光谱透射率η(λ)确定位相型朗奇光栅零级光谱透射率极小值ηmin对应的波长λmin；6.最后计算出位相型朗奇光栅的槽深。本发明方法适用于周期远大于其工作波长的位相型朗奇光栅槽深检测，其检测原理简单可靠，所需设备少，检测成本较低，而且能够快速、灵敏地实现朗奇光栅槽深的无损检测。
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公开(公告)号：CN116774335A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310854621.5
申请日：2023-07-12
申请人： 中国科学技术大学
摘要： 本申请公开了一种凹面变线距光栅的制备方法及制备系统，该制备方法包括：基于初始曝光参数，对第一基底表面上的第一光刻胶层进行曝光和显影，以形成第一光刻胶光栅；检测得到第一光刻胶光栅聚焦的光斑；当第一光刻胶光栅聚焦的光斑不满足预设条件时，调整曝光参数，以使得基于调整后的曝光参数制备得到的光刻胶光栅聚焦的光斑满足预设条件；基于调整后的曝光参数，对第二基底表面上的第二光刻胶层进行曝光和显影，以形成第二光刻胶光栅；其中，基于第二光刻胶光栅对第二基底进行刻蚀能够形成满足预设条件的凹面变线距光栅。基于该方法制备凹面变线距光栅可以有效的解决在曝光过程中因曝光参数不准确而导致的凹面变线距光栅的线密度误差。
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公开(公告)号：CN111856636B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202010631672.8
申请日：2020-07-03
申请人： 中国科学技术大学
IPC分类号： G02B5/18
摘要： 本发明公开了一种变间距光栅掩模线密度分布可控微调方法，解决常规近场全息方法不能直接复制及微调掩模线密度及其空间分布的问题。通过微调近场全息曝光参数和引入过渡掩模来实现线密度与初始掩模线密度分布相同或呈一定偏移的一系列线密度分布渐变的变间距光栅掩模。本发明可以有效的微调近场全息变间距光栅位相掩模的线密度分布，由此减少了对电子束光刻制作方法的依赖，降低位相掩模的制作成本，在一定程度上灵活快速地获得具有不同线密度分布的掩模，以满足不同场合的不同需求，是一种十分重要的、低成本的变间距光栅的制作方法。本发明对利用近场全息方法调控光栅线密度空间分布，在此基础上提高高精度变间距光栅的制作质量和效率十分重要。
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公开(公告)号：CN110174244A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201910501496.3
申请日：2019-06-11
申请人： 中国科学技术大学
IPC分类号： G01M11/02
摘要： 本申请公开了一种平面基底变间距光栅的线密度测试系统及测试方法，该线密度测试系统与传统自准直衍射法相比不存在偏心问题，与双波长消偏心衍射法相比只需单波长，不存在双波长对准问题，与单波长多级次衍射法相比可以测试高线密度光栅，与LTP法相比可以一次性测试线密度变化率大的光栅。并且，以上传统的测试手段均会受变间距光栅发散的衍射斑尺寸影响，而本申请采用直边刀口定位，不存在衍射斑尺寸限制，更适合用于大线密度变化率的变间距光栅线密度测试。
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公开(公告)号：CN105428292B
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201510793828.1
申请日：2015-11-17
申请人： 中国科学技术大学
IPC分类号： H01L21/68 , H01L23/544
摘要： 本发明提供了一种光栅掩模与硅片{111}晶面的对准方法，包括以下步骤：A)在硅片上制作具有光栅衍射特性的多个对准标志图形，各对准标志图形具有与所述硅片的定位边平行的两长边；B)将步骤A)得到的硅片进行湿法刻蚀，使所述对准标志图形的长边沿着硅片的{111}晶面截止，得到具有多个第一对准标志图形的硅片；C)定位表征光栅掩模的基准线，采用激光照射所述多个第一对准标志图形的长边，得到所述多个第一对准标志图形的长边的衍射斑，将所述基准线与所述衍射斑重合。该对准方法只需要制作一次对准标志图形，无需显微镜观察比较，便可零误差定位{111}晶面，并利用其衍射特性进行表征。该方法对准总误差≤±0.016°。
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