- 专利标题: 抑制垂直光栅矢量方向次生干扰的近场全息动态曝光方法
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申请号: CN201710407545.8申请日: 2017-06-02
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公开(公告)号: CN107272098B公开(公告)日: 2020-01-03
- 发明人: 刘颖 , 林达奎 , 陈火耀 , 刘正坤 , 邱克强 , 徐向东 , 洪义麟 , 付绍军
- 申请人: 中国科学技术大学
- 申请人地址: 安徽省合肥市包河区金寨路96号
- 专利权人: 中国科学技术大学
- 当前专利权人: 中国科学技术大学
- 当前专利权人地址: 安徽省合肥市包河区金寨路96号
- 代理机构: 北京科迪生专利代理有限责任公司
- 代理商 杨学明; 顾炜
- 主分类号: G02B5/18
- IPC分类号: G02B5/18
摘要:
本发明涉及抑制位相掩模垂直光栅矢量方向次生干扰的近场全息动态曝光方法,属于一种衍射光栅的制备技术领域,即在近场全息曝光时,通过在垂直于光栅矢量方向上的微位移抑制位相掩模初始的垂直于光栅矢量方向的次生干扰图形,降低制作光栅的杂散光水平、并提高光栅的占宽比均匀性。
公开/授权文献
- CN107272098A 抑制位相掩模垂直光栅矢量方向次生干扰的近场全息动态曝光方法 公开/授权日:2017-10-20