一种凹面变线距光栅的制备方法及制备系统

    公开(公告)号:CN116774335A

    公开(公告)日:2023-09-19

    申请号:CN202310854621.5

    申请日:2023-07-12

    IPC分类号: G02B5/18 G03F7/00

    摘要: 本申请公开了一种凹面变线距光栅的制备方法及制备系统,该制备方法包括:基于初始曝光参数,对第一基底表面上的第一光刻胶层进行曝光和显影,以形成第一光刻胶光栅;检测得到第一光刻胶光栅聚焦的光斑;当第一光刻胶光栅聚焦的光斑不满足预设条件时,调整曝光参数,以使得基于调整后的曝光参数制备得到的光刻胶光栅聚焦的光斑满足预设条件;基于调整后的曝光参数,对第二基底表面上的第二光刻胶层进行曝光和显影,以形成第二光刻胶光栅;其中,基于第二光刻胶光栅对第二基底进行刻蚀能够形成满足预设条件的凹面变线距光栅。基于该方法制备凹面变线距光栅可以有效的解决在曝光过程中因曝光参数不准确而导致的凹面变线距光栅的线密度误差。