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公开(公告)号:CN112255296B
公开(公告)日:2022-11-29
申请号:CN202011152138.5
申请日:2020-10-23
申请人: 中国电子科技集团公司第四十九研究所
IPC分类号: G01N27/41 , G01N27/409 , C04B35/48 , C04B41/88
摘要: 基于陶瓷共烧工艺技术的分压型氧气传感器及其制备方法,涉及传感器结构设计及制造技术领域。本发明的目的是要解决传统分压型氧传感器存在抗力学和温度冲击差、寿命短,采用玻璃封接釉封接泵池和浓差池围成密闭腔室时存在涂敷工艺难度大的问题。方法:将泵池和浓差池叠放在一起形成一个密闭的空气腔室,采用丝网印刷技术在空气腔室内印刷挥发层浆料并使挥发层浆料充满空气腔室,通过等静压技术由上至下进行预压,得到预制件;采用划片技术将预制件进行切割分离,得到若干个传感器,通过烧结技术将传感器烧结成型。本发明可获得基于陶瓷共烧工艺技术的分压型氧气传感器及其制备方法。
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公开(公告)号:CN113156059A
公开(公告)日:2021-07-23
申请号:CN202110424020.1
申请日:2021-04-20
申请人: 中国电子科技集团公司第四十九研究所 , 哈尔滨工业大学
IPC分类号: G01N33/00
摘要: 一种管状结构纳米锰氧化物材料的制备方法,本发明涉及一种管状结构纳米锰氧化物材料的制备方法。本发明以碳纤维和高猛酸钾为主要原料,将碳纤维与高猛酸钾放入硫酸溶液中,采用水浴反应法在碳纤维表面反应沉积不同质量锰氧化物,通过沉积锰氧化物的碳纤维煅烧去除制得了管状结构纳米锰氧化物材料。该方法具有工艺流程简单、重复性高、环境友好等特点。基于该材料的气体传感器具有灵敏度高、室温工作等特点,在气体传感器领域具有广泛的应用价值。本发明应用于气体传感器、催化降解、能量储存、生物传感器、药物传递的领域。
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公开(公告)号:CN111551759A
公开(公告)日:2020-08-18
申请号:CN202010287658.0
申请日:2020-04-13
申请人: 中国电子科技集团公司第四十九研究所
摘要: 一种用于热膜式风速传感器单元的测试夹具,涉及一种传感器性能测试技术,为了解决现有的风速传感器单元与其测试夹具通过引线连接而影响信号测量质量的问题。本发明的传感器单元设置在风道盖板与陶瓷基座形成的腔体内;陶瓷基座本体为阶梯状,第一平面设置在第二平面上;传感器单元与第一平面接触,风道盖板覆盖在传感器单元上;引出线条镶嵌在陶瓷基座本体上,同时引出线条由第一平面边缘处一直延伸至第二平面边缘处;引出线条所镶嵌的位置与传感器单元上多个焊盘的位置一一对应;凸起设置在陶瓷基座本体第一平面的上表面,并且凸起设置的位置与传感器单元上定位点的位置相对应。有益效果为避免了测试时由于测试引线造成的信号误差。
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公开(公告)号:CN110632338A
公开(公告)日:2019-12-31
申请号:CN201911102963.1
申请日:2019-11-12
申请人: 中国电子科技集团公司第四十九研究所
IPC分类号: G01P3/49
摘要: 一种共烧结构的电涡流式高温转速传感器用敏感探头及制备方法,涉及一种高温转速传感器用敏感探头。目的是解决电涡流式转速传感器温度范围窄、探头尺寸大、电涡流场一致性差和可靠性低的问题。敏感探头由陶瓷基板、敏感线圈、线圈保护层、信号引出线、焊盘保护层和焊盘构成。制备:氧化铝生瓷带冲孔并印刷成线圈图形,叠放得到平面线圈生坯块或多层线圈生坯块;在氧化铝生瓷带表面涂覆保护层浆料,进行排胶和一次高温烧结,金属信号引出线和焊盘封接,进行二次高温烧结;封接处覆盖玻璃浆料,进行三次高温烧结,形成焊盘保护层。敏感探头具有高温下可靠性高,一致性好,微型化,耐振动性能高,耐温度冲击性能好等优点。本发明适用于制备敏感探头。
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公开(公告)号:CN109613086A
公开(公告)日:2019-04-12
申请号:CN201811525828.3
申请日:2018-12-13
申请人: 中国电子科技集团公司第四十九研究所
IPC分类号: G01N27/30
摘要: 气体敏感芯片及其制备方法,涉及气体传感器领域。本发明是为了解决现有气体敏感芯片在筛选、传递和测试过程中,容易被损坏,进而导致成品率低的问题。本发明所述的气体敏感芯片,气体敏感单元的基底上沿三条连续的边留有宽度相同的基底键合区,透气封盖为一侧开口的长方体盖状结构,透气封盖顶部开有电气引出口、且透气封盖顶部的中心位置还开有透气孔,透气封盖的底部盖沿构成封盖键合区,透气封盖盖合在气体敏感单元上方,基底键合区与封盖键合区相互对应并实现键合连接,使得透气封盖中心与基底的中心正对、且气体敏感单元上的所有焊盘均位于电气引出口的下方。
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公开(公告)号:CN105651411A
公开(公告)日:2016-06-08
申请号:CN201511029261.7
申请日:2015-12-30
申请人: 中国电子科技集团公司第四十九研究所
摘要: 一种高温铂电阻封装结构及其制备方法,它涉及一种电阻封装结构及其制备方法。它要解决目前铂电阻无法在高温环境中使用的问题。高温铂电阻封装结构包括基片、铂电阻和高温保护层。方法:一、在陶瓷片上一侧采用铂浆烧结,获得铂导线、铂电阻安装焊盘和正面焊盘;二、在另一侧采用铂浆烧结,获得背面焊盘;三、铂浆烧结连接电阻与基片;四、采用高温玻璃浆料烧结,获得高温保护层;五、倒角处理,即完成。本发明高温铂电阻封装结构,测量精度高、稳定性好,能够用于高温环境的温度测量;制备工艺简单。增加了焊盘焊接的可靠性,节约成本。将铂电阻的测量温度提高到600℃以上,测量范围为-70℃~1000℃,测量精度能够达到±0.5%。
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