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公开(公告)号：CN103280398A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201310208785.7
申请日：2013-05-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/18
Abstract: 本发明公开了一种制备横向石墨烯PN结的方法，属于半导体器件及薄膜晶体生长领域领域。该发明首先在SiC衬底上制备n型掺杂的石墨烯，然后对石墨烯进行选择处理，包括掩膜或图形化处理或预沉积适量的p型掺杂元素，最后在氢气气氛或真空下进行退火，控制退火时间与温度，得到横向石墨烯PN结。该方法是通过对SiC衬底与石墨烯的界面控制，实现石墨烯掺杂类型、掺杂浓度的控制；与化学掺杂或静电调制等手段实现石墨烯PN结相比，该方法避免了化学掺杂带来的污染和晶格破坏，同时石墨烯PN结尺寸可控，且制备工艺简单。该方法为研究石墨烯PN结的新奇特性和实现各种石墨烯功能器件奠定了基础。
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公开(公告)号：CN103280395A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201310184128.3
申请日：2013-05-17
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种热退火法在金刚石表面制作氢端基导电沟道的方法，其特征在于包括以下步骤：（1）将多晶金刚石基片放入化学气相沉积设备反应室内，将反应室抽真空；（2）将反应室进行升温，并保持一段时间，去除多晶金刚石基片表面的杂质和有机物残留；（3）向反应室内通入氢气，在氢气气氛内，将多晶金刚石基片升温，恒温保持一段时间；（4）降低氢气流量，将多晶金刚石基片在氢气气氛内降温至室温后取出，关闭所有气体源。所述方法既可以在金刚石表面有效地形成C-H键，实现导电沟道，又可以保证金刚石表面的光滑平整，处理前后粗糙度基本不变，提高了载流子的迁移率。
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公开(公告)号：CN103280394A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201310183856.2
申请日：2013-05-17
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种在金刚石表面制作稳定耐高温氢端基导电沟道的方法，包括以下步骤：一、在衬底上形成高阻金刚石层；二、在高阻金刚石层的上表面经处理形成氢端基金刚石；三、将上述样品置于含有极性分子的气体、溶液或溶胶中处理，使氢端基金刚石中的氢端基充分吸附含有极性分子的气体、溶液或溶胶中的极性分子或官能团，从而在氢端基金刚石下表面10-20nm处形成p型导电沟道，在氢端基金刚石的上表面形成极性分子吸附层；四、将上述样品取出后常温淀积介质阻挡层。所述方法可使p型金刚石材料沟道内的载流子浓度和迁移率在20℃-500℃范围内保持稳定，进而实现金刚石器件在高温环境下正常工作。
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公开(公告)号：CN118910738A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411038981.9
申请日：2024-07-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种金刚石表面抛光损伤层的去除方法，属于金刚石技术领域，包括步骤依次为：对金刚石表面进行精抛光处理；将抛光后的金刚石使用电感耦合等离子体刻蚀机进行处理，其中使用的刻蚀气体为Cl2与Ar的混合气体；将处理后的金刚石送入MPCVD设备的腔体内部，利用氢等离子体进行刻蚀；使用显微镜观察金刚石表面形貌，分析金刚石表面缺陷情况。本发明提供的金刚石表面抛光损伤层的去除方法，解决了金刚石表面抛光损伤层不易去除，导致其物理特性下降，限制了金刚石器件性能的提升的技术问题，能够有效去除金刚石抛光工艺引入的表面应力损伤，最后提高金刚石表面层的晶体质量，从而进一步为金刚石器件提供高质量衬底材料。
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公开(公告)号：CN118311486A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410374558.X
申请日：2024-03-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R33/24
Abstract: 本发明适用于金刚石色心量子传感技术领域，提供了一种金刚石NV色心磁强测量方法及系统，该方法包括：控制系统中的微波信号源进行扫频，并获取扫频过程中系统的锁相放大器输出的电压信号；根据电压信号，确定当前磁场强度下的光探测磁共振谱线；根据光探测磁共振谱线，确定金刚石NV色心的NV轴方向对应的微波共振频率；基于金刚石NV色心的NV轴方向对应的微波共振频率对微波信号源进行锁频，以使系统测量磁场强度。本发明能够解决基于磁通量聚集器技术的磁测量方法测量量程低的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110676169B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN201910837111.0
申请日：2019-09-05
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/335 , H01L29/16
Abstract: 本发明适用于石墨烯晶体管制备技术领域，提供了一种石墨烯胶囊封装晶体管的制备方法，包括：在第一预设衬底上生长h‑BN薄膜并利用第一光刻胶制备h‑BN台面样品；将h‑BN台面样品去除第一预设衬底后通过热释放胶带转移到石墨烯上，并去除热释放胶带以及第一光刻胶，获得石墨烯样品；其中石墨烯样品包括h‑BN台面；对石墨烯样品进行第一次刻蚀，获得较h‑BN台面大的石墨烯台面；在石墨烯台面以及h‑BN台面上分别制备源极、漏极以及栅极，获得石墨烯胶囊封装晶体管。本发明的石墨烯胶囊封装晶体管的制备方法，可以使源极和漏极与石墨烯台面形成水平面内电极接触，从而降低接触电阻，降低石墨烯胶囊封装晶体管的制备难度，提高成品率。
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公开(公告)号：CN112309846B
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202011032709.1
申请日：2020-09-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/28 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及半导体晶体管技术领域，具体公开一种二维材料场效应晶体管的制备方法。所述制备方法包括如下步骤：在绝缘衬底上生长或转移二维材料层；在所述二维材料层表面依次蒸镀第一金属层和第二金属层；旋涂台面胶，光刻显影，腐蚀台面外金属；去除台面胶，旋涂电极光刻胶，光刻显影，蒸镀源漏电极并剥离；旋涂电子束光刻胶，曝光并显影，得到沟道图形，腐蚀第二金属层得栅槽，并清洗；使栅槽处第一金属层自氧化得到栅介质，蒸发栅金属并剥离。本发明提供的制备方法只腐蚀沟道处的第二金属层，使第一金属层自氧化形成栅介质，沟道处的二维材料不接触任何溶液避免污染问题出现，得到超洁净的二维材料场效应晶体管。
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公开(公告)号：CN114686971A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210213400.5
申请日：2022-03-04
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: C30B25/00 , C30B29/04 , C23C16/458
Abstract: 本发明提供了一种MPCVD单晶金刚石生长钼托及单晶金刚石的生长方法，属于气相沉积技术领域，包括：钼托底座以及分体的钼环，钼环层叠置于钼托底座上，且其外表面不凸出于钼托底座的外表面，钼环具有外接于金刚石衬底的通孔。本发明提供的MPCVD单晶金刚石生长钼托，能够解决金刚石衬底与卡槽侧壁的面面接触导致散热不均、结碳层难于清理、及金刚石衬底移动的问题。钼托结构简单，便于操作，在金刚石生长过程中，散热均匀，成本低廉，便于清洁，解决了在单晶金刚石生长时存在的一系列问题，对于研究高质量单晶金刚石的生长具有重大意义。
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公开(公告)号：CN114114095A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111274174.3
申请日：2021-10-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R33/032
Abstract: 本发明适用于传感器技术领域，提供了一种基于金刚石NV色心的磁力测量系统，包括：激光器、金刚石NV色心、光纤、光纤准直器、滤光片、光电探测器、微波天线及微波源；微波天线设置在金刚石NV色心的正上方，与微波源连接，用于扫频；激光器发射的激光光束由入射位进入金刚石NV色心内部；金刚石NV色心在在微波天线的影响下激发产生荧光，荧光由出射位通过光纤形成出射光束；出射光束经光纤准直器形成平行光，并通过滤光片滤光后入射到光电探测器。本发明采用光纤集成金刚石NV色心光学腔体有效提高了荧光的激发效率，同时金刚石NV色心表面镀反射膜，提高了荧光的收集率，从而提高了磁力测量系统的测量精度。
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公开(公告)号：CN113871465A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202110994689.4
申请日：2021-08-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/423 , H01L29/45 , H01L29/51 , H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了一种金刚石场效应晶体管及制备方法，属于金刚石场效应晶体管器件技术领域，金刚石场效应晶体管包括金刚石衬底、氢终端、欧姆接触金属层、介质层、h‑BN介质层和栅金属层，晶体管制备方法包括在金刚石衬底上形成氢终端‑在氢终端金刚石上形成欧姆接触金属层‑在欧姆接触金属层上和氢终端上形成介质层‑在介质层上形成刻蚀槽‑在介质层上和刻蚀槽内形成h‑BN介质层‑在h‑BN介质层与刻蚀槽对应的区域设置有栅金属槽‑在栅金属槽内和与栅金属槽相邻的h‑BN介质层上形成栅金属层。本发明提供的金刚石场效应晶体管及制备方法，具有降低金刚石场效应晶体管的界面态密度，提升器件的直流和射频性能的技术效果。
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