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公开(公告)号：CN102269520B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201110179475.8
申请日：2011-06-28
Applicant: 中国原子能科学研究院
Inventor： 陈东风 , 刘蕴韬 , 高建波 , 李峻宏 , 王洪立 , 孙凯 , 肖红文 , 韩松柏 , 李眉娟 , 张莉 , 吴展华 , 李天富 , 焦学胜 , 梁峰 , 杨浩智 , 王子军 , 胡瑞
Abstract: 本发明涉及中子衍射样品原位实验技术，具体涉及一种用于中子衍射样品原位实验的镜面高温炉装置。其结构包括上、下两个椭球反射保温装置，椭球反射保温装置中设有椭球镜面，其中，所述的上、下两个椭球反射保温装置之间通过若干根支撑杆连接，用于放置样品的坩埚通过水平支架设置在若干根支撑杆所围成的空间中，坩埚设有加热装置。本发明所提供的镜面高温炉装置的中间部分采用支撑杆支撑连接，保证了中子束流进入和穿出样品的路径通透，减少了中子束流的吸收衰减。
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公开(公告)号：CN102841368A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201210320771.X
申请日：2012-08-31
Applicant: 中国原子能科学研究院
IPC: G01T1/185
Abstract: 本发明属于核辐射测量技术领域，具体涉及一种气体核辐射探测器收集的电荷数与外加电压的关系曲线测量方法及系统。该方法首先确定主放大器时间常数，继而在该时间常数下测量气体核辐射探测器收集的电荷数与外加电压的关系曲线，根据测量的关系曲线就可以判断或验证探测器类型、估算气体增益范围。本发明以在探测器内相同沉积能量产生的最显著的特征能峰为测量依据，避免了其他沉积能量的干扰，将收集的电荷数与外加电压的关系曲线测量扩展至发射不同能量β粒子的辐射源和气体中子探测器领域。
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公开(公告)号：CN102332318A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201110200106.2
申请日：2011-07-18
Applicant: 中国原子能科学研究院
Inventor： 陈东风 , 李眉娟 , 刘晓龙 , 吴立齐 , 吴展华 , 田庚方 , 杨浩智 , 李峻宏 , 高建波 , 焦学胜 , 李天富 , 韩文泽 , 肖红文 , 余周香 , 胡瑞 , 孙凯 , 王洪立 , 刘蕴韬
Abstract: 本发明公开了一种中子织构衍射仪的第一准直器调整装置，涉及中子散射技术领域，解决了现有技术中多个第一准直器进行位置调整时，多个第一准直器整体移动，占用空间体积过大，会大幅增加外部屏蔽体的成本的问题。本发明实施例提供的方案为：一种中子织构衍射仪的第一准直器调整装置，所述中子织构衍射仪包括多个第一准直器，包括平移导轨，所述平移导轨上设有用于安装多个第一准直器并使每个第一准直器均可独立平移运动的平移单元。本发明实施例适用于中子织构衍射仪等。
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公开(公告)号：CN101599307A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200910119503.X
申请日：2009-03-12
Applicant: 中国原子能科学研究院
Inventor： 李际周 , 李峻宏 , 高建波 , 陈东风 , 刘蕴韬 , 孙凯 , 王洪立 , 韩松柏 , 李天富 , 焦学胜 , 余周香 , 租勇 , 刘荣灯 , 刘晓龙 , 杨建立 , 林永明
IPC: G21F7/00
Abstract: 本发明属于中子散射技术领域，公开了一种中子单色器的屏蔽装置。该装置为封闭的圆柱形鼓状结构，中间旋转部分是由一个带有齿圈并设置N+1个防旋电磁铁的旋转托盘，安装于其上的一个大楔块，N个分度小楔块，以及下部转盘轴承组成，大楔块与旋转托盘相互固定在一起，N个分度小楔块依次置于大楔块的缺口部位。在小楔形块的上方设置一个固定电磁铁，防旋电磁铁、固定电磁铁在通电时吸住小楔块。本发明所提供的技术方案通过软硬件配合来完成复杂的运动，结构简单，加工方便。
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公开(公告)号：CN119864410A
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202411874991.6
申请日：2024-12-18
Applicant: 中国原子能科学研究院
IPC: H01M4/505 , C01G53/51 , H01M4/525 , H01M10/054
Abstract: 本发明涉及一种基于氧变价的多元层状氧化物材料、制备方法及用途，以Mg和Mn作为主要元素，少量掺杂多种其它元素，其化学式为NaxMgaMnbMcO2，M为元素Ni、Cu、Zn、Fe、Co、Li、Al、Ti的多种组合，0.6≤x≤0.72,0.15≤a≤0.33，0.45≤b≤0.8，0.01≤c≤0.31，a+b+c＝1。本发明通过少量多元掺杂的方法，将多种元素引入到层状氧化物中，一方面可以稀释氧活性单元的分布，减少氧离子的过度氧化，另一方面减少锰的分布，降低锰变价带来的结构畸变，进而增加层状氧化物在充放电过程中的结构稳定性和氧变价稳定性，既利用了氧变价带来的高容量，又保证了优异的循环性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110112422B
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201910416918.7
申请日：2019-05-17
Applicant: 中国原子能科学研究院 , 清华海峡研究院(厦门)
Abstract: 一种微孔金属箔的制造方法，包括如下步骤：S1、在金属箔的第一表面覆盖第一掩膜层，在金属箔的第二表面覆盖第二掩膜层，以形成覆膜金属箔；S2、使用荷能重离子对覆膜金属箔进行辐照，以在第一掩膜层和/或第二掩膜层内形成离子径迹；S3、对辐照后的覆膜金属箔进行蚀刻，以在覆膜金属箔上形成微孔；S4、去除经过蚀刻后的覆膜金属箔表面的第一掩膜层和第二掩膜层，得到微孔金属箔。本发明提供的上述制造方法具有成本低、工艺简单，生产效率高等特点；且按照本发明提供的方法制得的微孔金属箔的孔径较小，能够满足将其作为集流体制作电极的需求。
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公开(公告)号：CN111627585A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201910062118.X
申请日：2019-01-22
Applicant: 中国原子能科学研究院
IPC: G21F3/00
Abstract: 本发明公开了一种中子单色器屏蔽系统，该中子单色器屏蔽系统包括：屏蔽转鼓，具有一容置空间以容纳单色器，该屏蔽转鼓包含：若干块层叠的屏蔽块；复合楔形块结构，该复合楔形块结构沿着径向分布有至少两层的楔形块结构，每层楔形块结构中包含多个楔形块；以及楔形块提升装置，设置于最高层屏蔽块上，与复合楔形块结构中的楔形块的位置一一对应；其中，通过利用楔形块提升装置提升不同位置处的楔形块，为不同的单色器起飞角提供中子出射孔道。复合楔形块结构在很大程度上减少屏蔽开口尺寸，进而减少非中子路径上的开口的尺寸，能够大大提升屏蔽效果、降低谱仪的本底进而提高谱仪性能。
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公开(公告)号：CN111530297A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN202010380890.9
申请日：2020-05-08
Applicant: 中国原子能科学研究院 , 瑞昌核物理应用研究院
IPC: B01D67/00
Abstract: 本发明公开了一种具有图案的核孔膜的制造方法，包括以下步骤：提供高分子材料薄膜；对高分子材料薄膜进行重离子辐照，以便在高分子材料薄膜中形成核径迹；对经过重离子辐照的高分子材料薄膜的至少一部分进行激光照射，以使高分子材料薄膜的至少一部分中的核径迹发生改变；对经过激光照射的高分子材料薄膜进行化学蚀刻，以便通过化学腐蚀使核径迹形成为微孔，同时在高分子材料薄膜的经过激光照射的至少一部分上和在未被激光照射的其余部分上产生不同的蚀刻效果，从而形成具有图案的核孔膜。本发明以简易、低成本且节约时间的方式制造具有图案的核孔膜，同时减少了胶黏剂和覆膜的使用，减少环境污染。
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公开(公告)号：CN109671513B
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201811618906.4
申请日：2018-12-27
Applicant: 中国原子能科学研究院
Abstract: 本发明公开了一种发散角连续可调的中子准直器结构及其标定方法，中子准直器结构包括：若干片中子吸收层平行设置，每片中子吸收层的上、下方均固定有调整柱；调整滑块，为一中空框结构，设置于若干片中子吸收层外部；其中，该调整滑块的上、下表面均设置有与中子吸收层对应数量的调整槽，各个调整槽之间的间距沿着中子吸收层平行设置的方向呈渐变分布，中子吸收层的调整柱伸入该调整槽内；以及驱动结构，用于驱动该调整滑块沿着中子吸收层平行设置的方向进行移动，以改变调整柱在调整槽中所处的位置使中子吸收层的间距发生变化，从而实现中子发散角的连续调节。该结构可实现发散角按需调整，满足各种中子实验要求，节约中子束流时间和经费。
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公开(公告)号：CN109671513A
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201811618906.4
申请日：2018-12-27
Applicant: 中国原子能科学研究院
Abstract: 本发明公开了一种发散角连续可调的中子准直器结构及其标定方法，中子准直器结构包括：若干片中子吸收层平行设置，每片中子吸收层的上、下方均固定有调整柱；调整滑块，为一中空框结构，设置于若干片中子吸收层外部；其中，该调整滑块的上、下表面均设置有与中子吸收层对应数量的调整槽，各个调整槽之间的间距沿着中子吸收层平行设置的方向呈渐变分布，中子吸收层的调整柱伸入该调整槽内；以及驱动结构，用于驱动该调整滑块沿着中子吸收层平行设置的方向进行移动，以改变调整柱在调整槽中所处的位置使中子吸收层的间距发生变化，从而实现中子发散角的连续调节。该结构可实现发散角按需调整，满足各种中子实验要求，节约中子束流时间和经费。
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