-
公开(公告)号：CN119800323A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510293140.0
申请日：2025-03-13
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明提供一种抗反射型氧化镁纳米结构的制造方法，包括以下步骤：将对应晶态的氧化镁衬底进行清洗操作；待完成对所述氧化镁衬底的清洗操作，在所述氧化镁衬底上进行基于氧化硅的沉积操作，得到氧化硅层；对所述氧化硅层进行图案化处理，得到位于所述氧化镁衬底之上的氧化硅纳米结构；在所述氧化镁衬底上进行基于对应非晶态的氧化镁的沉积操作，以形成覆盖所述氧化硅纳米结构以及所述氧化镁衬底的氧化镁层；对所述氧化镁层进行刻蚀，以露出所述氧化硅纳米结构；将所述氧化硅纳米结构进行去除，以形成氧化镁纳米结构；对所述氧化镁纳米结构进行退火操作，以将对应非晶态的氧化镁纳米结构转换为对应晶态的氧化镁纳米结构。
-
公开(公告)号：CN119764870A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202510270403.6
申请日：2025-03-07
Applicant: 中北大学
IPC: H01Q17/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种基于ITO电阻损耗的宽带极化不敏感赫兹吸波材料，属于大赫兹吸波材料技术领域，旨在解决现有太赫兹吸波材料在宽频吸收能力、斜入射角适应性、极化不敏感性及结构轻量化等方面的不足。所述吸波材料，从上至下依次包括四层由ITO贴片单元组成的ITO电阻损耗层，每层ITO电阻损耗层粘附在PET双面胶层上，并通过PS泡沫介质层进行分割。该结构实现了极化不敏感特性，消除了现有吸波材料对极化角度依赖的问题。
-
公开(公告)号：CN118310671A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410741952.2
申请日：2024-06-11
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明的目的在于提供一种应用于高温环境下的温压原位同测方法，属于半导体技术领域，首先确定待测压敏电阻R0所在传感器的掺杂浓度。然后用高低温冲击试验箱测量与待测压敏电阻R0掺杂浓度相同的压敏电阻R1的电阻‑温度拟合曲线A。再测量待测压敏电阻R0在常温下的电阻值。接着将待测压敏电阻R0常温下的电阻值与电阻‑温度拟合曲线A进行匹配，得到已封装好的传感器的待测压敏电阻R0的电阻值与电阻‑温度拟合曲线B。最后当待测压敏电阻R0所对应的传感器在工作测压时，将测得的阻值带入传感器电阻‑温度拟合曲线B，可得此时传感器对应的工作温度。通过该方法，可以提高高温环境下压力传感器的工作性能，使温压同位检测更加精准。
-
公开(公告)号：CN111592043B
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202010359229.X
申请日：2020-04-29
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明涉及一种三氧化钼量子点的合成方法及其应用，其合成方法为S1、将高锰酸钾，溶于水中，调节pH值到酸性；S2、向步骤S1中获得的溶液加入二硫化钼，水浴加热至反应完全；S3、将步骤S2中获得的溶液，离心，取上清液加入无水乙醇、过氧化氢溶液，于反应釜中进行水热反应，得到三氧化钼量子点。三氧化钼量子点的应用为用于Cr2O72‑的检测。本发明的合成方法不用表面活性剂，合成的量子点中钼的价态高，导致制备的量子产率高，合成的MoO3量子点可以用于Cr2O72‑的快速和高灵敏度的检测，其对Cr2O72‑的检测限宽为0～3μmol/L，检出限可达59nmol/L。
-
公开(公告)号：CN114852952A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210373580.3
申请日：2022-04-11
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明的目的在于提供一种适用于批量化、低成本、较简便的超薄悬浮膜释放方法，属于MEMS传感器技术领域，本发明在干法刻蚀过程中通过引入贴片环，贴片环光刻胶形成台阶，使得正面保护的陪片与膜结构不直接接触，避免了之后膜分离时的外力损伤。贴片环位于晶圆一圈，属于密闭环，避免刻蚀气体进入空隙造成损伤。适用于批量化、低成本、较简便的超薄悬浮膜释放。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112366270A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN202011239341.6
申请日：2020-11-09
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明涉及红外探测技术领域，公开了一种热电堆红外探测器及其制备方法，探测器包括从下至上依次设置的硅衬底、第一支撑层、吸收材料支撑层，吸收材料支撑层上设置有多个热偶条，热偶条按照“非”字形双列排布形成热偶条区域，钝化吸热层沉淀设置在热偶条上并向下延伸至吸收材料支撑层的上表面，热偶条区域边缘位置无钝化吸热层覆盖；位于首行和尾行的热偶条外侧分别设置有一个与热偶条方向平行的隔热槽，隔热槽从吸收材料支撑层向下延伸并穿透第一支撑层；钝化吸热层上设置有U型的铂电阻，铂电阻的两臂直于热偶条方向，并分别位于两列热偶条的内端上方，本发明提高了红外探测器的响应度。
-
公开(公告)号：CN109678631B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201910083830.8
申请日：2019-01-29
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明公开了一种二维含能材料，其氧化剂组分与燃料组分中至少一种为类石墨烯二维材料，并已被制成二维纳米片。所述氧化剂组分为MoO3或MnO2，其含量为10％～90％，所述燃料组分为Al、Mg、B、Ti、Si或P中的一种，其含量为10％～90％。本发明使二维材料与纳米含能材料完美结合在一起，解决了纳米含能材料的分散性差，粒子易团聚，瞬时放热差问题，也拓展了二维纳米材料的应用。
-
公开(公告)号：CN111592043A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202010359229.X
申请日：2020-04-29
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明涉及一种三氧化钼量子点的合成方法及其应用，其合成方法为S1、将高锰酸钾，溶于水中，调节pH值到酸性；S2、向步骤S1中获得的溶液加入二硫化钼，水浴加热至反应完全；S3、将步骤S2中获得的溶液，离心，取上清液加入无水乙醇、过氧化氢溶液，于反应釜中进行水热反应，得到三氧化钼量子点。三氧化钼量子点的应用为用于Cr2O72-的检测。本发明的合成方法不用表面活性剂，合成的量子点中钼的价态高，导致制备的量子产率高，合成的MoO3量子点可以用于Cr2O72-的快速和高灵敏度的检测，其对Cr2O72-的检测限宽为0～3μmol/L，检出限可达59nmol/L。
-
公开(公告)号：CN110028372A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201910336318.X
申请日：2019-04-24
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明公开了一种基于碱性催化溶胶凝胶法制备Al/CuO纳米含能材料的方法，以尿素为碱性催化剂，十二烷基磺酸钠为表面活性剂，在弱碱性环境下采用sol-gel方法制备Al/CuO纳米含能材料；所述弱碱性环境的pH在7-9之间。解决了Al/CuO体系凝胶条件较难控制的问题，使凝胶时间变短，避免了nAl在CuO凝胶中的沉降，解决了纳米含能材料混合后易各自沉降而分散性差的问题。
-
公开(公告)号：CN119764870B
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510270403.6
申请日：2025-03-07
Applicant: 中北大学
IPC: H01Q17/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种基于ITO电阻损耗的宽带极化不敏感太赫兹吸波材料，属于太赫兹吸波材料技术领域，旨在解决现有太赫兹吸波材料在宽频吸收能力、斜入射角适应性、极化不敏感性及结构轻量化等方面的不足。所述吸波材料，从上至下依次包括四层由ITO贴片单元组成的ITO电阻损耗层，每层ITO电阻损耗层粘附在PET双面胶层上，并通过PS泡沫介质层进行分割。该结构实现了极化不敏感特性，消除了现有吸波材料对极化角度依赖的问题。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
43
records
(took 0.023 seconds)
