覆铜层叠体及其制造方法
    21.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116057206A

    公开(公告)日:2023-05-02

    申请号:CN202180057521.9

    申请日:2021-08-07

    Abstract: 本发明提供在抑制应用于柔性电路基板时的传输损耗的同时能够实现低介电树脂膜与铜镀层的高密合力和良好的体积电阻率的覆铜层叠体及其制造方法。本发明的覆铜层叠体,其特征在于,包含:频率10GHz下的相对介电常数为3.5以下并且介电损耗角正切为0.008以下的低介电树脂膜、和在所述低介电树脂膜的至少一面层叠的无电解镀铜层,所述无电解镀铜层中的微晶的加权平均尺寸为25~300nm,并且所述树脂膜与所述无电解镀铜层的密合强度为4.2N/cm以上。

    覆铜层叠体及其制造方法
    22.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112449483A

    公开(公告)日:2021-03-05

    申请号:CN202010886991.3

    申请日:2020-08-28

    Abstract: 本发明提供覆铜层叠体及其制造方法。提供抑制应用于柔性电路基板时的传输损耗、同时可确保树脂膜(1)与铜镀层(2)的高密合力的覆铜层叠体(10)及其制造方法。覆铜层叠体,其特征在于,包含:频率10GHz下的相对介电常数为3.5以下且介电损耗角正切为0.008以下的树脂膜(1)、和在上述树脂膜(1)的至少一面层叠的非电解铜镀层(2),所述树脂膜(1)中与上述非电解铜镀层(2)相接的镀层侧界面处的平均表面粗糙度Ra为1~150nm,并且所述树脂膜(1)与所述非电解铜镀层(2)的密合强度为4.2N/cm以上。

    硬盘基片以及使用该硬盘基片的硬盘装置

    公开(公告)号:CN110121745B

    公开(公告)日:2021-01-15

    申请号:CN201780081695.2

    申请日:2017-12-28

    Abstract: 本发明解决的问题是提供一种能够减少盘片表面伤痕并抑制旋转过程中的盘面晃动的薄形硬盘基片以及使用该硬盘基片的硬盘装置。本发明的硬盘基片(1)的特征是在铝合金基片(2)的表面形成有NiP镀膜(3),所述铝合金基片(2)的维氏硬度为60Hv或以上,所述NiP镀膜(3)的厚度与所述铝合金基片(2)的厚度之比为3.8%或以上,所述硬盘基片(1)的杨氏模量为74.6GPa或以上,所述硬盘基片(1)的维氏硬度为293Hv或以上。

    镀覆预处理溶液及使用所述镀覆预处理溶液制造硬盘设备用的铝衬底的方法

    公开(公告)号:CN103403223A

    公开(公告)日:2013-11-20

    申请号:CN201280006415.9

    申请日:2012-01-19

    CPC classification number: C09D1/00 B05D3/102 C23C18/1831 C23C18/32

    Abstract: 本发明的目的是提供:一种镀覆预处理溶液,所述镀覆预处理溶液能够使用于硬盘设备的铝衬底的表面转变成适用于化学镀镍的表面;及一种使用镀覆预处理溶液来制造用于硬盘设备的铝衬底的方法。在用于硬盘设备的铝衬底的制造中用于镀覆预处理的本发明的镀覆预处理溶液具有0.1g/l-1.0g/l的浓度的铁离子和2.0wt%-12.0wt%的浓度的硝酸。这种镀覆预处理溶液被用于镀覆步骤的预处理,在所述镀覆步骤中,用于硬盘设备的铝衬底经历化学镀镍。因此,使用于硬盘设备的铝衬底的表面转变成适合用于化学镀Ni的表面,且当在镀覆步骤中进行化学镀镍时,通过抑制镀覆的表面上的波纹、结节及凹坑的产生,可以得到平滑的镀覆膜的表面。

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