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公开(公告)号:CN118433993A
公开(公告)日:2024-08-02
申请号:CN202410536183.2
申请日:2020-08-28
Applicant: 东洋钢钣株式会社
Abstract: 本发明提供覆铜层叠体及其制造方法。提供抑制应用于柔性电路基板时的传输损耗、同时可确保树脂膜(1)与铜镀层(2)的高密合力的覆铜层叠体(10)及其制造方法。覆铜层叠体,其特征在于,包含:频率10GHz下的相对介电常数为3.5以下且介电损耗角正切为0.008以下的树脂膜(1)、和在上述树脂膜(1)的至少一面层叠的非电解铜镀层(2),所述树脂膜(1)中与上述非电解铜镀层(2)相接的镀层侧界面处的平均表面粗糙度Ra为1~150nm,并且所述树脂膜(1)与所述非电解铜镀层(2)的密合强度为4.2N/cm以上。
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公开(公告)号:CN112449483B
公开(公告)日:2024-05-07
申请号:CN202010886991.3
申请日:2020-08-28
Applicant: 东洋钢钣株式会社
Abstract: 本发明提供覆铜层叠体及其制造方法。提供抑制应用于柔性电路基板时的传输损耗、同时可确保树脂膜(1)与铜镀层(2)的高密合力的覆铜层叠体(10)及其制造方法。覆铜层叠体,其特征在于,包含:频率10GHz下的相对介电常数为3.5以下且介电损耗角正切为0.008以下的树脂膜(1)、和在上述树脂膜(1)的至少一面层叠的非电解铜镀层(2),所述树脂膜(1)中与上述非电解铜镀层(2)相接的镀层侧界面处的平均表面粗糙度Ra为1~150nm,并且所述树脂膜(1)与所述非电解铜镀层(2)的密合强度为4.2N/cm以上。
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公开(公告)号:CN116057205A
公开(公告)日:2023-05-02
申请号:CN202180057458.9
申请日:2021-08-07
Applicant: 东洋钢钣株式会社
IPC: C23C28/02
Abstract: 本发明提供在抑制应用于柔性电路基板时的传输损耗的同时能够并列实现低介电树脂膜的无电解镀铜层中的良好的体积电阻率的覆铜层叠体及其制造方法。本发明的覆铜层叠体包含:频率10GHz下的相对介电常数为3.5以下并且介电损耗角正切为0.008以下的低介电树脂膜、和在所述低介电树脂膜的至少一面层叠无电解镀铜层,所述无电解镀铜层中的Ni含有率为0.01~1.2wt%,并且所述无电解镀铜层的体积电阻率为6.0μΩ·cm以下。
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公开(公告)号:CN116057206A
公开(公告)日:2023-05-02
申请号:CN202180057521.9
申请日:2021-08-07
Applicant: 东洋钢钣株式会社
IPC: C23C28/02
Abstract: 本发明提供在抑制应用于柔性电路基板时的传输损耗的同时能够实现低介电树脂膜与铜镀层的高密合力和良好的体积电阻率的覆铜层叠体及其制造方法。本发明的覆铜层叠体,其特征在于,包含:频率10GHz下的相对介电常数为3.5以下并且介电损耗角正切为0.008以下的低介电树脂膜、和在所述低介电树脂膜的至少一面层叠的无电解镀铜层,所述无电解镀铜层中的微晶的加权平均尺寸为25~300nm,并且所述树脂膜与所述无电解镀铜层的密合强度为4.2N/cm以上。
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公开(公告)号:CN112449483A
公开(公告)日:2021-03-05
申请号:CN202010886991.3
申请日:2020-08-28
Applicant: 东洋钢钣株式会社
Abstract: 本发明提供覆铜层叠体及其制造方法。提供抑制应用于柔性电路基板时的传输损耗、同时可确保树脂膜(1)与铜镀层(2)的高密合力的覆铜层叠体(10)及其制造方法。覆铜层叠体,其特征在于,包含:频率10GHz下的相对介电常数为3.5以下且介电损耗角正切为0.008以下的树脂膜(1)、和在上述树脂膜(1)的至少一面层叠的非电解铜镀层(2),所述树脂膜(1)中与上述非电解铜镀层(2)相接的镀层侧界面处的平均表面粗糙度Ra为1~150nm,并且所述树脂膜(1)与所述非电解铜镀层(2)的密合强度为4.2N/cm以上。
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