公开(公告)号：CN100354199C

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：CN01823915.3

申请日：2001-12-28

Applicant: 东洋炭素株式会社

Inventor： 福长修 ,  大久保博 ,  曾我部敏明 ,  东城哲朗

IPC: C01B31/06 ,  B01J3/06 ,  C04B35/528

CPC classification number: C04B35/645 ,  B01J3/062 ,  B01J3/065 ,  B01J3/067 ,  B01J2203/061 ,  B01J2203/0655 ,  B30B11/004 ,  B30B11/007 ,  C04B35/52 ,  C04B35/522 ,  C04B2235/421 ,  C04B2235/425 ,  C04B2235/427 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607

Abstract: 在由高压合成法制备含硼的半导体金刚石时，向旨在转化为半导体金刚石的石墨材料中按使其均匀的方式加入硼或硼化合物，使之致密、高纯度化，降低含氢量。

公开(公告)号：CN1266031C

公开(公告)日：2006-07-26

申请号：CN200310119692.3

申请日：2003-11-20

Applicant: 东洋炭素株式会社

Inventor： 东城哲朗 ,  吉本修 ,  平岩次郎

IPC: C01B7/20

CPC classification number: C25B1/245

Abstract: 目的在于即使在氟气发生装置的HF的供给停止或异常时，也不会使电解液腐蚀上游管路，且管路内不会残留HF。是用来电解由含有氟化氢的混合熔融盐构成的电解液而产生氟气的氟气发生装置，具有：向前述电解液中提供氟化氢气体的氟化氢气体供给管路；配置在前述氟化氢气体供给管路上且在前述氟化氢气体的供给停止时关闭的第1自动阀；在前述氟化氢气体的供给停止时，排出残存在前述氟化氢气体供给管路的比前述第1自动阀更下游侧的管路内的氟化氢气体并置换为惰性气体的惰性气体置换机构。

公开(公告)号：CN1582257A

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：CN01823915.3

申请日：2001-12-28

Applicant: 东洋炭素株式会社

Inventor： 福长修 ,  大久保博 ,  曾我部敏明 ,  东城哲朗

IPC: C01B31/06 ,  B01J3/06 ,  C04B35/528

CPC classification number: C04B35/645 ,  B01J3/062 ,  B01J3/065 ,  B01J3/067 ,  B01J2203/061 ,  B01J2203/0655 ,  B30B11/004 ,  B30B11/007 ,  C04B35/52 ,  C04B35/522 ,  C04B2235/421 ,  C04B2235/425 ,  C04B2235/427 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607

Abstract: 在由高压合成法制备含硼的半导体金刚石时，向旨在转化为半导体金刚石的石墨材料中按使其均匀的方式加入硼或硼化合物，使之致密、高纯度化，降低含氢量。

公开(公告)号：CN1502548A

公开(公告)日：2004-06-09

申请号：CN200310119692.3

申请日：2003-11-20

Applicant: 东洋炭素株式会社

Inventor： 东城哲朗 ,  吉本修 ,  平岩次郎

IPC: C01B7/20

CPC classification number: C25B1/245

Abstract: 目的在于即使在氟气发生装置的HF的供给停止或异常时，也不会使电解液腐蚀上游管路，且管路内不会残留HF。是用来电解由含有氟化氢的混合熔融盐构成的电解液而产生氟气的氟气发生装置，具有：向前述电解液中提供氟化氢气体的氟化氢气体供给管路；配置在前述氟化氢气体供给管路上且在前述氟化氢气体的供给停止时关闭的第1自动阀；在前述氟化氢气体的供给停止时，排出残存在前述氟化氢气体供给管路的比前述第1自动阀更下游侧的管路内的氟化氢气体并置换为惰性气体的惰性气体置换机构。

公开(公告)号：CN111479782A

公开(公告)日：2020-07-31

申请号：CN201880080293.5

申请日：2018-12-13

Applicant: 学校法人东洋大学 ,  东洋炭素株式会社

Inventor： 角野立夫 ,  佐久间智士 ,  东城哲朗 ,  石川爱 ,  中园智哉 ,  竹下昌利

IPC: C02F3/10 ,  C02F3/00 ,  C02F3/34

Abstract: 本发明所要解决的技术问题在于：提供能够飞跃性地缩短用于获得氮去除速度1kg－N/m3/day的起步时间的厌氧氨氧化菌群保持用载体、厌氧氨氧化菌群附着体和废水处理装置。本发明解决技术问题的技术方案的厌氧氨氧化菌群保持用载体的特征在于，含有碳颗粒，希望碳颗粒为石墨颗粒，特别是各向同性石墨颗粒，另外，希望Zeta电位为－35mV以上0mV以下，希望上述碳颗粒的平均粒径为2μm以上1000μm以下。

公开(公告)号：CN111465690A

公开(公告)日：2020-07-28

申请号：CN201880080218.9

申请日：2018-12-13

Applicant: 东洋炭素株式会社

Inventor： 善木将嗣 ,  东城哲朗 ,  竹下昌利 ,  中园智哉 ,  石川爱

IPC: C12N11/00 ,  C02F3/00 ,  C02F3/10 ,  C12N1/20

Abstract: 本发明所要解决的技术问题在于：提供一种微生物容易附着于微生物固定化载体并且能够降低微生物固定化载体的制造成本和使用微生物固定化载体的装置的运行成本的微生物固定化载体。本发明解决技术问题的技术方案的微生物固定化载体的特征在于，其为含有碳成分和树脂，Zeta电位为－25mV以上0mV以下，并且表面和/或内部附着有微生物，希望上述微生物为硝化菌群，希望上述碳成分的粒度为1μm以上1000μm以下。

公开(公告)号：CN103582621B

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201280025810.1

申请日：2012-05-24

Applicant: 东洋炭素株式会社

Inventor： 陈卫武 ,  宫本钦生 ,  东城哲朗

IPC: C01B31/36 ,  C01B31/02 ,  C01B31/04 ,  C04B35/52 ,  C04B35/565 ,  C04B35/573

CPC classification number: C04B35/622 ,  B82Y30/00 ,  C01B32/956 ,  C04B35/522 ,  C04B35/528 ,  C04B35/62836 ,  C04B35/62884 ,  C04B35/62886 ,  C04B35/62892 ,  C04B35/6316 ,  C04B35/63468 ,  C04B35/638 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/3873 ,  C04B2235/425 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/6023 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/666 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607

Abstract: 本发明提供一种新的碳化硅－碳复合材料的制造方法。通过对包含表面附着有氮化硅的碳质材料（2）的成型体进行烧制，制造碳化硅－碳复合材料（1）。

公开(公告)号：CN102482165B

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201080039227.7

申请日：2010-09-01

Applicant: 东洋炭素株式会社

Inventor： 中村正治 ,  宫本钦生 ,  东城哲朗

IPC: C04B35/52 ,  C01B31/04 ,  C01B31/36 ,  C04B41/87

Abstract: 制造在石墨等碳基材的表面致密且均匀地包覆有碳化硅覆膜的碳化硅包覆碳基材。其特征在于，包括：准备在表面具有由没有悬空键的SP2碳结构构成的基部、和由具有悬空键的SP2碳结构构成的边缘部的碳基材的工序；和通过在温度1400～1600℃、压力1～150Pa的气氛中使碳基材的表面与SiO气体反应而形成碳化硅，制造由碳化硅所包覆的碳基材的工序。

公开(公告)号：CN101296881B

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN200680040106.8

申请日：2006-10-12

Applicant: 东洋炭素株式会社

Inventor： 齐藤清 ,  横山文昭 ,  铃木均 ,  安藤温子 ,  东城哲朗 ,  筱原诚治

IPC: C04B35/52 ,  C01B31/04 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/3171 ,  C04B35/522 ,  C04B35/532 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/77 ,  H01J37/16 ,  H01J2237/0213 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/31705

Abstract: 一种在高电流低能量型离子注入装置中用于离子注入装置束流线(beam line)内部部件的石墨部件，该石墨部件能够显著减少结合到晶片表面中的颗粒的数量。还提供了用于离子注入装置束流线内部部件的石墨部件，该部件具有1.80Mg/m3或更高的堆积密度和9.5μΩ·m或更低的电阻。优选地，在石墨部件的自然断裂(natural fracture)表面的拉曼光谱中用1370cm-1处的D谱带强度除以1570cm-1处的G谱带强度得到的R值为0.20或更低。

公开(公告)号：CN101942670A

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：CN201010275685.2

申请日：2004-12-17

Applicant: 东洋炭素株式会社

Inventor： 早川宏 ,  吉本修 ,  田中则之 ,  平岩次郎 ,  东城哲朗

IPC: C25B1/24 ,  C25B9/00 ,  C25B15/00

CPC classification number: C25B15/02 ,  C25B1/245 ,  C25B15/08

Abstract: 本发明提供一种气体生成装置，通过延长过滤器的使用寿命而能够长时间保护压力调整阀。本发明的气体生成装置是一种将电解槽内的电解液电解生成气体的气体生成装置，包括：将从气体生成装置中生成的不要成分除去的除去塔，将从上述除去塔排放的雾沫除去的过滤器，以及调整上述电解槽内的压力的压力调整阀，上述过滤器插入上述除去塔的下游，上述压力调整阀配置在上述过滤器的下游。