公开(公告)号：CN108473521A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201680079068.0

申请日：2016-12-12

Applicant: 东曹株式会社 ,  公益财团法人相模中央化学研究所

Inventor： 小礒尚之 ,  山本有纪 ,  尾池浩幸 ,  早川哲平 ,  古川泰志 ,  多田贤一

IPC: C07F19/00 ,  C07F15/06 ,  C07F17/00 ,  C23C16/18 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285

Abstract: 本发明提供一种对于在不使用氧化性气体的条件下制作含钴薄膜有用的钴络合物。本发明使用通式(1)(式中，R1表示通式(2)(式中，R6、R7及R8各自独立地表示碳原子数1～6的烷基)所示的甲硅烷氧基，R2表示氢原子、碳原子数1～6的烷基或通式(2)所示的甲硅烷氧基，R3、R4及R5各自独立地表示氢原子或碳原子数1～6的烷基，L表示碳原子数4～10的二烯)所示的钴络合物。

公开(公告)号：CN105001254A

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201510363768.X

申请日：2012-09-03

Applicant: 东曹株式会社 ,  公益财团法人相模中央化学研究所

Inventor： 木下智之 ,  岩永宏平 ,  浅野祥生 ,  川畑贵裕 ,  大岛宪昭 ,  平井聪里 ,  原田美德 ,  新井一喜 ,  多田贤一

IPC: C07F7/28 ,  C07F7/00 ,  C03C17/23 ,  H01L21/316

CPC classification number: C09D1/00 ,  C01B33/113 ,  C07F7/003 ,  C07F7/025 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282

Abstract: 本发明涉及制膜用材料、IV族金属氧化物膜的制造方法。本发明的课题在于提供在较低温度下制作作为半导体元件、光学元件有用的IV族金属氧化物膜的方法。本发明涉及在通过将溶解于有机溶剂的制膜用材料涂布于基板表面，进行热处理、紫外线照射处理、或这两种处理，从而制作IV族金属氧化物膜的方法中，作为制膜用材料，使用通过将具有钛原子或锆原子且各所述金属原子利用桥氧原子进行桥联的化合物溶解于分子内含2个以上氧原子的醇，然后进行加热而得到的制膜用材料。

公开(公告)号：CN101511772A

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200780032292.5

申请日：2007-08-20

Applicant: 东曹株式会社 ,  财团法人相模中央化学研究所

Inventor： 多田贤一 ,  古川泰志 ,  稻叶孝一郎 ,  肆矢忠宽 ,  千叶洋一 ,  山本俊树 ,  山川哲 ,  大岛宪昭

IPC: C07C211/65 ,  C07C209/00 ,  C01G33/00 ,  C23C16/18 ,  C01G35/00 ,  C07F9/00

CPC classification number: C23C16/18 ,  C01G33/00 ,  C01G35/00 ,  C01P2002/88 ,  C07C211/65 ,  C07C251/08 ,  C07F9/005 ,  C23C16/405

Abstract: 本发明的课题在于提供一种新型的铌或钽络合物、其制造方法、使用其的含金属薄膜及其制造方法，该新型的铌或钽络合物具有良好的蒸气压，成为用于通过CVD法或ALD法等制造含有铌或钽的薄膜的原料。本发明为：通过例如M1(NR1)X3(L)r(2)与碱金属醇盐(3)反应制造通式(1)所示的酰亚胺络合物(式中，M1表示铌原子或钽原子，R1表示碳数1～12的烷基，R2表示碳数2～13的烷基，X表示卤原子，L为1，2－二甲氧基乙烷配体时，r为1；L为吡啶配体时，r为2，M2表示碱金属。)、并将该酰亚胺络合物(1)作为原料使用，从而制造含有铌或钽的薄膜。