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公开(公告)号：CN101883623A
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200880119103.2
申请日：2008-10-24
Applicant: 中央硝子株式会社
CPC classification number: B01D53/68 , B01D53/77 , B01D2251/304 , B01D2251/306 , B01D2251/60 , B01D2257/204 , B01D2258/0216 , C01B7/0706 , C01B7/195
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够将气体中的ClO3F除去的廉价的除去方法。通过使含有ClO3F作为杂质的气体与还原剂反应，能够廉价地除去气体中的杂质ClO3F。或者，通过使用在水溶液中的标准电极电势为-0.092V以下的还原剂、或者将还原剂在水溶液的状态下用于反应，能够廉价地除去气体中的杂质ClO3F。
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公开(公告)号：CN102741987B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201180008023.1
申请日：2011-01-25
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/3065 , C07C21/22 , C09K13/00
CPC classification number: H01L21/31055 , C09K13/00 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/32136
Abstract: 本发明的干蚀刻剂的特征在于，其包含由化学式CF3C≡CX（其中，X表示H、F、Cl、Br、I、CH3、CFH2或CF2H。）表示的氟化丙炔和下述中的任一者：（B）选自由O2、O3、CO、CO2、COCl2以及COF2组成的组中的至少一种气体，（C）选自由F2、NF3、Cl2、Br2、I2以及YFn（式中，Y表示Cl、Br或I。n表示整数，1≦n≦5。）组成的组中的至少一种气体，以及（D）选自由CF4、CHF3、C2F6、C2F5H、C2F4H2、C3F8、C3F4H2、C3ClF3H以及C4F8组成的组中的至少一种气体，所述干蚀刻剂发挥对环境的负担小这一效果，且工艺窗口广，还可应对要求高深宽比的加工而无需特殊的基板的激发操作等。
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公开(公告)号：CN103718277A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201280037156.6
申请日：2012-06-13
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/3065 , C09K13/00 , C09K13/08 , H01L21/31116 , H01L21/32137
Abstract: 提供对地球环境的影响小且具有所需要的性能的干蚀刻剂。提供一种干蚀刻剂，其分别以特定的体积%包含(A)式CaFbHc(式中，a、b和c分别表示正整数，并且满足2≤a≤5、c＜b≥1、2a+2＞b+c、b≤a+c的关系。其中，a=3、b=4、c=2的情况除外。)所示的含氟不饱和烃、(B)选自由O2、O3、CO、CO2、COCl2、COF2、F2、NF3、Cl2、Br2、I2以及YFn(其中，Y表示Cl、Br或I。n表示1～5的整数。)组成的组中的至少一种气体、和(C)选自由N2、He、Ar、Ne、Xe以及Kr组成的组中的至少一种气体。
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公开(公告)号：CN102884348B
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201180021294.0
申请日：2011-03-08
CPC classification number: F16K1/302 , F16J3/02 , F16K7/126 , F16K7/14 , F16K7/16 , F16K25/00 , F17C2205/0329 , F17C2205/0385 , F17C2205/0394 , F17C2223/0123 , F17C2260/036 , F17C2270/0518
Abstract: 本发明提供一种卤素气体或卤素化合物气体的填充容器用阀。根据本发明，直接接触型隔膜阀包括：阀主体，其设有入口通路和出口通路；阀室，其用于与阀主体的入口通路和出口通路相连通；阀座部，其设于入口通路的内端开口部；膜片，其设于阀座部的上方，用于保持阀室内的气密状态，并且用于开闭入口通路及出口通路；阀杆，其用于使膜片的中央部向下方下降；驱动部，其用于使阀杆沿上下方向移动，该直接接触型隔膜阀的特征在于，在阀座部与膜片相接触的接触面中，阀座部的接触面的表面粗糙度Ra的值为0.1μm～10.0μm，阀座部的接触面的曲率半径R为100mm～1000mm，膜片与阀座部相接触的接触面积Sb同膜片的气体接触部表面积Sa的面积比率Sb/Sa为0.2％～10％。本发明的阀具有充分的气密性，可以较佳地用作卤素气体或卤素化合物气体用的填充容器用阀。
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公开(公告)号：CN102257181B
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201080003667.7
申请日：2010-01-15
Applicant: 中央硝子株式会社
CPC classification number: H01M8/0656 , B01D53/68 , B01D53/77 , B01D2251/306 , B01D2251/604 , B01D2257/2047 , B01D2258/0216 , C25B1/02 , C25B1/245 , F23G7/065 , Y02E20/12 , Y02P70/56
Abstract: 本发明提供一种具有氟气发生装置的半导体制造设备，其包括氟气发生装置、以及使含有氟系气体的废气燃烧的除害装置。上述氟气发生装置通过在含有氟化氢的熔融盐的电解浴中电解氟化氢，在阳极侧产生主成分为氟气的主生成气体，并且在阴极侧产生主成分为氢气的副生成气体。上述半导体制造设备还包括将从氟气发生装置产生的副生成气体向上述除害装置引导的导出路径，上述除害装置具有将送至除害装置的副生成气体用作燃烧剂的机构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103003925A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201180034216.4
申请日：2011-06-24
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/3065 , C07C21/18 , C09K13/08
CPC classification number: C09K13/00 , C09K13/08 , H01L21/31116
Abstract: 本发明的干蚀刻剂包含(A)1,3,3,3-四氟丙烯、(B)选自由H2、O2、CO、O3、CO2、COCl2、CF3OF、COF2、NO2、F2、NF3、Cl2、Br2、I2、CH4、C2H2、C2H4、C2H6、C3H4、C3H6、C3H8、HI、HBr、HCl、NO、NH3以及YFn(式中，Y表示Cl、Br或I，n表示整数，1≦n≦7)组成的组中的至少1种添加气体和(C)非活性气体。该干蚀刻剂对地球环境的影响小，可以飞跃性地拓宽工艺窗口，还可应对要求侧蚀刻率小、高深宽比的加工而无需特殊的基板的激发操作等。
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公开(公告)号：CN102803566A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201080028604.7
申请日：2010-05-12
Applicant: 中央硝子株式会社
Abstract: 本发明提供一种氟气生成装置。其特征在于，该氟气生成装置具有用于在由含有氟化氢的熔融盐构成的电解液中电解氟化氢的电解槽，通过利用与电解槽上部的配管相连接的回流装置使伴随着气体的产生的熔融盐的雾沫和从熔融盐气化得到的氟化氢气体液化回流，使氟化氢及熔融盐的雾沫返回电解槽中。
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公开(公告)号：CN102369311A
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：CN201080014702.5
申请日：2010-03-04
Applicant: 中央硝子株式会社
Abstract: 本发明提供一种氟气生成装置，其包括用于除去自熔融盐气化而混入到在阳极(7)处生成的主生成气体的氟化氢气体的精制装置，精制装置是并列配置至少两台以上的，其包括供包含氟化氢气体的主生成气体流入的气体流入部和用于冷却流入部的冷却装置，该冷却装置使混入到主生成气体的氟化氢气体凝固并且使氟气通过气体流入部，控制装置基于用于检测在气体流入部处的氟化氢的累积状态的累积状态检测器的检测结果进行精制装置的运转切换，以向待机状态的精制装置引导氟气，通过从由于运转切换而停止的精制装置的气体流入部排出氟化氢并向气体流入部供给氟气，从而使停止中的精制装置处于待机状态。
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公开(公告)号：CN102257181A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201080003667.7
申请日：2010-01-15
Applicant: 中央硝子株式会社
CPC classification number: H01M8/0656 , B01D53/68 , B01D53/77 , B01D2251/306 , B01D2251/604 , B01D2257/2047 , B01D2258/0216 , C25B1/02 , C25B1/245 , F23G7/065 , Y02E20/12 , Y02P70/56
Abstract: 本发明提供一种具有氟气发生装置的半导体制造设备，其包括氟气发生装置、以及使含有氟系气体的废气燃烧的除害装置。上述氟气发生装置通过在含有氟化氢的熔融盐的电解浴中电解氟化氢，在阳极侧产生主成分为氟气的主生成气体，并且在阴极侧产生主成分为氢气的副生成气体。上述半导体制造设备还包括将从氟气发生装置产生的副生成气体向上述除害装置引导的导出路径，上述除害装置具有将送至除害装置的副生成气体用作燃烧剂的机构。
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公开(公告)号：CN102164857A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN200980138501.3
申请日：2009-10-27
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: C01G17/04
CPC classification number: C01G17/04
Abstract: 本发明提供四氟化锗的制造方法，其包括以下工序：向填充有金属锗和稀释气体的反应器中供给氟气的工序；使从反应器放出的气体通过冷却捕集器从而捕集作为反应产物的四氟化锗的工序；使通过冷却捕集器的气体再次返回到反应器而使其循环的工序。通过这样使气体在封闭体系中循环，能够安全且高效地制造四氟化锗。
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