氟化纳米金刚石分散液的制作方法

    公开(公告)号:CN101801846A

    公开(公告)日:2010-08-11

    申请号:CN200880107513.5

    申请日:2008-10-10

    Inventor: 八尾章史

    Abstract: 本发明提供一种氟化纳米金刚石分散液的制作方法,其包括以下工序:纯化工序,将氟化纳米金刚石和碳原子数4以下的醇混合,进行超声波处理而制作悬浮液,对所得的悬浮液进行利用离心分离的分级处理而制作氟化纳米金刚石的分散液;干燥工序,从该纯化工序中获得的氟化纳米金刚石的分散液中除去前述醇,从而制作干燥氟化纳米金刚石;再分散工序,将该干燥工序中获得的干燥氟化纳米金刚石和非质子性极性溶剂混合,利用超声波处理而制作氟化纳米金刚石分散液。

    干式蚀刻方法
    24.
    发明公开
    干式蚀刻方法 审中-实审

    公开(公告)号:CN114512399A

    公开(公告)日:2022-05-17

    申请号:CN202210020327.X

    申请日:2016-07-01

    Abstract: 本发明的干式蚀刻方法的特征在于:其是对形成在基板上的硅氧化物层与硅氮化物层的积层膜,隔着形成在所述积层膜上的掩模,进行使干式蚀刻剂等离子体化并施加500V以上的偏压电压的蚀刻,从而对该层形成垂直方向的贯通孔的方法,并且所述干式蚀刻剂至少包含C3H2F4、CxFy所表示的不饱和全氟碳及氧化性气体,且所述干式蚀刻剂中所含的所述不饱和全氟碳的体积为所述干式蚀刻剂中所含的所述C3H2F4的体积的0.1~10倍的范围。通过该干式蚀刻方法,可以将SiOx的蚀刻速度相对于SiN的蚀刻速度的比(SiN/SiOx比)任意地控制在0.90~1.5之间,并且也可以对掩模实现高蚀刻选择性。

    六氟化钨的制造方法
    26.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111491893A

    公开(公告)日:2020-08-04

    申请号:CN201880081620.9

    申请日:2018-10-04

    Abstract: 本发明提供一种使钨与含氟气体在800℃以上进行反应而制造六氟化钨的方法。本发明的方法中,与边将反应温度控制为400℃以下边由含氟气体与金属钨得到六氟化钨的现有技术相比,能够增加单位反应容器中的制造量。反应容器中,优选装备有用于将反应容器的内壁面温度保持为400℃以下的制冷剂夹套。

    已完成填充的容器的制造方法以及已完成填充的容器

    公开(公告)号:CN110832106A

    公开(公告)日:2020-02-21

    申请号:CN201880044231.9

    申请日:2018-07-24

    Abstract: 本发明的已完成填充的容器的制造方法的特征在于,包括如下工序:准备金属制的保存容器的工序,所述金属制的保存容器至少内表面由锰钢构成、且该内表面的表面粗糙度Rmax为10μm以下;氟化工序,在50℃以下,使上述保存容器的内表面与包含选自由ClF3、IF7、BrF5、F2和WF6组成的组中的至少一种第1含氟气体的气体接触;置换工序,对上述保存容器的内部用非活性气体进行置换;和,填充工序,在上述保存容器的内部填充选自由ClF3、IF7、BrF5、F2和WF6组成的组中的至少一种第2含氟气体。

    干式蚀刻方法
    28.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107924837A

    公开(公告)日:2018-04-17

    申请号:CN201680044981.7

    申请日:2016-07-01

    Abstract: 本发明的干式蚀刻方法的特征在于:其是对形成在基板上的硅氧化物层与硅氮化物层的积层膜,隔着形成在所述积层膜上的掩模,进行使干式蚀刻剂等离子体化并施加500V以上的偏压电压的蚀刻,从而对该层形成垂直方向的贯通孔的方法,并且所述干式蚀刻剂至少包含C3H2F4、CxFy所表示的不饱和全氟碳及氧化性气体,且所述干式蚀刻剂中所含的所述不饱和全氟碳的体积为所述干式蚀刻剂中所含的所述C3H2F4的体积的0.1~10倍的范围。通过该干式蚀刻方法,可以将SiOx的蚀刻速度相对于SiN的蚀刻速度的比(SiN/SiOx比)任意地控制在0.90~1.5之间,并且也可以对掩模实现高蚀刻选择性。

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