公开(公告)号：CN114203507A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202111046522.1

申请日：2021-09-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田中康基 ,  永井龙 ,  大类贵俊 ,  须田隆太郎

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明所公开的蚀刻方法包括在腔室内的表面上形成保护膜的工序(a)。蚀刻方法进一步包括在腔室内使用氟化氢对基板的蚀刻膜进行蚀刻的工序(b)。基板包括蚀刻膜及设置于该蚀刻膜上的掩模。保护膜由与掩模的材料相同种类的材料形成。

公开(公告)号：CN114078700A

公开(公告)日：2022-02-22

申请号：CN202110912034.8

申请日：2021-08-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 须田隆太郎 ,  户村幕树

IPC: H01L21/311 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法,其抑制深度装载的产生,并且促进蚀刻。该蚀刻方法包括:(a)在配置于处理腔室内的基板支承台之上提供包括被蚀刻层的基板的工序；(b)对上述基板支承台的温度进行设定的工序；(c)自蚀刻气体生成等离子体的工序；(d)使上述基板的温度上升的工序；(e)使上述基板的温度下降的工序；以及(f)使上述(d)的工序和上述(e)的工序重复规定次数的工序。