公开(公告)号：CN101622698B

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN200880006784.1

申请日：2008-02-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石川拓 ,  户部康弘

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3065 ,  C23C16/511 ,  H05H1/46

CPC classification number: C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3266

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，所公开的等离子体处理装置具备：容纳被处理体的处理容器；产生微波的微波发生部；将在微波发生部产生的微波导向处理容器的波导路；由导体制成的平面天线，该导体具有将导向波导路的微波向处理容器辐射的多个微波辐射孔；由电介质体制成的微波透过板，其构成处理容器的顶壁，将穿过了平面天线的微波辐射孔的微波透过；向处理容器内导入处理气体的处理气体导入机构；磁场形成部，其设于平面天线的上方，在处理容器内形成磁场，利用该磁场来控制由微波在处理容器内生成的处理气体的等离子体特性。

公开(公告)号：CN101390199B

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN200780006276.9

申请日：2007-02-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 野泽俊久 ,  石川拓

IPC: H01L21/3065 ,  C23C16/26

CPC classification number: C23C16/26 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3146

Abstract: 本发明提供一种无定形碳膜的成膜方法，其特征在于，包括：在处理容器内配置基板的工序；向所述处理容器内供给含有碳、氢和氧的处理气体的工序；通过加热所述处理容器内的基板来分解所述处理气体，并在该基板上堆积无定形碳膜的工序。

公开(公告)号：CN101484984B

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：CN200780025512.1

申请日：2007-07-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石川拓

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/3146 ,  C23C16/26 ,  C23C16/56 ,  H01L21/3105

Abstract: 本发明提供一种无定形碳膜的后处理方法，其特征在于，其是在基板上成膜后施加了伴随加热的处理的无定形碳膜的进一步的后处理方法，该方法在进行伴随加热的处理后，立即进行防止无定形碳膜氧化的处理。

公开(公告)号：CN101796885A

公开(公告)日：2010-08-04

申请号：CN200880105074.4

申请日：2008-08-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石川拓

IPC: H05B33/04 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L51/56 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45523 ,  H01L51/5256

Abstract: 通过在缓和应力的同时具有高密封能力并且不改变有机元件特性的保护膜来保护有机元件。在基板处理装置Sys中，包括沉积装置PM1、第一微波等离子体处理装置PM3以及第二微波等离子体处理装置PM4的基板处理装置10被配置成群集构造，并且在将从基板G被运入到运出为止的基板G所移动的空间保持在期望的减压状态下制造有机电子设备。在沉积装置PM1中形成有机EL元件，在第一微波等离子体处理装置PM3中，通过微波的功率将丁炔气体等离子化，并以与有机EL元件邻接并覆盖所述有机元件的方式形成aCHx膜54，在第二微波等离子体处理装置PM4中，通过微波功率将丁炔气体和氮气等离子化，并在aCHx膜54上形成SiNx膜55。

公开(公告)号：CN101548375A

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：CN200780045004.X

申请日：2007-12-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石川拓

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/314 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/3146 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供半导体装置以及其制造方法。该半导体装置的特征在于，包括基板、布线层、铜扩散阻挡膜和低介电常数绝缘膜；上述布线层形成在基板上，由铜或铜合金构成；上述铜扩散阻挡膜形成在上述布线层上，由利用CVD成膜而成的无定形碳膜构成，该CVD采用了包含碳氢化合物气体在内的处理气体；上述低介电常数绝缘膜形成在上述铜扩散阻挡膜上。

公开(公告)号：CN101390199A

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200780006276.9

申请日：2007-02-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 野泽俊久 ,  石川拓

IPC: H01L21/3065 ,  C23C16/26

CPC classification number: C23C16/26 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3146

Abstract: 本发明提供一种无定形碳膜的成膜方法，其特征在于，包括：在处理容器内配置基板的工序；向所述处理容器内供给含有碳、氢和氧的处理气体的工序；通过加热所述处理容器内的基板来分解所述处理气体，并在该基板上堆积无定形碳膜的工序。

公开(公告)号：CN1881542A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN200610087187.9

申请日：2006-06-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石川拓

IPC: H01L21/314 ,  C23C16/26 ,  C23C16/44

CPC classification number: H01L21/02115 ,  C23C16/26 ,  C23C16/452 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3146

Abstract: 本发明的目的在于形成介电常数更低且耐热性好的无定形碳的绝缘膜。在本发明的绝缘膜形成装置(32)中，向处理容器(50)内的等离子体生成区域(R1)供应Ar气作为等离子体生成用的气体，并向基板(W)侧的成膜区域(R2)供应具有多重键的丁炔气体作为原料气体。在不向基板(W)施加偏置电压的状态下，从径向线缝隙天线(62)向处理容器(50)内供应微波。由此，在等离子体生成区域(R1)中生成等离子体，通过所述等离子体使得成膜区域(R2)的丁炔气体活性化，从而在基板(W)上形成无定形碳的绝缘膜。