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公开(公告)号：CN1557017A
公开(公告)日：2004-12-22
申请号：CN02818449.1
申请日：2002-09-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01J37/32623 , H01J37/32688
Abstract: 磁场形成机构21的各个磁体块22，如图3(a)所示，从各个磁体块22的磁极朝向真空室1侧的状态开始，如图3(b)、图3(c)所示，相邻的磁体块22同步反向转动，所以相隔一个的磁体块22就变成同向转动，可以控制在真空室1内形成的半导体晶圆片W的周围的多极磁场的状态。由此，可以容易地根据等离子体处理工艺的种类适当地控制、设定多极磁场的状态，以便进行良好处理。
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公开(公告)号：CN111095501B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN201980004528.7
申请日：2019-06-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , C23C16/44 , C23C16/458 , H01L21/683 , H05H1/46
Abstract: 用于载置基板的载置台具有：基台，其在内部具备吸附电极；聚焦环，其设于所述吸附电极的上方，并被吸附保持在所述基台上；以及沉积物控制环，在所述基台上、且是所述聚焦环的径向内侧设置该沉积物控制环。在所述聚焦环与所述沉积物控制环的沿着径向之间形成有使该聚焦环与沉积物控制环分离开的间隙。
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公开(公告)号：CN114464550A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202111273349.9
申请日：2021-10-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/677
Abstract: 本发明提供能够利用隔热部件适当地对相邻设置的第1基片处理室与第2基片处理室之间进行隔热、并且能够适当地抑制基片处理时的该隔热部件的消耗的基片处理系统。本发明的基片处理系统包括：具有第1基片输送口的第1腔室；具有第2基片输送口的第2腔室，其能够实施基片处理；连接部件，其用于将所述第1基片输送口和所述第2基片输送口彼此连通；在从截面看时沿着所述第2基片输送口设置的隔热部，其用于将所述第1腔室与所述第2腔室之间热隔断；和设置在所述隔热部与所述第2基片输送口之间的防护部件，其用于防止所述第2腔室中的基片处理时的所述隔热部的消耗。
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公开(公告)号：CN109104807B
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN201810645011.3
申请日：2018-06-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种减少针对噪声的每个频率重新制作滤波器的功夫的等离子体处理装置。滤波器(102(1))具有空芯线圈(104(1))、外导体以及可动件(120(1)～120(4))。空芯线圈(104(1))具有固定的口径和固定的线圈长度。外导体为筒形，收容或包围空芯线圈(104(1))，与空芯线圈(104(1))组合而形成以多个频率进行并联谐振的分布常数线路。可动件(120(1)～120(4))配置于一个或多个有效区间内，用于变更空芯线圈(104(1))的各个卷线间隙，所述有效区间是在滤波器(102(1))的频率‑阻抗特性中使特定的一个或多个并联谐振频率向高频区域侧或低频区域侧产生移位的区间。
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公开(公告)号：CN111095501A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201980004528.7
申请日：2019-06-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , C23C16/44 , C23C16/458 , H01L21/683 , H05H1/46
Abstract: 用于载置基板的载置台具有：基台，其在内部具备吸附电极；聚焦环，其设于所述吸附电极的上方，并被吸附保持在所述基台上；以及沉积物控制环，在所述基台上、且是所述聚焦环的径向内侧设置该沉积物控制环。在所述聚焦环与所述沉积物控制环的沿着径向之间形成有使该聚焦环与沉积物控制环分离开的间隙。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106463446B
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201580024261.X
申请日：2015-06-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种载置台及等离子体处理装置。本发明的一实施方式的载置台具备支承部件及基座。支承部件具有：载置区域，具有加热器；及外周区域，围绕载置区域。基座具有：第1区域，在其上支承载置区域；及第2区域，围绕第1区域。第2区域中设有贯穿孔。电连接于加热器的配线穿过第2区域的贯穿孔。
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公开(公告)号：CN102110574B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201010623408.6
申请日：2010-12-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32091 , H01J37/32541 , H01J37/3255 , H01J37/32577 , H01J37/32605
Abstract: 提供一种可以对等离子体生成所消耗的高频波的电场强度分布进行控制的等离子体处理装置。等离子体蚀刻装置(10)，具有在内部对被处理体进行等离子体处理的处理容器(100)；在处理容器(100)内部互相相对，并在相互之间形成处理空间的上部电极(105)和下部电极(110)；与下部电极(110)连接，向处理容器(100)内输出高频电力的第一高频电源(150)。在上部电极(105)和下部电极(110)的至少任一个，具有由板状金属形成的基材，和在内部埋设有金属的板电极的状态下嵌入上述基材的、一部分从上述基材露出的电介质。
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公开(公告)号：CN101442845B
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN200810176276.X
申请日：2008-11-19
Applicant: 科发伦材料株式会社 , 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67103 , H05B3/143
Abstract: 本发明涉及一种面状加热器(1)，其中供给电力的电源端子部(108)设置在石英玻璃板状体(102)的下表面中央部，上述电源端子部具备：收容对碳丝发热体供给电力的连接线的小直径的石英玻璃管(105a、106a)以及收容小直径的石英玻璃管(105a、106a)的大直径的石英玻璃管(2)，在上述大直径的石英玻璃管(2)的下端部形成有凸缘部(2a)，并且在上端部和上述凸缘部(2a)之间形成有使直径不同的弯曲部(2b)，而且在上述弯曲部下方的大直径的石英玻璃管内，收容有由金属板或不透明石英玻璃板构成的第一热屏蔽板(19、20、21)。
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公开(公告)号：CN101853767B
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201010140503.0
申请日：2010-03-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 林大辅
CPC classification number: H01J37/32568 , H01J37/32018 , H01J37/32458 , H01J37/32577 , H01J37/32908 , H01J2237/024 , H01J2237/1502 , H01J2237/327 , H01J2237/334 , H01L21/67069
Abstract: 本发明提供一种能够抑制在筒状容器的一方的端壁和移动电极之间的空间内产生等离子体的基板处理装置。基板处理装置(10)包括用于收纳晶圆(W)的筒状的腔室(11)、在该腔室(11)内沿腔室(11)的中心轴线移动自如的簇射头(23)、在腔室(11)内与簇射头(23)相对的基座(12)、和用于将簇射头(23)和腔室(11)的盖(14)连接起来的伸缩自如的波纹管(31)，向位于簇射头(23)和基座(12)之间的处理空间(PS)施加高频电力并导入处理气体，簇射头(23)和腔室(11)的侧壁(13)不接触，在位于簇射头(23)和盖(14)之间的上部空间(US)内配置有第1电容层(32)以及第2电容层(33)。
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公开(公告)号：CN102110574A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN201010623408.6
申请日：2010-12-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32091 , H01J37/32541 , H01J37/3255 , H01J37/32577 , H01J37/32605
Abstract: 提供一种可以对等离子体生成所消耗的高频波的电场强度分布进行控制的等离子体处理装置。等离子体蚀刻装置(10)，具有在内部对被处理体进行等离子体处理的处理容器(100)；在处理容器(100)内部互相相对，并在相互之间形成处理空间的上部电极(105)和下部电极(110)；与下部电极(110)连接，向处理容器(100)内输出高频电力的第一高频电源(150)。在上部电极(105)和下部电极(110)的至少任一个，具有由板状金属形成的基材，和在内部埋设有金属的板电极的状态下嵌入上述基材的、一部分从上述基材露出的电介质。
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