公开(公告)号：CN101065836A

公开(公告)日：2007-10-31

申请号：CN200580037146.2

申请日：2005-10-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小岛康彦 ,  吉井直树

IPC: H01L21/3205 ,  H01L23/52 ,  C23C16/18 ,  C23C16/50 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76877 ,  C23C16/0272 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76846

Abstract: 本发明的目的是使半导体装置的Cu扩散防止膜与Cu配线之间的密接性良好，并提高半导体装置的可靠性。为此，在本发明中的成膜方法是在被处理基板上形成Cu膜的成膜方法，其特征在于，包括：在形成于被处理基板上的Cu扩散防止膜上形成密接膜的第一工序；和在所述密接膜上形成Cu膜的第二工序，并且所述密接膜含有Pd。