一种制备四硫化锑三铜纳米晶材料的方法

    公开(公告)号:CN107746076A

    公开(公告)日:2018-03-02

    申请号:CN201710985676.4

    申请日:2017-10-20

    Abstract: 本发明提供了一种制备四硫化锑三铜纳米晶材料的方法,先将反应物前驱体锑硫化合物、硫源、氧化铜或可溶性铜盐、强碱、去离子水加入到反应釜中,所述强碱选自氢氧化钠或氢氧化钾中任意一种;在室温下搅拌至反应物溶解,然后将反应釜密封放入到180-240℃的真空烘箱中加热反应1-5天,最后离心、干燥即得Cu3SbS4半导体纳米晶材料。本发明采用的原料来源广泛,使用过程中对环境无污染,制备工艺简单、重复性好、制备的产物化学性质稳定。

    一种MaPbI3/HgSe胶体量子点及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN118530723A

    公开(公告)日:2024-08-23

    申请号:CN202410458782.7

    申请日:2024-04-16

    Abstract: 本发明公开了一种MaPbI3/HgSe胶体量子点及其制备方法和应用,属于纳米材料技术领域,能够解决现有技术中HgSe量子点固相配体交换量子点薄膜会出现裂痕,液相配体交换量子点会发生团聚和融合,影响器件电学和光电性能的问题。该方法包括:将PbI2、PbBr2和DMAI溶解在极性溶剂中,得钙钛矿前驱体溶液;再将HgSe胶体量子点与钙钛矿前驱体溶液等体积混合,涡旋至HgSe量子点发生完全相转移,清洗,离心,分散至有机溶剂中即可。本发明方法工艺简单,重复性好,对环境友好,且成本低,制备的MaPbI3/HgSe胶体量子点在中波红外表现出明显的吸收特征峰,且量子点薄膜能够正常导通,暗电流大小为106A。

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