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公开(公告)号：CN101861000A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN201010186712.9
申请日：2010-05-27
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
CPC classification number: Y02B20/46 , Y02B70/126
Abstract: 本发明提供了用于LED照明模组的电源装置，以此装置同时驱动多个较小功率的LED照明模组，通过配置前级功率因数校正模块的驱动能力和LED照明模组的数量，即可实现不同功率等级的照明需求，该电源装置包括：多个LED照明模组接口，用于接入LED照明模组；功率因素校正模块，用于校正接入的多个LED照明模组的功率，其输出的功率等级能够调整。
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公开(公告)号：CN101834472A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN201010159169.3
申请日：2010-04-27
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
Abstract: 本发明公开了接收端电源管理装置及无线供能系统，该装置用于无线供能系统，以解决现有无线供能技术无法提供峰值功率的问题，该装置包括：包括储能元件及峰值电流放电回路，所述储能元件包含超级电容；以及所述峰值电流放电回路连接至该超级电容，用于在接收超级电容传输来的能量后，输出峰值功率。
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公开(公告)号：CN101833352A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN201010159179.7
申请日：2010-04-27
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: G05F3/30
Abstract: 本发明公开了高阶补偿带隙基准电压源，包括用于输出基准电压的输出支路，其特征在于，还包括用于充当电阻作用的接地电阻结构和高阶补偿电路，所述高阶补偿电路和输出支路并联，且均连接至接地电阻结构的电流输入端，接地电阻结构的电流输出端接地，以及所述高阶补偿电路用于在温度升高导致输出支路中电流减小时向接地电阻的电流输入端输入电流，这种结构无需依赖精确的工艺，适用很多种工艺，应用范围广泛，此外不会大幅度增加电路面积，另外本发明提供的高阶补偿带隙基准电压源的温度系数远远优于现有高阶补偿带隙基准电压源的温度系数。
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公开(公告)号：CN101819448A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN201010138159.1
申请日：2010-04-02
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: G05F1/46
Abstract: 本发明公开了线性电压调节器，以提高其稳定性，尤其是在轻载情况下稳定性，该调节器包括：相互连接的运算放大器及反馈网络，其特征在于，还包括电压调整结构，连接至所述运算放大器及反馈网络，流经电压调整结构的电流部分流经反馈网络，所述电压调整结构用于根据流经反馈网络的电流大小来调整流经自身电流的大小，调整方向为反向调整。
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公开(公告)号：CN113131538A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN201911388709.2
申请日：2019-12-30
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: H02J7/00
Abstract: 本发明专利申请提供了一种基于低压模拟前端的级联式采样电路及控制方法，其核心主要包括：多个基于多路选择采样及均衡的低压(小于40V)模拟前端(AFE)，一个带多个IO输出的MCU以及多个电压转换电路。多个AFE通过级联的方式连接，上一级的AFE多路选择AD输出级联到下一级的最高节电池采样输入，如此循环形成一个连接高压电池组的AFE级联组。MCU采用一定的软件算法，分别控制各个AFE的AD采样通道和均衡通道。通过本专利的控制算法，保证了各电池电压采样频率的一致性与电池均衡的高效性。由于采用低压AFE，有效降低了系统成本。本方案可以根据电池节数灵活选择AFE数量，有很强的通用性和实用性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110441571A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910519268.9
申请日：2019-06-17
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
Abstract: 本发明根据ESD静电防护中的CDM模式电流测试检验要求，提出了一种可用于手动操作的检测结构及测试方法，以便准确完成对基于CDM模式的ESD电流波形抓取，为CDM模式ESD静电防护能力测试提供数据支持。该系统结构包括：用于支持的测试机台，机台底座上承载测试器件DUT（Device Under Test），机台支架,用于固定系统的检测模块。检测模块包括pogo（弹簧单高跷）探针、测试板等结构。测试机台使用铝合金材质制成，具有紧固旋钮手动调节升降的功能，同时带有固定装置，可以固定设备的测试板，测试板为双层FR-4板。Pogo探针为射频专用探针，可以满足18GHz及以下条件下的信号测试。同轴电缆特性阻抗为50Ω.所使用的校准模块（即校准电容）为FR-4材料，静电容值为4pF。
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公开(公告)号：CN109980006A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201711452893.3
申请日：2017-12-28
Applicant: 上海卓弘微系统科技有限公司 , 上海北京大学微电子研究院 , 上海芯哲微电子科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种具有双面界面掺杂浓度线性增加结构SOI高压器件。该结构在SOI器件介质层上下界面分别注入高浓度N+和高浓度P+,从源端到漏端，N+和P+浓度线性连续增大。器件外加高压时，纵向电场所形成的反型电荷将被未耗尽n+区内高浓度的电离施主束缚在介质层上界面，同时在下界面积累感应电子。引入的界面电荷对介质层电场(E，)产生附加增强场(△E，)，使介质层承受更高耐压，同时对顶层硅电场(ES)产生附加削弱场(△艮)，避免在硅层提前击穿，从而有效提高器件的击穿电N(BV)。详细研究DCI SOI工作机理及相关结构参数对击穿电压的影响，在5μm介质层、1μm顶层硅上仿真获得825V高耐压，较常规结构提高284.4％，其中，附加场△E，和AEs分别达到725.5V/tm和34V/um。
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公开(公告)号：CN109979893A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201711455436.X
申请日：2017-12-28
Applicant: 上海卓弘微系统科技有限公司 , 上海北京大学微电子研究院 , 上海芯哲微电子科技股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/762
Abstract: 一种用于减小自加热效应的SOI高压结构，本发明公开了该结构的原理示意图及其制造方法，以减弱SOI高压结构中埋层存在的自加热效应。其中该结构，包括通常的传统的SOI高压结构以及由新材料以不同于传统埋层结构的新型埋层。该材料在不影响或者少量影响器件其他原有属性的情况下，明显降低了自加热效应。该专利包括这种新型结构的材料、结构以及制备方法。
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公开(公告)号：CN109979874A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201711452955.0
申请日：2017-12-28
Applicant: 上海卓弘微系统科技有限公司 , 上海芯哲微电子科技股份有限公司 , 上海北京大学微电子研究院
IPC: H01L21/762 , H01L23/373
Abstract: 本发明公开了半导体SOI高压器件结构及其制造方法，以改善其散热性能。其中该散热性能较好的SOI器件结构，包括改变高压SOI器件场氧化层所用材料，利用不同材料的热导率及介电常数差异，在不改变器件尺寸且不对SOI三层结构部分做改动的条件下，可以有效改善SOI高压器件散热性能。
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公开(公告)号：CN109977439A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201711454488.5
申请日：2017-12-28
Applicant: 上海卓弘微系统科技有限公司 , 上海芯哲微电子科技股份有限公司 , 上海北京大学微电子研究院
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明提供了一种多个晶体管模块单元测试结构的自动化布局布线，以减小版图的面积，提高绘制测试结构版图的效率，改善结构的稳定性，其中所述的引入参数的晶体管模块单元，是由若干个晶体管组成测试结构。所述模块单元提供控制晶体管个数、栅长、栅宽、叉指数等四组参数，修改所述的四组参数，可以调整晶体管的数量和尺寸，模块内部将自动做出相应调整，仍然保持匹配连接关系。所述模块单元中，引出四条金属线，供模块单元与衬垫(PAD)连接。所述测试结构，可以随时调整它的衬垫间距，根据实际版图允许面积，优化与测试晶体管的匹配精确度。所述测试结构，采用完全的上下对称的版图结构，被测晶体管独立引出源(S)、漏(D)衬垫；而栅(G)、衬底(Sub)为所有晶体管共用。所述自动化方法，智能地将被测试晶体管与所对应的衬垫相连接完成布局布线。所述自动化方法，大规模地降低了新工艺下晶体管测试电路与测试结构的实现复杂度，缩短了完成时间，并提高了可靠度。
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