公开(公告)号：CN105095547A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201410216633.6

申请日：2014-05-22

Applicant: 上海北京大学微电子研究院

Inventor： 张炯 ,  熊涛 ,  徐帆 ,  程玉华

IPC: G06F17/50

Abstract: 本发明提供了大尺寸匹配晶体管参数化模块单元，以提高绘制版图的效率，改善版图的稳定性，其中所述的带参数的大尺寸匹配晶体管模块单元，由两个固定匹配连接关系的晶体管组成。所述模块单元可以随时调整它的栅面积，根据实际版图允许面积，优化匹配精确度。所述模块单元，采用完全的共质心版图结构，提高版图紧凑性。

公开(公告)号：CN105097921A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201410216631.7

申请日：2014-05-22

Applicant: 上海北京大学微电子研究院

Inventor： 徐帆 ,  俞佳佳 ,  蒋乐乐

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/10

Abstract: 本发明公开了SOI功率VDMOS场效应晶体管结构及其制造方法，所述VDMOS器件包括SOI衬底和外延层；位于外延层上方的栅极，所述栅极包括栅氧化层和多晶硅层；位于外延层内的阱区，以及位于阱区内的源区；位于所述栅极下方、外延层内的离子掺杂区；位于器件表面的绝缘应变层；位于绝缘应变层之上的层间介质，以及金属通孔。本发明中，通过所述离子掺杂区以增加栅极氧化层相对的外延层内耗尽层的宽度，降低所述栅极多晶硅层和所述漏极金属层间的电容值，提高VDMOS的开关速度；通过在器件表面覆盖一层绝缘应变层，由于该绝缘应变层与半导体材料的晶格不匹配，将在半导体表面引入应力，进而改变半导体表面的晶格常数，使得载流子迁移率增加，导通电阻降低。

公开(公告)号：CN105093004A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201410216907.1

申请日：2014-05-22

Applicant: 上海北京大学微电子研究院

Inventor： 张炯 ,  陈光 ,  徐帆 ,  程玉华

IPC: G01R31/00

Abstract: 本发明提供了双缆传输线脉冲测试系统，我们通过TLP（TransmissionLinePulse）测试系统的开发，利用短脉冲方波模拟真实的静电放电模式，来实现定量地进行ESD保护电路的性能特性评价的目标。以提高加载到被测器件两端的测试能量，并可以提高测试结果的精确性。其中所述传输线脉冲测试系统，包括电压充放电的传输线部分，此外还包括用于匹配系统阻抗，消减反射脉冲波形的衰减滤波电路结构；该系统还包括用以评估器件内部损坏的漏电流测试部分。其中所述衰减器部分采用异阻式衰减器设计方法，用以匹配前后阻抗的变化；滤波器设计部分采用巴塞尔滤波器，用以实现波形边沿整形，几乎没有过冲现象。