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公开(公告)号：CN103232848A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310138575.5
申请日：2013-04-18
Applicant: 上海交通大学
IPC: C09K11/85
Abstract: 本发明公开了一种稀土氟化物/碳纳米管复合发光材料的制备方法，该方法通过将稀土盐溶液、碳纳米管、氟源溶液、乙二胺四乙酸溶液混合，搅拌加热反应后置于高压反应釜中一定温度下保温一定时间制得。通过该方法获得的稀土氟化物/碳纳米管复合发光材料，稀土纳米粒子成功的均匀分散在碳纳米管表面，稀土颗粒形貌均一，该复合材料具有很好的荧光性能，能够应用于显示、光学存储、生物分析成像等诸多领域。
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公开(公告)号：CN102582148A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210034201.4
申请日：2012-02-15
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种在钛合金基片表面制备磷酸基硅烷-碳纳米管复合薄膜的方法。该方法包括如下步骤：首先，将清洗后的钛合金片在氢氧化钾水溶液中进行羟基化处理；其次，在羟基化的钛合金表面采用自组装法制备硅烷薄膜；然后将基片放入稀土改性的碳纳米管悬浮液中，在其表面制备稀土改性碳纳米管薄膜。本发明方法简单，成本低，对环境无污染；制得的磷酸基硅烷-碳纳米管复合薄膜界面结合牢固、摩擦系数低，具有较好的耐磨性能。
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公开(公告)号：CN102534575A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110457923.6
申请日：2011-12-31
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及一种医用钛合金表面还原氧化石墨烯复合薄膜的制备方法，首先将清洗后的钛合金片在强碱性溶液中进行羟基化处理；再在其表面采用自组装法制备硅烷薄膜；然后将基片放入氧化石墨烯分散液中，在其表面制备氧化石墨烯复合薄膜；最后加热还原氧化石墨烯薄膜，制备成还原氧化石墨烯复合薄膜。与现有技术相比，本发明工艺简单，成本低，对环境无污染，制得的还原氧化石墨烯复合薄膜具有优秀的摩擦学性能，无生物毒性，可用于医用钛合金的表面改性处理。
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公开(公告)号：CN101619403B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200910055214.8
申请日：2009-07-23
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种金属材料技术领域的去除铝合金中硅元素的方法，包括如下步骤：将铝合金浇注成自耗电极棒，将自耗电极棒放入电渣炉内，加入渣料，进行电渣重熔；熔炼完成后，切断电源，冷却，得到铝合金，所述渣料为下列组合物中的一种，所述组合物中的百分数均为重量百分数：5～30％MgF2+30～40％KCl+30～60％MgCl2，5～30％MgF2+30～40％KCl+30～60％NaCl，100％Na3AlF6，10～30％Na3AlF6+30～40％KCl+30～60％NaCl，10～30％Na3AlF6+30～40％KCl+30～60％MgCl2，5～30％CaF2+30～40％KCl+30～60％CaCl2，和5～30％CaF2+30～40％KCl+30～60％NaCl。本发明的方法简单，可有效去除铝合金中低浓度的杂质元素硅，且不会引进新的杂质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101748281B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201010300272.5
申请日：2010-01-14
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种铸造冶金技术领域的高纯铝真空提纯装置，包括：炉壳、熔化装置、凝固装置、绝热装置、电磁搅拌装置、下引机构和固定支架，其中：电磁磁搅拌装置、熔化装置和绝热装置依次由外而内固定设置于固定支架上，绝热装置包围在坩埚的外围，凝固装置位于熔化装置的下方并与熔化装置同轴固定设置，下引机构位于炉壳的底部并与凝固装置的下端相连，固定支架固定设置于炉壳内。本发明的晶体的最大生长速度可达27cm/h，4N纯铝经一次提纯，85％投入料的平均纯度可以达到5N以上，平均晶粒尺寸在150μm以下。
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公开(公告)号：CN101613848B
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN200910055605.X
申请日：2009-07-30
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种金属材料加工技术领域的超高纯铝变形细化晶粒的等轴化方法，包括：在液氮环境下对超高纯铝板材深过冷处理；在轧机中对超高纯铝进行轧制处理，将晶粒深度细化；然后将变形细化处理得到的超高纯铝置于室温下回温；将回温后的超高纯铝放入加热炉中随炉升温至150℃到350℃，保温时间20min～150min后置于室温下冷却或淬火冷却，制成具有晶格尺寸150～200μm的等轴晶，且等轴化率60％～80％的超高纯铝。本发明采用的再结晶方法具有简单易用的特点，对超高纯铝变形细化后的等轴化处理效果显著。
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公开(公告)号：CN101256131B
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN200810036155.5
申请日：2008-04-17
Applicant: 上海交通大学
IPC: G01N5/04
Abstract: 一种铝及铝合金熔体中的夹杂物检测设备属于铸造技术领域。本发明由温度控制系统、过滤系统、真空系统、实时测重系统和计算机组成。温度控制系统设置在过滤系统外围，真空系统位于过滤系统下方，与过滤系统密封连接，过滤系统设置在温度控制系统内，真空系统之上，实时测重系统的重量传感器部分位于真空系统内部，过滤系统的下方，实时测重系统的控制部分位于真空系统外并与计算机连接，为计算机输出测量的重量信号；计算机分别与温度控制系统、真空系统、实时测重系统连接。本发明可精确控温，避免了温度差异导致的结果偏差，控制系统操作简单、功能稳定，可在线快速给出检测结果，直观有效分析铝熔体夹杂物。
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公开(公告)号：CN101831556A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN201010137841.9
申请日：2010-04-02
Applicant: 上海交通大学
IPC: C22B9/18
Abstract: 一种金属基复合材料技术领域的基于电渣重熔法的原位内生铝基复合材料制备方法，通过分别将纯铝及铝合金浇注成自耗电极棒后放入电渣炉内，与含有基本渣料、氟钛酸钾和氟硼酸钾的渣剂混合后进行电渣重熔，反应结束冷却得到原位内生铝基复合材料。本发明采用基本渣料、氟硼酸钾和氟钛酸钾一起作为渣剂，纯铝和铝合金熔化后通过熔融的渣池，与混合氟盐充分接触发生反应，生成TiB2颗粒，由于TiB2颗粒与铝液的润湿性比与渣剂的润湿性好，反应生成的液态渣与铝熔体完全分离，待整个反应结束后，冷却即可得到优质铝基复合材料。
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公开(公告)号：CN101748281A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN201010300272.5
申请日：2010-01-14
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种铸造冶金技术领域的高纯铝真空提纯装置，包括：炉壳、熔化装置、凝固装置、绝热装置、电磁搅拌装置、下引机构和固定支架，其中：电磁磁搅拌装置、熔化装置和绝热装置依次由外而内固定设置于固定支架上，绝热装置包围在坩埚的外围，凝固装置位于熔化装置的下方并与熔化装置同轴固定设置，下引机构位于炉壳的底部并与凝固装置的下端相连，固定支架固定设置于炉壳内。本发明的晶体的最大生长速度可达27cm/h，4N纯铝经一次提纯，85％投入料的平均纯度可以达到5N以上，平均晶粒尺寸在150μm以下。
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