公开(公告)号：CN117630420A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311607618.X

申请日：2023-11-29

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 任鹏鹏 ,  纪志罡 ,  王潇霖

IPC: G01R1/02 ,  G11C27/04 ,  G01R31/00

Abstract: 本发明公开了一种可寻址外围测试电路，该电路包括地址转换电路，以及与所述地址转换电路连接的开关电路。地址转换电路用以将外部输入的地址转换为漏极地址和栅极地址，开关电路的行输出电控制DUT阵列的漏极，开关电路的列输出电控制DUT阵列的源极。开关电路的行、列输出通过地址缓冲器接入所述DUT阵列。地址转换电路包括多个并行译码器接入所述开关电路。

公开(公告)号：CN116449103A

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN202310413212.1

申请日：2023-04-18

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 任鹏鹏 ,  纪志罡 ,  吴俊杰

IPC: G01R27/02

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件中漏源电阻的提取方法，包括如下步骤1)输入电压，测得半导体器件的闪烁噪声；2)在保持输入电压大于阈值电压的前提下，改变输入电压并进行噪声测试，以测得的半导体器件在不同输入电压下的闪烁噪声；3)将所述步骤1)和步骤2)中测得的闪烁噪声减去其包含的由RTN缺陷造成的噪声，得到剩余的闪烁噪声；4)剩余的闪烁噪声包括沟道区散射噪声和漏源电阻噪声；根据剩余的闪烁噪声的强度随Vg的变化关系，对数据进行拟合，获得要提取的漏源电阻大小。本发明利用的原理是沟道区和源漏接触电阻噪声形式不同，并且由于Vg变化导致的沟道电阻变化会改变两部分电阻占总电阻的比例，从而能从测量得到的噪声强度变化中提取漏源电阻大小。

公开(公告)号：CN115495909A

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202211162708.8

申请日：2022-09-23

Applicant: 北京超弦存储器研究院 ,  上海交通大学 ,  北京大学

Inventor： 纪志罡 ,  王达 ,  王润声 ,  任鹏鹏

IPC: G06F30/20 ,  G06Q10/04 ,  G06F17/10 ,  G06F119/04 ,  G06F119/14

Abstract: 本发明公开了一种适用于DRAM外围晶体管的开态任意应力条件下的老化预测建模方法。本发明根据不同类型缺陷的主导应力区域，在各自缺陷主导的应力区域内提取数据来确定缺陷Nit1、Not‑e、Not‑h和Nit2的相应参数，将得到的所有参数整合，输入任意应力条件，便可以得到该条件下的器件任意时刻下的老化量。本发明可以与所有实验数据进行整体校准、参数数值微调，使得模型与实验数据的一致性达到最佳。本发明可以实现开态的不同应力条件下(Vg/Vd不同组合)器件长时老化的预测。具有高可靠性、预测准确性好、实用性强等优势。