公开(公告)号：CN1303611C

公开(公告)日：2007-03-07

申请号：CN03119802.3

申请日：2003-02-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 日高秀人

IPC: G11C11/15 ,  G11C7/00

CPC classification number: G11C11/15

Abstract: 利用在每条写字线(WWL)上配置的写驱动电路(WWD)，对选择行的写字线(WWL)供给数据写入电流(Iww)，对与选择行邻接的写字线(WWL)在与数据写入电流相反的方向上供给磁场消除电流(ΔIww)。在各写驱动电路(WWD)中，利用第1和第2驱动晶体管(101、102)这两者的接通来供给数据写入电流(Iww)，只利用第2驱动晶体管(102)的接通来供给磁场消除电流(ΔIww)。

公开(公告)号：CN1265459C

公开(公告)日：2006-07-19

申请号：CN03149352.1

申请日：2003-06-16

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 日高秀人

IPC: H01L27/08 ,  H01L27/092 ,  H01L29/78

CPC classification number: G11C5/147 ,  H01L27/0922 ,  H03K19/0016

Abstract: 对由栅绝缘膜薄的MIS晶体管构成的逻辑门的工作电源线，配置这些栅绝缘膜厚度薄的电源开关晶体管，并使这些电源开关晶体管的栅极电压，以比逻辑门电路的晶体管的输入输出信号振幅大的振幅变化。因此，能够减小使用微加工制成的栅绝缘膜厚度薄的MIS晶体管的半导体装置的消耗电流，并且，能够使电源电压稳定。

公开(公告)号：CN1255815C

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN02142290.7

申请日：2002-08-29

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 日高秀人

IPC: G11C11/15 ,  G11C7/00

CPC classification number: G11C29/846 ,  G11C11/15

Abstract: 当写入数据时，从第1时刻开始对选择行的写入字线(WWL)供给数据写入入电流，而无需等待冗余判定。另一方面，从第1时刻之后的第2时刻开始对选择列的位线BL或备用位线SBL供给数据写入电流±Iw。冗余判定，在第1和第2时刻之间执行。对于选择存储单元，分别流过写入字线及位线的数据写入电流，产生分别沿着难磁化轴及易磁化轴的方向的磁场。

公开(公告)号：CN1480945A

公开(公告)日：2004-03-10

申请号：CN03130943.7

申请日：2003-05-09

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 日高秀人 ,  石川正敏 ,  大石司

IPC: G11C11/15

CPC classification number: G11C11/16

Abstract: 作为与读出电流路径连接的晶体管组的1个的MTJ存储单元中的存取晶体管(ATR)使用在半导体衬底SUB上的绝缘膜(200)上形成的半导体层(205)来制造，包含杂质区(110、120)、栅区(130)和体区(210)。即，为了削减其关断漏泄电流，用SOI(绝缘体上的硅)结构来制造存取晶体管(ATR)。

公开(公告)号：CN1442858A

公开(公告)日：2003-09-17

申请号：CN02150228.5

申请日：2002-11-05

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 日高秀人

IPC: G11C11/15

CPC classification number: G11C11/15

Abstract: 各写入字线(WWL)的一端，通过写入驱动电路(WWD)有选择地与电源电压(Vcc)连接，它端与接地电压(Vss)连接。写入驱动电路(WWD)，在各写入字线的一端或它端，按每1行交互配置。写入驱动电路(WWDj)具有在选择对应的存储单元行(第j行)时，为了提供数据写入电流Iww而将对应的写入字线(WWLj)与电源电压(Vcc)连接的第1晶体管(101)；在选择相邻行时，将对应的写入字线(WWLj)与电源电压(Vcc)连接的第2晶体管(102)。通过由第2晶体管(102)流过的磁场消除电流(ΔIww)，消除来自相邻行的数据写入电流的泄漏磁场。

公开(公告)号：CN1421864A

公开(公告)日：2003-06-04

申请号：CN02142290.7

申请日：2002-08-29

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 日高秀人

IPC: G11C11/15 ,  G11C7/00

CPC classification number: G11C29/846 ,  G11C11/15

Abstract: 当写入数据时，从第1时刻开始对选择行的写入字线(WWL)供给数据写入入电流，而无需等待冗余判定．另一方面，从第1时刻之后的第2时刻开始对选择列的位线BL或备用位线SBL供给数据写入电流±Iw。冗余判定，在笫1和第2时刻之间执行。对于选择存储单元，分别流过写入字线及位线的数据写入电流，产生分别沿着难磁化轴及易磁化轴的方向的磁场。

公开(公告)号：CN1419242A

公开(公告)日：2003-05-21

申请号：CN02150470.9

申请日：2002-11-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 日高秀人

IPC: G11C11/15

CPC classification number: G11C11/15 ,  G11C11/16 ,  G11C29/74

Abstract: 程序装置(PU)具有电阻随磁化方向而变化的2个程序单元(PRC1及PRC2)。各程序单元在初始状态，即在非程序状态时被磁化成同一方向。在程序状态时，根据程序数据被选择一方的程序单元的磁化方向被从初始状态改写。由根据2个程序单元的电阻生成的2个程序信号(φa及φb)，能够读出1位程序数据和该程序装置(PU)是否存储了程序数据的信息。

公开(公告)号：CN1414558A

公开(公告)日：2003-04-30

申请号：CN02141161.1

申请日：2002-07-08

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 日高秀人

IPC: G11C11/15

CPC classification number: G11C11/15

Abstract: 恒定电流供给电路(70)生成与控制电压(Vctr)对应的恒定电流(I(Read))。根据恒定电流(I(Read))来设定在数据读出时通过构成存储单元的隧道磁阻元件的数据读出电流。恒定电流供给电路(70)包含：根据外部输入生成能调整的基准电压(Vrs)的电压调整电路(100)；根据基准电压(Vrs)生成恒定电流(I(Read))的电流源(104)；以及在通常工作时将基准电压(Vrs)作为控制电压(Vctn)传递给电流源(104)用的电压切换电路(103)。

公开(公告)号：CN1385860B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN02119916.7

申请日：2002-05-16

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 日高秀人

IPC: G11C11/15

CPC classification number: G11C11/15

Abstract: 在读出数据之前，各位线(BL)及源线(SL)被预充电至电源电压(VDD)。在读出数据时，只在被选存储单元列内，对应的位线(BL)与数据总线(DB)耦合，同时对应的源线(SL)在接地电压(VSS)下被驱动。在非被选存储单元列中，各位线(BL)及源线(SL)保持预充电过的电源电压(VDD)。由于不直接作用于数据读出，在非被选存储单元列所对应的位线(BL)中不产生充放电电流，因而可以降低在数据读出时的消耗电力。

公开(公告)号：CN100350497C

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：CN03131290.X

申请日：2003-05-13

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 日高秀人 ,  石川正敏 ,  大石司

IPC: G11C11/15

CPC classification number: G11C11/16

Abstract: 作为连接到读出电流路径上的晶体管组的1个的MTJ存储单元中的存取晶体管(ATR)用表面沟道型场效应晶体管来构成。表面沟道型场效应晶体管与埋入沟道型场效应晶体管相比，其沟道电阻低，可减轻读出电流路径的RC负载。伴随于此，可进行高速的数据读出。